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廖飞

作品数：27 被引量：7H指数：2
供职机构：重庆理工大学更多>>
发文基金：重庆市科技攻关计划国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 7篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 8篇测量系统
  • 6篇液位
  • 6篇液位测量
  • 5篇液位测量系统
  • 5篇二极管
  • 5篇非接触
  • 5篇非接触式
  • 3篇读数系统
  • 3篇杨氏模量
  • 3篇氧化镓
  • 3篇异质结
  • 3篇异质结二极管
  • 3篇腔体
  • 3篇拉力计
  • 3篇拉伸法
  • 3篇夹持
  • 3篇光发射
  • 3篇测量仪
  • 2篇氧化镍
  • 2篇液位检测

机构

  • 27篇重庆理工大学
  • 1篇第三军医大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇重庆市北碚区...

作者

  • 27篇廖飞
  • 10篇龚恒翔
  • 6篇梁霄
  • 5篇黄旋
  • 5篇张锋
  • 4篇蒲利春
  • 3篇彭川黔
  • 2篇冯文林
  • 2篇陶传义
  • 2篇阴素芹
  • 1篇邓玲
  • 1篇杨晓占
  • 1篇谢瑛珂
  • 1篇魏鹃
  • 1篇莫增
  • 1篇王灿
  • 1篇张力
  • 1篇李建

传媒

  • 2篇中国科技信息
  • 2篇重庆理工大学...
  • 1篇微型机与应用
  • 1篇电子产品世界
  • 1篇大学物理实验

年份

  • 6篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种激光测距仪及其光学收发系统、接收透镜
本发明公开了一种激光测距仪及其光学收发系统、接收透镜，其特征在于：接收透镜为由非球面部分的主镜和球面部分的副镜组成的复合透镜，所述副镜设置在所述主镜的非球面接收面上且远离所述主镜的轴心。本发明可以极大地缩小近距离探测盲区...
冯文林王观静芸廖飞杨晓占
非接触式液位测量系统和方法
本发明公开了一种非接触式液位测量系统和方法，合页3侧壁垂直固定样品管夹持臂一端，所述样品管夹持臂另一端设置夹持端头，所述夹持端头紧固夹持样品管1，所述合页3右扇叶21安装光发射腔体6，所述合页3左扇叶20安装CCD接收腔...
龚恒翔廖飞
文献传递
一种高耐压低漏电的Ga2O3肖特基势垒二极管
本发明公开了一种高耐压低漏电的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>肖特基势垒二极管，包括位于底部的阴极电极，位于所述阴极电极上部的衬底，位于所述衬底上部的漂移层，其特征在于：在所述漂移层的背离衬底面设置...
廖飞黄旋龚恒翔梁霄张超群
文献传递
季也蒙毕赤酵母尿酸酶突变体
季也蒙毕赤酵母尿酸酶突变体I260K、I260R、S96D、T241D、L246D、S96D/T241D、T241D/I260R、S96D/T241D/L246D与S96D/T241D/L246D/I260K，最适pH都...
廖飞汪佳琪张露瑶
文献传递
一种新型拉伸法杨氏模量测量仪器
本发明公开了一种新型拉伸法杨氏模量测量仪器，包括测量系统和读数系统，所述测量系统包括第一底盘、支柱、支柱下固定板、支柱上固定板、光杠杆以及上夹头和下夹头，还包括一顶联板、滑动联板、拉力计、螺杆以及两导向杆，所述顶联板通过...
蒲利春彭川黔张锋廖飞
非接触式液位测量系统
本发明提供了一种非接触式液位测量系统，包括光发射腔体和CCD接收腔体，所述光发射腔体具有光发射腔体出射准直狭缝，所述CCD接收腔体具有CCD接收腔体入射准直狭缝，当非接触式液位测量系统工作时，光发射腔体内发光体发出的光线...
廖飞龚恒翔梁霄
文献传递
非接触式液位测量系统和方法
本发明公开了一种非接触式液位测量系统和方法，合页3侧壁垂直固定样品管夹持臂一端，所述样品管夹持臂另一端设置夹持端头，所述夹持端头紧固夹持样品管1，所述合页3右扇叶21安装光发射腔体6，所述合页3左扇叶20安装CCD接收腔...
龚恒翔廖飞谢瑛珂李江华朱新才
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非接触式液位测量系统
本实用新型公开了一种非接触式液位测量系统，合页3侧壁垂直固定样品管夹持臂一端，所述样品管夹持臂另一端设置夹持端头，所述夹持端头紧固夹持样品管1，所述合页3右扇叶21安装光发射腔体6，所述合页3左扇叶20安装CCD接收腔体...
龚恒翔廖飞谢瑛珂李江华朱新才
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一种高耐压低漏电的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>肖特基势垒二极管
本发明公开了一种高耐压低漏电的Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>肖特基势垒二极管，包括位于底部的阴极电极，位于所述阴极电极上部的衬底，位于所述衬底上部的漂移层，其特征在于：在所述漂移层的背离衬底面设置...
廖飞黄旋龚恒翔梁霄张超群
文献传递
基于整个圆片的氧化镍/氧化镓异质结二极管及制备方法
本发明公开了基于整个圆片的氧化镍/氧化镓异质结二极管及制备方法，包括位于底部的阴极电极和位于顶部的阳极电极，以及位于阴极电极和阳极电极之间的半导体层，所述半导体层由底部至顶部包括n型高掺Ga<Sub>2</Sub>O<S...
何建锋黄旋廖飞
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