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张华伟

作品数:16 被引量:49H指数:3
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:上海市科委纳米专项基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇理学
  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇导体
  • 6篇稀磁半导体
  • 6篇半导体
  • 5篇磁性
  • 4篇溅射
  • 4篇ZNO基稀磁...
  • 3篇电感耦合
  • 3篇氧化锌
  • 3篇氧化锌晶体
  • 3篇溶胶
  • 3篇凝胶法制备
  • 3篇纳米
  • 3篇晶体
  • 3篇溅射制备
  • 3篇ZNO
  • 3篇掺杂
  • 2篇单晶
  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度

机构

  • 16篇中国科学院

作者

  • 16篇张华伟
  • 15篇陈之战
  • 15篇施尔畏
  • 9篇刘学超
  • 8篇宋力昕
  • 3篇肖兵
  • 2篇范秋林
  • 1篇张涛
  • 1篇严成锋
  • 1篇李祥彪
  • 1篇李汶军
  • 1篇陈博源

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 6篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种电感耦合溅射制备稳定空穴型氧化锌薄膜的方法
本发明涉及一种电感耦合溅射制备稳定空穴型氧化锌薄膜的方法,属于半导体材料制备领域。本发明是利用电磁场约束电感耦合增强气相沉积系统,以氧化锌为溅射靶材,在工作气体氩气中通入氮气作为反应气,使溅射射频功率为100~300W,...
张华伟施尔畏陈之战
文献传递
籽晶辅助化学气相传输法生长ZnO单晶的特征研究被引量:1
2007年
采用籽晶辅助化学气相传输法生长得到φ32mm ZnO单晶体.X射线衍射表明晶体沿c轴方向生长。结晶质量较好,中心部位摇摆曲线半高宽47arcsec,边缘部分为78.4arcsec.利用Rainan谱、光致发光谱等研究了ZnO晶体退火前后的缺陷和光学性质,表明经氧气氛退火后晶体缺陷明显减少,晶体质量进一步提高.
张华伟施尔畏陈之战严成锋陈博源
关键词:氧化锌摇摆曲线拉曼光谱光致发光谱
锰掺杂氧化锌半导体材料制备与磁性研究
稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductor)材料作为未来自旋电子器件的基础材料,已受到普遍关注。稀磁半导体器件可作为一种光、电、磁功能集成器件。氧化锌(ZnO)是继氮化镓(GaN)后的一种光...
张华伟
一种过渡金属掺杂氧化锌晶体及其水热法生长方法
本发明涉及一种过渡金属掺杂氧化锌晶体及其水热法生长方法,属于属于晶体材料领域。本发明采用高纯ZnO或Zn(OH)<Sub>2</Sub>作前驱物,MnCl<Sub>2</Sub>,FeCl<Sub>2</Sub>,CoC...
张华伟施尔畏陈之战
文献传递
一种电感耦合溅射制备稳定空穴型氧化锌薄膜的方法
本发明涉及一种电感耦合溅射制备稳定空穴型氧化锌薄膜的方法,属于半导体材料制备领域。本发明是利用电磁场约束电感耦合增强气相沉积系统,以氧化锌为溅射靶材,在工作气体氩气中通入氮气作为反应气,使溅射射频功率为100~300W,...
张华伟施尔畏陈之战
文献传递
电磁场约束电感耦合溅射制备ZnO基稀磁半导体薄膜的方法
本发明利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法,以Co为磁性掺杂源,以Al为施主掺杂源制备(Co,Al)共掺杂的ZnO薄膜。制备过程采用Zn<Sub>1-x-y</Sub>Co<Sub>x</Sub>Al<Sub>y</...
刘学超施尔畏陈之战张华伟范秋林宋力昕
文献传递
ZnO基稀磁半导体薄膜材料研究进展被引量:13
2006年
稀磁半导体(DMSs)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景.本文对近几年来ZnO 基稀磁半导体薄膜材料研究进展作一综述,对研究热点和存在问题作一评价,提出解决的思路,最后对DMSs器件的潜在应用作简单介绍.
刘学超施尔畏张华伟宋力昕陈之战
关键词:ZNO稀磁半导体过渡金属
ZnO基稀磁半导体纳米材料制备及性能研究
陈之战施尔畏李汶军肖兵李祥彪张涛张华伟刘学超
该项目是上海市科委纳米专项,通过控制磁性离子的掺杂实现了ZnO从无磁性的半导体材料转变为具有铁磁性半导体材料(DMS)。在原子、分子或纳米尺度上,实现对无缺陷ZnO基DMS材料(量子点、纳米线(棒)纳米带)的尺寸、形状、...
关键词:
关键词:纳米材料稀磁半导体氧化锌
溶胶凝胶法制备Co掺杂ZnO稀磁半导体及其磁性研究
采用溶胶凝胶方法在相同的条件下制备了Zn0.95Co0.05O薄膜和粉体,磁性测试结果表明,Zn0.95Co0.05O粉体在5 K温度下表现为顺磁性,相同温度下的Zn0.95Co0.05O薄膜却表现出铁磁性特征,其矫顽力...
刘学超施尔畏陈之战张华伟宋力昕
关键词:ZNO磁性
文献传递
磁约束电感耦合等离子体增强溅射沉积Co掺杂ZnO薄膜及其光学特性被引量:4
2006年
采用磁约束电感耦合等离子体增强溅射法(ICP-PVD)在Si(100)和石英玻璃衬底上沉积了Zn0.95Co0.05O薄膜。XRD谱显示薄膜具有较强的(002)衍射峰,表明Zn0.95Co0.05O薄膜为c轴择优取向生长;透过光谱显示Zn0.95Co0.05O薄膜具有良好的透过性,其在可见光和红外波段的平均透过率大于80%,吸收光谱表明Co2+取代了Zn2+处于四配位晶体场中;喇曼光谱证明Zn0.95Co0.05O薄膜具有良好的六方纤锌矿结构;室温PL谱测量发现在可见光的蓝光波段和绿光波段存在较宽的发光带,却没有发现本征的近紫外光发射,这是由于Co掺杂后引入较多的缺陷导致的。
刘学超施尔畏陈之战张华伟宋力昕
关键词:ZNO薄膜CO掺杂溅射沉积光学特性
共2页<12>
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