徐桦
- 作品数：10 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国矿业大学（北京）更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术航空宇航科学技术更多>>
- SiC晶须形貌质量检测标准被引量：2
- 1994年
- 本文首次提出碳化硅晶须的形貌质量检测标准，该标准包括晶须的长度、直径、长径比及晶须的表面光洁率、晶须直晶率、晶须中颗粒物含量几个方面的检测，并已在１９９３年２月被国家“８６３”高技术结构材料专家组认定，做为我国ＳｉＣ晶须产品形貌质量的检测标准。
- 徐桦郭梦熊
- 关键词：碳化硅晶须形貌
- SiC晶须形貌质量检测标准被引量：1
- 1994年
- 本文首次提出碳化硅晶须的形貌质量检测标准，该标准包括晶须的长度、直径、长径比、以及晶须的表面光洁率、晶须直晶率、晶须中颗粒物含量几个方面的检测，并已在１９９３年２月，被国家“８６３”高技术结构材料专家组认定，做为我国ＳｉＣ晶须产品形貌质量的检测标准。
- 徐桦郭梦熊
- 关键词：晶须形貌碳化硅纤维
- ＢＰ－ＳｉＣｗ生长机理探讨
- 徐桦郭梦熊
- 关键词：复合材料晶须
- 国产BP碳化硅晶须及特性被引量：7
- 1994年
- 本文从晶须的形貌、内部结构、表面化学组成，以及晶须内部杂质含量等诸多方面详细地研究了国产ＢＰ晶须，并将ＢＰ晶须和美国、日本进口的晶须进行了比较。结果表明，国产晶须的各项指标距进口晶须的距离并不大，在某些指标上甚至达到和超过了进口晶须。
- 徐桦郭梦熊
- 关键词：晶须碳化硅
- 获得高品级SiC晶须的分离工艺
- 本发明涉及一种从烧结的SiC晶须粗料中获得高品级SiC晶须产品的分离工艺，其特征在于经粉碎的物料两次调浆后进行反浮选，其尾矿再进行旋流器分离，或者采用正浮选处理，中矿采用旋流器组或快速摇床处理，该工艺过程进行合理组合可用...
- 郭梦熊徐桦安征陈材任子敏邵绪新夏云凯
- 文献传递
- 国产稻壳BP－SiCw的生长机理研究被引量：1
- 1994年
- 以稻壳为原料的国产ＢＰ－ＳｉＣｗ的生长机理为一维的ＶＬＳ生长。ＢＰ－ＳｉＣｗ的直径变化规律遵守晶体一维ＶＬＤ生长的直径变化规律。即：炉子加热功率的波动越大，晶须表面的粗糙现象越严重。保护气的热容量越大，和炉体进行的热交换量越多，生产出的ＢＰ－ＳｉＣｗ的直径也越粗。氢气氛下生产的ＢＰ－ＳｉＣｗ表面光洁度优于氩气氛下生产的ＢＰ－ＳｉＣｗ产品。
- 徐桦郭梦熊
- 关键词：晶须复合材料直径稻壳
- 获得高品级SiC晶须的分离工艺
- 本发明涉及一种从烧结的SiC晶须粗料中获得高品级SiC晶须产品的分离工艺，其特征在于经粉碎的物料两次调浆后进行反浮选，其尾矿再进行旋流器分离，或者采用正浮选处理，中矿采用旋流器组或快速摇床处理，该工艺过程进行合理组合可用...
- 郭梦熊徐桦安征陈材任子敏邵绪新夏云凯
- 文献传递
- SiC晶须特性在SiCw／Si_3N_4复合材料中所起作用的研究被引量：3
- 1994年
- 从ＳｉＣ晶须性能及晶须表面氧化层特性角度研究分析了ＳｉＣ晶须特性对其在Ｓｉ＿３Ｎ＿４陶瓷基体中补强、增韧行为的影响。结果表明，晶须的直径、长径比值正比于晶须补强、增韧Ｓｉ＿３Ｎ＿４陶瓷基体的能力。表面粗糙晶须对Ｓｉ＿３Ｎ＿４复合材料的强度影响不大，却能显著地改善其韧性。晶须表面氧化层增厚，表面氧化硅从Ｓｉ－Ｏ单键形式转化成为ＳｉＯ＿２后，晶须在Ｓｉ＿３Ｎ＿４基体中的补强、增韧效果非但没有降低，还略有增加。
- 徐桦郭梦熊
- 关键词：晶须复合材料陶瓷材料
- 稻壳制备SiC晶须及其Si_3N_4陶瓷复合材料的应用被引量：5
- 1997年
- 本文对稻壳合成SiC晶须(SiCw)进行了研究,生产了三种SiCw,并进行了复合Si_3N_4陶瓷材料的研究。结果表明:本方法合成的SiCw表面粗糙,呈多节状,晶型以β-SiC为主,并含有少量的α-SiC变体;粗直径的SiCw对陶瓷基复合材料的增强增韧效果较好,材料的室温强度σ(fRT)达856.22MPa,断裂韧性K_(IC)达11.31MPa,m^(1/2),1300℃时的高温强度σ_f达418.SMPa。
- 王启宝郭梦熊徐桦
- 关键词：稻壳晶须陶瓷基
- 稻壳SiCw中晶体缺陷的研究
- 1993年
- 前言二十世纪被称作“材料革命的时代”。新材料的世界市场正以两倍于整个世界经济增长速度而发展。特殊复合材料由于它超出常规材料的优良性能,被越来越多地应用于航空航天、民用以及普通工业领域。在特殊复合材料中,以碳化硅晶须增强、增韧金属基、陶瓷基复合材料的发展近来尤为引人瞩目。中国矿业大学北京研究生部在1993年1月建成一条年产1吨碳化硅晶须的中试生产线,所研制生产的 BP-碳化硅晶须直径粗,直晶率高,成本低。在复合Si_3N_4陶瓷中表现出极好的增强、增韧特性。
- 徐桦郭梦熊
- 关键词：稻壳晶体
