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徐乐

作品数:21 被引量:29H指数:3
供职机构:中国工程物理研究院流体物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金中国工程物理研究院发展基金更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术电子电信文化科学更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 13篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇沿面闪络
  • 10篇闪络
  • 6篇绝缘
  • 5篇真空沿面闪络
  • 4篇绝缘子
  • 3篇电压
  • 3篇闪络特性
  • 3篇芯片
  • 3篇脉冲电压
  • 3篇门极
  • 3篇开关
  • 3篇开关芯片
  • 3篇激光
  • 3篇硅基
  • 3篇触发
  • 2篇等离子体
  • 2篇电荷
  • 2篇电路
  • 2篇雪崩三极管
  • 2篇沿面闪络特性

机构

  • 21篇中国工程物理...
  • 4篇清华大学
  • 1篇第三军医大学...
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇长冈技术科学...
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 21篇徐乐
  • 11篇王勐
  • 9篇杨尊
  • 8篇李逢
  • 6篇袁建强
  • 6篇付佳斌
  • 6篇任靖
  • 5篇刘宏伟
  • 5篇康军军
  • 5篇王凌云
  • 4篇谢卫平
  • 4篇邹文康
  • 4篇栾崇彪
  • 4篇何泱
  • 3篇李洪涛
  • 3篇刘瑜
  • 2篇何徽
  • 2篇周良骥
  • 2篇赵新才
  • 2篇肖正飞

传媒

  • 9篇强激光与粒子...
  • 2篇第2届全国脉...
  • 1篇高电压技术
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇科技纵览
  • 1篇第十三届高功...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于磁场闪络抑制技术的真空沿面闪络实验研究被引量:4
2012年
为解决脉冲功率系统中击穿电压最低的部分,即真空固体绝缘界面,采用磁场闪络抑制技术提高闪络电压,为研究磁场和沿面闪络电压的关系,针对不同介电常数的样品开展了一系列相关实验。实验结果表明:采用电容器对通电螺线管充电产生的脉冲强磁场稳定可靠,并且当施加在绝缘子表面磁场强度为1.1T时,PMMA材料的闪络电压可以提高至1.8倍。
刘瑜王勐杨尊周良骥邹文康章乐徐乐
关键词:真空沿面闪络介电常数
基于磁场闪络抑制技术的真空沿面闪络实验研究
为解决脉冲功率系统中击穿电压最低的部分,即真空固体绝缘界面,采用磁场闪络抑制技术提高闪络电压,为研究磁场和沿面闪络电压的关系,针对不同介电常数的样品开展了一系列相关实验。实验结果表明:采用电容器对通电螺线管充电产生的脉冲...
刘瑜王勐杨尊周良骥邹文康章乐徐乐
关键词:介电常数闪络电压电容器
文献传递
激光辐照绝缘样品不同位置的沿面闪络性能被引量:2
2013年
绝缘体沿面闪络是制约脉冲功率技术发展的瓶颈之一。为了能对沿面闪络机理有更深的认识,通过在沿面闪络过程中引入激光辐照的作用,考察了绝缘样品上不同的辐照位置对于沿面闪络性能的影响。实验结果表明:辐照位置越靠近闪络起始的地方,对沿面闪络性能的影响越大;在沿面闪络的过程中,不同的阶段如闪络起始阶段及电子倍增阶段在整个闪络过程中所起的作用不同。
徐乐王勐康军军李逢任靖杨尊
关键词:激光辐照
轴向小型绝缘堆真空沿面闪络实验设计
2015年
根据大型脉冲功率装置中的绝缘堆的结构特点,设计了一个新的四层轴向小型绝缘堆.它由四层绝缘环构成,分隔水界面与真空界面.在该绝缘结构开展静电场计算和电路仿真计算后,进行了有机玻璃小型绝缘堆的真空沿面闪络实验,实验结果反映了有机玻璃圆环结构的耐压特性.根据实验结果推算圆环结构下有机玻璃的材料常数,并计算了绝缘堆的闪络概率.圆环绝缘结构的尺寸大于一般真空沿面闪络实验中常用的圆柱与圆台结构绝缘子,结构和尺寸更接近于实际工程应用的绝缘堆结构,从实验结果中得到的关键材料常数将更适用于评估大型绝缘堆结构的闪络概率.
杨尊李逢王勐任靖卫兵徐乐
关键词:沿面闪络真空
脉冲电压下油膜涂覆绝缘体真空沿面闪络特征被引量:1
2017年
为进一步提高真空绝缘体沿面闪络电压,采用变压器油涂敷于真空绝缘体表面,实验研究了脉冲电压下油膜涂覆绝缘体的真空沿面耐压性能。实验结果表明:真空中油膜涂覆绝缘体首次沿面闪络电压和老练电压均有大幅度提高,但耐受电压与未涂覆绝缘体的耐受电压基本一致。根据实验结果结合真空沿面闪络二次电子崩理论和液体击穿二次电子崩理论,初步认为闪络发生在绝缘体与油膜交接面处,油介质的涂覆抑制了绝缘体表面二次电子崩的发展和解吸附气体的释放,提高了首次闪络电压和耐受电压,但较高的闪络电流释放的热量将可能在绝缘体表面形成固有闪络通道从而降低油膜涂覆绝缘体耐受电压,油介质的涂覆促使电极与绝缘体接触良好从而降低了闪络电压的分散性。该涂覆方法有希望应用于对真空无特殊要求的固体支撑结构来提高真空耐压性能,但油介质对真空的影响还有待进一步研究。
李逢蒋吉昊王勐徐乐杨尊
关键词:绝缘体沿面闪络
一种用于高温环境的硅基光触发多门极半导体开关芯片
本发明公开了一种用于高温环境的硅基光触发多门极半导体开关芯片,所述硅基光触发多门极半导体开关芯片包括依次形成的阴极电极、PN结结构和阳极电极,所述PN结结构为N<Sup>+</Sup>PN<Sup>‑</Sup>NP<S...
栾崇彪刘宏伟袁建强王凌云付佳斌何泱徐乐李洪涛谢卫平
不同应用条件下最佳绝缘子构型被引量:1
2012年
绝缘子的沿面闪络制约着脉冲功率系统向高电压、大电流方向发展,总结了几种实际应用条件下的最佳绝缘子构型,并对不同角度下绝缘子表面的带电情况进行了分析。结果表明,表面电荷对不同绝缘子构型的性能起着至关重要的作用,需要根据不同的应用条件来开展实验研究以确定最佳的绝缘子构型。
徐乐王勐杨尊刘瑜李逢
关键词:沿面闪络表面电荷脉冲电压直流电压
不同E/cB值下同轴绝缘子闪络特性
2013年
基于磁场闪络抑制原理,研究了由回路电流产生的同轴自磁场对径向真空固体绝缘界面沿面闪络特性的影响规律。根据同轴结构电场E和磁场B的比值与半径无关、只与电路参数相关的特点,分别设计了E/cB(c为光速)为0.041,0.05,0.056和0.062的四种同轴电极结构,开展了有磁场和无磁场两种条件下电介质的真空沿面闪络实验研究。实验结果表明,在有利于磁场闪络抑制条件的自磁场位形下,真空沿面闪络耐压水平相比无磁场情况有明显提高,且比值E/cB越小闪络电压提高幅度越大。当E/cB比值为0.041时,沿面闪络电压可提高约1.3倍;而当自磁场位形反向时,沿面闪络电压相比于无磁场情况有所降低。
李逢王勐任靖康军军杨尊徐乐夏明鹤
关键词:绝缘子沿面闪络回路电流同轴电极
亚纳秒重频脉冲信号源设计与实验
2024年
亚纳秒前沿、数百伏幅度、近似高斯单周波的重频窄脉冲信号源在超宽带探测、电磁兼容测试等领域有着十分广泛的应用。设计了一种全固态Marx电路结构型重频脉冲信号源,选用云母电容、雪崩三极管、贴片电阻、电感等元器件,根据信号输出要求优化印制电路板(PCB)布局及微带线结构,调整匹配电路元件参数,在50Ω电阻负载上获得了脉冲峰值约1 kV、脉宽约650 ps、前沿约450 ps、后沿约700 ps的单极性负脉冲信号,脉冲波形前后沿相似且光滑陡峭,实现了10 kHz重频输出,波形峰值抖动和半高宽抖动均小于10%。
冯传均戴文峰徐乐王传伟付佳斌
关键词:高斯脉冲雪崩三极管MARX电路脉冲源高重频
一种用于高温环境的硅基光触发多门极半导体开关芯片
本发明公开了一种用于高温环境的硅基光触发多门极半导体开关芯片,所述硅基光触发多门极半导体开关芯片包括依次形成的阴极电极、PN结结构和阳极电极,所述PN结结构为N<Sup>+</Sup>PN<Sup>‑</Sup>NP<S...
栾崇彪刘宏伟袁建强王凌云付佳斌何泱徐乐李洪涛谢卫平
文献传递
共3页<123>
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