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张国辉

作品数:71 被引量:78H指数:5
供职机构:北京大学更多>>
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相关领域:理学核科学技术一般工业技术医药卫生更多>>

文献类型

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领域

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主题

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  • 7篇中子能谱
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作者

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传媒

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年份

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  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
71 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
快中子共振成像实验研究被引量:5
2008年
利用两次成像法对快中子共振成像进行研究。分别利用6.3 MeV和6.1 MeV快中子对石墨、铜、铝构成的样品进行成像,经图像处理后,消除铜和铝的影像而获得了碳元素的分布图像。
邹宇斌唐国有胥建国郭利安张国辉
关键词:中子照相
中国散裂中子源反角白光中子束流参数的初步测量被引量:7
2019年
中国散裂中子源(CSNS)已于2018年5月建设完工,随后进行了试运行.其中的反角白光中子束线(Back-n)可用于中子核数据测量、中子物理研究和核技术应用等多方面的实验.本文报道对该中子束的品质参数测量实验过程以及最终实验结果.实验主要采用中子飞行时间法,利用^(235)U,^(238)U裂变室和~6Li-Si探测器测量了中子能谱和中子注量率,又利用闪烁体-互补金属氧化物半导体探测系统测量了中子束斑的剖面,得到了该束线的初步实验测量结果.其中白光中子的全能谱测量范围eV—100 MeV,给出了不确定度分析;给出了中子注量率两个实验厅位置的满功率值;给出了白光中子在直径60 mm情况下的全能区束斑.通过与模拟结果的比较探讨了以上结果的合理性,并提出了改进计划.这些实验结果为以后该束线的核数据测量和探测器标定实验奠定了基础.
鲍杰陈永浩张显鹏栾广源任杰王琦阮锡超张凯安琪安琪曹平陈琪萍曹平陈琪萍程品晶封常青樊瑞睿郭凤琴韩长材封常青顾旻皓何泳成郭凤琴黄翰雄韩长材韩子杰贺国珠何泳成江浩雨蒋伟黄翰雄黄蔚玲康明涛兰长林李波李论李强敬罕涛李阳康玲刘荣康明涛刘星言兰长林李波聂阳波齐斌斌李强孙虹李晓孙志嘉谭志新唐洪庆刘荣王鹏程刘树彬王艳凤王朝辉王征聂阳波温中伟宋朝晖孙虹
关键词:中国散裂中子源
应用屏栅电离室测量^(16)O(n,α)^(13)C反应的模拟研究
2024年
基于Geant4建立了一套利用屏栅电离室测量^(16)O(n,α)^(13)C反应的模拟方法,能预测不同入射中子能量、不同屏栅电离室结构、不同工作气体和样品参数等实验条件下屏栅电离室测量到的阴极-阳极幅度2维谱。为了验证该模拟方法的可靠性,在北京大学4.5 MV静电加速器上开展了实验,实验所用的中子能量为5.06 MeV,工作气体为0.3 MPa的Ar与体积分数为3.45%CO 2组成的混合气体(其中的氧作为待测样品)。实验测得了屏栅电离室的阴极阳极幅度2维谱,且模拟与实验结果吻合较好。基于此模拟方法提出了一套实验条件的优化方案,可为下一步在宽能区精确测量^(16)O(n,α)^(13)C反应截面提供参考。
夏聪胡益伟刘杰邬泽鹏白浩帆任文凯陈金象张国辉
关键词:GEANT4屏栅电离室截面测量
一种中子核反应截面测量中减小中子能量误差的方法
本发明公布了一种中子核反应截面测量中减小中子能量误差的方法。针对中子核反应截面测量的结果(例如反应产物的计数和能谱)是由多种能量的中子叠加贡献的问题,本发明利用实际测量得到的中子能谱,通过迭代的方法,将由多种能量的中子共...
江浩雨白怀勇张国辉崔增琪胡益伟刘杰
文献传递
薄膜样品中^(10)B原子核数的实验测量被引量:1
2007年
采用北京大学4.5 MV静电加速器D(d,n)反应产生快中子,通过厚石蜡对中子进行慢化。以6LiF薄膜为标准样品(其中6Li原子核数目已知),使用背对背双屏栅电离室作为带电粒子探测器,同时探测热中子与6Li以及热中子与10B反应产生的t和a粒子。采用相对测量法,得到了待测薄膜样品中10B的原子核数。
张国辉陈金象曹荣太薛志华
关键词:屏栅电离室
^(40)Ca(n,α)^(37)Ar反应的测量
1999年
快中子核反应数据,不论对反应堆的设计,还是对核反应机制和核结构的研究及其理论的发展均有着重要的意义。由于屏栅电离室的诸多特点,被用于快中子核反应截面、能谱及双微分截面的测量。作为系统研究的一部分,文章利用屏栅电离室在北京大学4.5MV静电加速器上对薄Ca靶的(n,α)反应进行测量,得到5MeV和6MeV时的40Ca(n,α0)37Ar、40Ca(n,α1,2)37Ar的角分布和反应截面,同时给出总截面及微分能谱。实验结果表明40Ca(n,α)37Ar的角分布大致关于90°对称,说明在此能区,复合核反应机制起主要作用。
张雪梅陈泽民唐国有唐国有
关键词:反应截面角分布核反应快中子
快中子64Zn(n,α)61Ni反应微分截面实验测量
由于Zn(n,α)Ni 反应的剩余核是稳定的,不能用通常的活化法来测量,致使该反应截面实验数据缺乏。利用双屏栅电离室作为带电粒子探测器,在 En=2.54,4.00,5.03,5,50与5.95 MeV 五个能点,对Zn...
张国辉郭利安张家国曹荣太陈金象Yu.M.GledenovM.SedyshevaG.Khuukhenkhuu3
关键词:快中子微分截面截面
文献传递
混合压片型241AmO2-Be中子源物理特性研究被引量:1
2013年
Am-Be中子源是应用广泛的同位素中子源,国际上为其建立了ISO 8529-1推荐标准。为检验该标准的普适性和各种应用的需求,本文以德国PTB实验室ISO源和北京大学核物理与核技术国家重点实验室的国产同类源为例,对源中子从产生到出射的物理过程进行蒙特卡罗模拟和理论计算。综合评述了源的制作和结构差异等因素对源中子能谱、平均能量、1.5 MeV以下中子的份额、源强、源发射4.438MeVγ射线与中子的强度比和出射中子的各向异性等源自身物理特性的细致影响。
李永明陈金象张国辉樊铁栓
关键词:中子能谱蒙特卡罗模拟
Ar+CH_4混合气体中电子漂移速率的双栅法测量
2008年
提出了一种快速、准确测量电子在气体中漂移速率的新方法。通过分析电子在双栅电离室中两个栅极上产生的感应信号波形来确定电子漂移的起止时刻,从而得出电子在一定约化场强下的漂移速率。采用数据采集卡(waveform digitizer)对电离室的极板信号进行记录。测量了电子在8种混合比例的Ar+CH4气体中漂移速率随约化场强的变化曲线。通过分析实验数据,得到任意混合比例的Ar+CH4气体中电子漂移速率的计算公式。
张家国张国辉陈金象
关键词:数据采集卡
氘氘加速器中子源快中子照相初步实验
快中子成像具有穿透深度大、轻元素敏感的特点;使用氘氘加速器中子源获得的准单能快中子进行成像能获得更高的材料分辨力。本工作基于北京大学4.5MV静电加速器,使用氘束轰击氘气体靶获得产额约109n/s的准单能快中子;并分别使...
邹宇斌裴宇阳郭之虞唐国有胥建国郭纪美张国辉郭利安
关键词:快中子中子照相数字成像
文献传递
共7页<1234567>
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