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李小健

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单轴
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇渡越时间
  • 1篇英文
  • 1篇应变硅
  • 1篇载流子
  • 1篇水动力
  • 1篇水动力学
  • 1篇速度过冲
  • 1篇探测器
  • 1篇迁移率
  • 1篇热载流子
  • 1篇解析模型
  • 1篇光探测
  • 1篇光探测器

机构

  • 2篇清华大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇李小健
  • 2篇田立林
  • 1篇张冶金
  • 1篇谭耀华
  • 1篇李国余

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
考虑速度过冲的单载流子光探测器特性被引量：1
2010年
通过在器件模拟中引入考虑了速度过冲效应的水动力学模型,对单载流子光探测器(UTC-PD)的传统漂移扩散模型进行了改进。结果表明,电子的速度过冲有效地减小了空间电荷效应,从而提高了器件的带宽。同时,通过对器件的直流和交流特性分析,研究了吸收层和收集层参数对器件性能的影响。
李国余张冶金李小健田立林
关键词：水动力学热载流子速度过冲渡越时间
应变硅电子迁移率解析模型(英文)被引量：1
2008年
提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型.模型以应变张量为对象研究应变硅沟道电子迁移率,因此与工艺相独立;适用于施加双轴应力及〈100〉/〈110〉方向单轴应力,沟道方向为〈100〉/〈110〉的器件;易于嵌入常用仿真工具中.
李小健谭耀华田立林
关键词：应变硅电子迁移率解析模型
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