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时伯荣

作品数:3 被引量:4H指数:1
供职机构:山东大学物理学院物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学

主题

  • 2篇离子注入
  • 2篇固体靶
  • 1篇散射
  • 1篇重离子
  • 1篇卢瑟福
  • 1篇卢瑟福背散射
  • 1篇发光
  • 1篇发光研究
  • 1篇分布参数
  • 1篇高能
  • 1篇背散射
  • 1篇
  • 1篇ER

机构

  • 2篇山东大学
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 3篇时伯荣
  • 2篇王克明
  • 1篇李仪
  • 1篇金亿鑫
  • 1篇刘学彦
  • 1篇李菊生
  • 1篇刘向东
  • 1篇蒋红
  • 1篇翟宏营

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇第九届全国核...

年份

  • 2篇1994
  • 1篇1992
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
MeV重离子在固体靶中的平均投影射程计算
1992年
根据Biersack角扩散模型,建立了计算MeV重离子在固体靶中的平均投影射程的方法。与新近发表的1.0MeV的In^+,Xe^+,Ta^+和1.0—2.0MeV的Pb^+在Si中的平均投影射程实验数据相比,本文计算值与实验值的最大偏离为8%,而Monte-Carlo(TRIM′86)和PRAL的计算值与实验值的最大偏离分别为23%和22%。这表明本文的计算在预言1.0—2.0MeV的重离子(In^+,Xe^+,Ta^+和 Pb^+)在固体靶(Si)中的平均投影射程是相当成功的。
王克明时伯荣曲保东王忠烈
关键词:离子注入高能
重离子在固体靶中的纵向和横向分布参数的计算
用离子束技术来改变固体表面及近表面层的性质是近代科学史上的一个重要发现。六十年代以来,离子束技术已成功地用于大规模集成电路,超大规模集成电路以及化合物半导体器件。随着科学技术的发展。离子注入已由半导体领域进入其它领域,如...
王克明时伯荣
文献传递
Er注入Si的芦瑟夫背散射和发光研究被引量:4
1994年
用芦瑟夫背散射(RBS)和光致发光(PL)研究了Er注入Si的退火性质。RBS分析表明,退火时,损伤层再结晶的同时伴随着Er向表面迁移。退火后,Er浓度峰的深度与表面剩余损伤层的深度是一致的。Er在Si中主要占据非替位。大量间隙Er的存在延缓了损伤层的再结晶。在77K观察到了与Er有关的位于1.546μm的PL。
李仪李菊生金亿鑫时伯荣蒋红翟宏营刘学彦刘向东
关键词:发光离子注入卢瑟福背散射
共1页<1>
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