徐新发
- 作品数:2 被引量:20H指数:2
- 供职机构:北京化工大学更多>>
- 发文基金:国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>
- SrTiO3空位缺陷及替位掺杂的第一性原理计算
- SrTiO3是一种钙钛矿金属氧化物绝缘体,它被广泛用于晶界电容器、氧敏传感器、光开关、生长高温超导薄膜的衬底,作为高电容率材料在超晶格和下一代超大规模集成器件中具有潜在的应用价值。目前,对SrTiO3电子结构、半导化掺杂...
- 徐新发
- 关键词:SRTIO3电子结构第一性原理VASP
- 文献传递
- Y掺杂SrTiO_3晶体材料的电子结构计算被引量:17
- 2009年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,研究了Y掺杂SrTiO3体系的空间结构和电子结构性质,得到了优化后体系的结构参数,掺杂形成能,能带结构和电子态密度.对比掺杂浓度为0.125,0.25,0.33时,Sr1-xYxTiO3和SrTi1-xYxO3的掺杂形成能,发现Y替代Sr能形成更稳定的结构.对Sr1-xYxTiO3(x=0,0.125,0.25,0.33)的结构进行了优化,结果表明Y替代Sr后,随着掺杂浓度增大,体系的晶格常数逐渐减小,稳定性逐渐增强.对不同掺杂浓度的Sr1-xYxTiO3能带结构的计算结果表明:纯净的SrTiO3是绝缘体,价带顶在R点,导带底在Γ点,费米能级处于价带顶;掺杂Y后,费米能级进入到导带底中,体系呈金属性;掺杂浓度越大,费米能级进入导带的位置越深,禁带宽度也近似变宽.
- 徐新发邵晓红
- 关键词:SRTIO3电子结构VASP