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张广华

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：广西大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇导体
  • 3篇稀磁半导体
  • 3篇半导体
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻炉
  • 2篇真空封装
  • 2篇三元合金
  • 2篇三元合金相图
  • 2篇稀土
  • 2篇相图
  • 2篇箱式电阻炉
  • 2篇金相
  • 2篇金相图
  • 2篇混匀料
  • 2篇合金
  • 2篇合金相
  • 2篇合金相图
  • 2篇封装
  • 1篇相关系
  • 1篇RE

机构

  • 3篇广西大学

作者

  • 3篇张广华
  • 2篇湛永钟
  • 2篇马建波

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
稀土掺杂Sn-Te基稀磁半导体高致密度块体材料的制备方法
一种制备稀土掺杂Sn-Te基高致密度块体稀磁半导体材料的方法，采用的原料组分及用量(重量份)为：稀土元素1～10，金属Sn 40～47，金属Te 50～52，按所述原料组分及用量制备所述稀磁半导体材料的方法是：依据稀土-...
湛永钟马建波张广华
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RE(RE=Ce，Nd，Pr，Dy)-Sn-Te体系稀磁半导体材料的制备及相关系研究
本文探索研究了稀土(RE)掺杂SnTe基稀磁半导体材料的制备工艺,及RE(RE=Ce,Nd,Pr,Dy)-Sn-Te体系富Te角相关系。本实验综合利用了高频炉、箱式高温电阻炉及粉末冶金的合成工艺成功制备了RE-Sn-Te...
张广华
关键词：稀磁半导体相关系X射线衍射分析
文献传递
稀土掺杂Sn－Te基稀磁半导体高致密度块体材料的制备方法
一种制备稀土掺杂Sn－Te基高致密度块体稀磁半导体材料的方法，采用的原料组分及用量(重量份)为：稀土元素1～10，金属Sn 40～47，金属Te 50～52，按所述原料组分及用量制备所述稀磁半导体材料的方法是：依据稀土－...
湛永钟马建波张广华
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