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林燕霞

作品数：8 被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇晶体管
  • 3篇晶体管材料
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇原子团
  • 2篇锗硅
  • 2篇锗硅异质结双...
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇磷炉
  • 2篇磷烷
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇分子束外延生...
  • 2篇SIGE/S...
  • 2篇SIGE_H...
  • 2篇GSMBE生...
  • 2篇HBT
  • 2篇掺杂
  • 2篇SIGE
  • 1篇电路

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇林燕霞
  • 7篇李建平
  • 7篇黄大定
  • 6篇刘金平
  • 6篇孙殿照
  • 6篇孔梅影
  • 4篇高斐
  • 4篇刘学锋
  • 3篇林兰英
  • 3篇朱世荣
  • 2篇李灵霄
  • 1篇李灵宵
  • 1篇曾一平
  • 1篇邹吕凡

传媒

  • 2篇第五届全国分...
  • 1篇Journa...
  • 1篇第七届全国固...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 3篇2000
  • 3篇1999
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
X射线双晶法射表征部分弛豫SiGe/Si(100)合金
林燕霞刘金平黄大定李建平曾一平刘学锋孙殿照孔梅影
关键词：双晶衍射
GSMBE生长SiGe HBT材料的原位掺杂
黄大定李建平林燕霞高斐
关键词：GSMBE生长晶体管材料原位掺杂
文献传递
高速电路用GeSi/Si外延材料
黄大定李建平孙殿照刘学锋刘金平林燕霞高斐邹吕凡朱世荣李灵宵孔梅影林兰英
该项目为SiGe/Si材料生长工艺及其掺杂控制技术，项目过程中生长出了高质量的n-p-n HBT所需要的Si/SiGe/Si构材料：Ge组分及n、p型掺杂均达到项目指标要求；能够严格控制n、p型掺杂区域，将基区的硼杂质限...
关键词：
关键词：HBT
GSMBE原位生长SiGeHBT材料被引量：6
1999年
采用ＧＳＭＢＥ工艺生长的单晶ＳｉＧｅ ＨＢＴ 结构材料，经Ｘ射线双晶衍射，透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明：该材料晶体完整性好，无应力弛豫，界面平整陡峭．发射区Ｎ 型掺杂浓度２×１０１９～１×１０２０ｃｍ － ３，厚度１００～２００ｎｍ ；基区ＳｉＧｅ合金Ｇｅ 组分０．０５～０．２０，Ｐ型掺杂浓度５×１０１８ｃｍ － ３，厚度４０～１００ｎｍ ；集电极浓度～１×１０１６ｃｍ － ３．达到了生长ＳｉＧｅ ＨＢＴ 材料的条件．
黄大定刘金平李建平林燕霞刘学锋李灵霄孙殿照孔梅影林兰英
关键词：双极性晶体管GSMBESIGE
气源分子束外延生长SiGe/Si材料的性质及HBT器件应用
该论文中研究了气源分子束外延生长的SiGe/Si材料的生长、 结构性质与光学性质表征、原位掺杂与HBT器件应用, 基中着重研究了材料的结构特性与电学性能表征和材料的热稳定性,讨论了HBT器件的初步结果.
林燕霞
关键词：结构特性热稳定性HBT器件
GSMBE生长SiGe HBT材料的结构与掺杂
黄大定刘金平李建平林燕霞刘学锋李灵霄孙殿照孔梅影林兰英
关键词：GSMBE生长掺杂SIGEHBT材料半导体材料
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
一种气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法，其是用乙硼烷∶磷烷为掺杂剂生长N-P-N双极晶体管材料时，将乙硼烷、磷烷加热使其裂解为低分子量的原子团束流，降低残余硼、磷杂质的本底浓度，并减少氢对硅生长速率的影响...
黄大定李建平高斐林燕霞孙殿照刘金平朱世荣孔梅影
文献传递
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
一种气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法,其是用乙硼烷:磷烷为掺杂剂生长N－P－N双极晶体管材料时,将乙硼烷、磷烷加热使其裂解为低分子量的原子团束流,降低残余硼、磷杂质的本底浓度,并减少氢对硅生长速率的影响...
黄大定李建平高斐林燕霞孙殿照刘金平朱世荣孔梅影
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