张军峰
- 作品数：16 被引量：7H指数：2
- 供职机构：北京印刷学院印刷与包装工程学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学机械工程金属学及工艺更多>>
- 大气压离子枪制备类金刚石薄膜的光谱诊断研究
- 在大气压下,以Ar为辅助气体,CH4为反应单体,利用发射光谱对介质阻挡放电(DBD)等离子枪制备类金刚石的甲烷等离子体的活性粒子进行光学发射特征的原位诊断并由此分析了制备类金刚石过程中甲烷可能的离解过程。通过对检测到的等...
- 张军峰边心超陈强张跃飞刘福平
- 关键词：发射光谱类金刚石电子温度
- 文献传递
- 二氧化硅高阻隔薄膜制备的质谱诊断及性能研究被引量：2
- 2008年
- 采用40kHz中频脉冲电源,利用电容耦合等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体、氧气为反应气体,氩气为辅助气体,在PET薄膜表面沉积应用于透明高阻隔包装的氧化硅薄膜,并对其进行研究。为了了解氧化硅的形成机理,通过四极杆质谱仪对等离子体放电的气相中间产物及活性粒子进行了原位检测;而通过傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)及原子力显微镜(AFM)对沉积薄膜进行化学组成及表面形貌分析表征,探讨了沉积过程中等离子体气相粒子的产生和反应对薄膜特性的影响。
- 张军峰陈强张跃飞刘福平
- 关键词：氧化硅质谱透氧率原子力显微镜
- 无机氧化硅薄膜制备的原位诊断及薄膜特性研究
- 2009年
- 采用23kHz脉冲电源,以六甲基二硅氧烷(HNDSO)为单体,氧气为反应气体,氩气为辅助气体,利用平行板式电容耦合等离子增强化学气相沉积装置在PET基底上制备高阻隔无机氧化硅薄膜。通过等离子发射光谱及四极杆质谱仪的实时在线诊断,对等离子体中的中间产物及活性物种进行检测。沉积薄膜的化学结构采用傅里叶变换红外光谱仪进行分析,同时测量了所制备薄膜的透氧率。结果表明,随着氧气含量的增加,等离子体中的碳氢化合物及氧化物含量增加,这说明,此时等离子体中存在较强的碳氢化学反应及氧化反应。在氧气含量较高时,薄膜有机成分较少,属于无机氧化硅薄膜。薄膜透氧率测量显示,在氧气与单体比率为50%时达到最小值1.71cc·m^(-2)·day^(-1)·atm^(-1)。
- 张军峰陈强刘福平刘忠伟
- 关键词：氧化硅薄膜质谱发射光谱傅里叶变换红外光谱透氧率
- 等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜的质谱诊断研究
- 以六甲基二硅氧烷（（CH3）3-Si-O-Si-（CH3）3，HMDSO）为单体，在等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜过程中，研究引起薄膜生长的前驱体、中间产物及活性自由基或分子。通过四极杆质谱仪对气相中的中间产物及活...
- 张军峰陈强张跃飞刘福平刘忠伟
- 关键词：氧化硅薄膜薄膜生长等离子增强化学气相沉积
- 文献传递
- 无机氧化硅薄膜制备的原位诊断及薄膜特性研究
- 采用23kHz脉冲电源,以六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体,氧气为反应气体,氩气为辅助气体,利用平行板式电容耦合等离子增强化学气相沉积装置在PET基底上制备高阻隔无机氧化硅薄膜。通过等离子发射光谱及四极杆质谱仪的实时在...
- 张军峰陈强刘福平刘忠伟
- 关键词：氧化硅薄膜质谱发射光谱傅里叶变换红外光谱透氧率
- 文献传递
- 二氧化硅高阻隔薄膜制备的质谱诊断及性能研究
- 采用40KHz中频脉冲电源，利用电容耦合等离子体增强化学气相沉积(PECVD）技术，以六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体、氧气为反应气体，氩气为辅助气体，在PET薄膜表面沉积应用于透明高阻隔包装的氧化硅薄膜，并对其进行研...
- 张军峰陈强张跃飞刘福平
- 关键词：氧化硅薄膜原子力显微镜化学气相沉积
- 文献传递
- 等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜的质谱诊断研究
- 以六甲基二硅氧烷[(CH3)3-Si-O-Si-(CH3)3，HMDSO]为单体，在等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜过程中，研究引起薄膜生长的前驱体、中间产物及活性自由基或分子。通过四极杆质谱仪对气相中的中间产物及活...
- 张军峰陈强张跃飞刘福平刘忠伟
- 关键词：化学气相沉积氧化硅薄膜薄膜生长
- 文献传递
- 无机氧化硅薄膜制备的原位诊断及其特性研究
- 采用23 KHz 功率电源,以六甲基二硅氧烷为单体,氧气为反应气体,氩气为辅助气体,利用平行板式电容耦合等离子增强化学气相沉积装置在 PET 基底上制备高阻隔无机氧化硅薄膜。制备薄膜过程中改变不同的工艺参数,氧气与单体比...
- 张军峰陈强张跃飞刘福平刘忠伟
- 文献传递
- 大气压下甲烷等离子枪的光谱诊断研究被引量：2
- 2009年
- 以甲烷为反应气体,氩气为辅助气体,通过大气压介质阻挡放电等离子枪,制备纳米类金刚石。在此过程中,利用发射光谱对甲烷等离子体中产生的活性粒子进行光学发射特征的原位诊断。通过对检测到的发射光谱谱图的研究,证实了CH、C2、Hα等自由基粒子的存在,研究了不同的实验参数,如放电电压和气体流量对CH活性粒子发射强度的影响,并由此分析了甲烷可能的离解过程,同时计算了不同条件下的电子温度。结果表明,随着输入电压及CH4流量的增加,CH自由基的发射强度随之增加。根据掺入甲烷的Ar原子谱线计算出电子温度,其范围在0.4eV～0.6eV之间,而且随着输入电压及气体流量的增加而降低。
- 张军峰边心超陈强张跃飞刘福平
- 关键词：发射光谱甲烷电子温度
- 氧化硅薄膜制备的等离子体在线诊断
- 本论文在氧化硅薄膜沉积过程中,采用残余气体分析质谱仪,等离子发射光谱仪及朗缪尔静电探针等诊断设备,对以六甲基二硅氧烷（HMDSO）为单体,氧气为反应气体,Ar为辅助气体沉积制备无机氧化硅薄膜的反应过程,进行实时在线诊断。...
- 张军峰
- 关键词：氧化硅等离子体发射光谱反应机理
- 文献传递
