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朱西安
作品数:
16
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中国电子科技集团第十一研究所
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合作作者
孙浩
中国电子科技集团第十一研究所
王成刚
中国电子科技集团第十一研究所
折伟林
中国电子科技集团第十一研究所
巩锋
中国电子科技集团第十一研究所
许秀娟
中国电子科技集团第十一研究所
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作者
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朱西安
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孙浩
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王成刚
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承载碲锌镉样品的装置和测试碲锌镉中Zn组分的方法
本发明公开了一种承载碲锌镉样品的装置和测试碲锌镉中Zn组分的方法,其中,该装置包括:方形平台,用于放置碲锌镉样品,方形平台的厚度不小于第一预设值;在方形平台的相邻两个边沿处设置垂直于方形平台的围栏,围栏用于保护碲锌镉样品...
许秀娟
巩锋
周立庆
折伟林
朱西安
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一种用于双色碲镉汞器件的干法刻蚀方法及刻蚀装置
本发明公开了一种用于双色碲镉汞器件干法刻蚀的刻蚀方法及刻蚀装置,所述装置包括:一个射频源与环绕在反应腔室周围的电感耦合线圈相连,另一个射频源与反应室下端的下电极相连。所述方法包括以下步骤:在碲镉汞器件表面形成光刻胶掩膜图...
李震
孙浩
王成刚
朱西安
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一种长波HgCdTe光伏器件暗电流的测试方法
本发明公开了一种长波HgCdTe光伏器件暗电流的测试方法。其中,该方法包括:步骤A,将样品安装在液氮杜瓦中,并按定义焊接好引线;步骤B,在杜瓦中安装冷屏并加入温度传感器;步骤C,对液氮杜瓦进行抽取真空操作;步骤D,用测试...
孙浩
鲍哲博
朱西安
李家发
刘伟
东海杰
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一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法
本发明公开了一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法,该方法使用湿法腐蚀牺牲层材料,利用腐蚀液横向钻蚀效应,反应迅速,无须在像元中心开许多小孔以帮助去除牺牲层材料,故工艺方法简单,且能够有效缓解由于应力所造成的去掉牺牲层后像...
胡小燕
孙浩
梁宗久
朱西安
文献传递
承载碲锌镉样品的装置
本实用新型公开了一种承载碲锌镉样品的装置,该装置包括:方形平台,用于放置碲锌镉样品,方形平台的厚度不小于第一预设值;在方形平台的相邻两个边沿处设置垂直于方形平台的围栏,围栏用于保护碲锌镉样品位置移动导致滑落,围栏的高度不...
许秀娟
巩锋
周立庆
折伟林
朱西安
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一种增强红外焦平面探测器与读出电路铟柱电学连接的方法
本发明提供一种增强红外焦平面探测器与读出电路铟柱电学连接的方法,其中,包括下列步骤:步骤A:在制备好的生长完铟柱的探测器芯片侧进行光刻;步骤B:利用离子铣设备在铟柱上生长金薄膜;步骤C:将探测器上的光刻胶去除干净;步骤D...
沈悦
谢珩
刘明
王成刚
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红外双色碲镉汞探测器台面钝化方法
本发明公开了一种红外双色碲镉汞探测器台面钝化方法,包括:步骤A:对双色碲镉汞探测器的芯片台面裸露的碲镉汞进行腐蚀,消除物理损伤薄膜,去除表面硫化锌膜层;步骤B:利用磁控溅射设备对经过步骤A处理后的芯片台面进行钝化处理;本...
张敏
孙浩
王成刚
朱西安
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一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置
本实用新型公开了一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置,所述装置包括:靶材,安装在增透膜层生长腔室的底部,并通过匹配箱与射频电源连接;样品托,安装在增透膜层生长腔室的顶部,所述样品托上设置有具有样品槽的内嵌式样品盘,所述样...
孙浩
马涛
王成刚
朱西安
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一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法
本发明公开了一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法,该方法使用湿法腐蚀牺牲层材料,利用腐蚀液横向钻蚀效应,反应迅速,无须在像元中心开许多小孔以帮助去除牺牲层材料,故工艺方法简单,且能够有效缓解由于应力所造成的去掉牺牲层后像...
胡小燕
孙浩
梁宗久
朱西安
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承载碲锌镉样品的装置和测试碲锌镉中Zn组分的方法
本发明公开了一种承载碲锌镉样品的装置和测试碲锌镉中Zn组分的方法,其中,该装置包括:方形平台,用于放置碲锌镉样品,方形平台的厚度不小于第一预设值;在方形平台的相邻两个边沿处设置垂直于方形平台的围栏,围栏用于保护碲锌镉样品...
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