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曾雪松

作品数:2 被引量:9H指数:2
供职机构:中国科学院固体物理研究所更多>>
发文基金:中国科学院知识创新工程重要方向项目山东省“泰山学者”建设工程项目教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:理学电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇电池
  • 1篇氧化锌纳米
  • 1篇氧化锌纳米线
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇透明导电
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇聚合物太阳能...
  • 1篇激光沉积
  • 1篇高压脉冲
  • 1篇NIO
  • 1篇PLD
  • 1篇PLD法
  • 1篇P型

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇济南大学

作者

  • 2篇曾雪松
  • 1篇赵志飞
  • 1篇李新化
  • 1篇韩军
  • 1篇史同飞
  • 1篇肖正国
  • 1篇杨晓朋
  • 1篇郭浩民
  • 1篇曹丙强
  • 1篇邱智文
  • 1篇王玉琦

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
高压PLD法生长p型钠掺杂氧化锌纳米线阵列被引量:3
2014年
采用高压脉冲激光沉积法(HP-PLD)研究了压强、金催化层厚度对钠掺杂氧化锌纳米线(ZnO:Na)生长的影响,并制备了ZnO:Al薄膜/ZnO:Na纳米线阵列同质pn结器件。实验发现,当金膜厚度为4.2 nm,生长压强为3.33×104 Pa,生长温度为875℃时,可在单晶Si衬底上生长c轴取向性良好的ZnO纳米线阵列。X射线衍射和X射线光电子能谱综合分析证实了Na元素成功掺入ZnO纳米线晶格中。在低温(15 K)光致发光谱中,观测到了一系列由Na掺杂ZnO产生引起的受主光谱指纹特征,如中性受主束缚激子峰(3.356 eV,A0X)、导带电子到受主峰(3.312 eV,(e,A0))和施主受主对发光峰(3.233 eV,DAP)等。通过在ZnO:Al薄膜上生长ZnO:Na纳米线阵列形成同质结,测得I-V曲线具有明显的整流特性,证实了ZnO:Na纳米线具有良好的p型导电性能。
邱智文杨晓朋韩军曾雪松李新化曹丙强
关键词:氧化锌纳米线
NiO透明导电薄膜的制备及在聚合物太阳能电池中的应用被引量:6
2012年
采用磁控溅射法制备出透明导电氧化物NiO薄膜.椭偏(SE)测试表明NiO薄膜在可见光区域透光性良好,通过调节生长、退火温度可调控NiO的折射率.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)手段研究表明,通过退火、改变衬底温度等,可有效改变Ni薄膜的晶体结构以及表面形貌,实现对NiO导电性的调控.采用优化后的NiO材料为阳极阻挡层制备出的聚合物太阳能电池器件的效率为2.26%,是同等条件下采用PEDOT:PSS阻挡层的电池器件的3倍以上.
肖正国曾雪松郭浩民赵志飞史同飞王玉琦
关键词:聚合物太阳能电池
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