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康越

作品数:11 被引量:2H指数:1
供职机构:中国人民解放军总后勤部军需装备研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 7篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 4篇光致
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻薄膜
  • 2篇电阻浆料
  • 2篇性周期
  • 2篇氧化石墨
  • 2篇氧化石墨烯
  • 2篇隐身
  • 2篇荧光
  • 2篇荧光光谱
  • 2篇碳元素
  • 2篇陶瓷
  • 2篇硼元素
  • 2篇微波功率

机构

  • 9篇国防科学技术...
  • 3篇中国人民解放...

作者

  • 11篇康越
  • 8篇楚增勇
  • 4篇李义和
  • 4篇李公义
  • 4篇胡天娇
  • 4篇程海峰
  • 4篇蒋振华
  • 3篇黄献聪
  • 2篇蒋毅
  • 2篇郭亚飞
  • 2篇周永江
  • 2篇王璟
  • 2篇祖媛媛
  • 2篇李增刚
  • 2篇李效东
  • 2篇李伟
  • 2篇王庆春
  • 2篇李伟萍
  • 2篇马天
  • 1篇原博

传媒

  • 2篇材料导报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
具有容性周期结构的雷达吸波陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种具有容性周期结构的雷达吸波陶瓷,包括介质陶瓷材料构成的介质基层,介质基层上固接有周期性排列的多个锰酸锶镧电阻薄膜贴片,贴片排列成矩阵式结构并构成雷达吸波陶瓷的容性周期损耗层。该雷达吸波陶瓷的制备方法包括:...
程海峰周永江李增刚楚增勇康越
一种石墨烯/氮化硼层状复合材料及其制备方法
一种石墨烯/氮化硼层状复合材料及其制备方法,该复合材料呈膜状,石墨烯与氮化硼层层交替,比表面积为200~800m<Sup>2</Sup>/g,半导体带隙为0.5~5.0eV。本发明还包括石墨烯/氮化硼层状复合材料的制备方...
楚增勇康越蒋振华李公义胡天娇李义和王璟
文献传递
一种荧光光谱可调的无机光致发光材料及其制备方法
本发明提供一种荧光光谱可调的无机光致发光材料及其制备方法。所述无机光致发光材料由柠檬酸、硼酸和尿素为原料制备得到。其元素组成为:碳元素1~15wt%,硼元素16~43wt%,氮元素8~28wt%,氧元素21~45wt%,...
康越马天李伟黄献聪王庆春祖媛媛蒋毅李伟萍郭亚飞
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具有容性周期结构的雷达吸波陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种具有容性周期结构的雷达吸波陶瓷,包括介质陶瓷材料构成的介质基层,介质基层上固接有周期性排列的多个锰酸锶镧电阻薄膜贴片,贴片排列成矩阵式结构并构成雷达吸波陶瓷的容性周期损耗层。该雷达吸波陶瓷的制备方法包括:...
程海峰周永江李增刚楚增勇康越
文献传递
一种无机光致发光材料及其制备方法
一种无机光致发光材料及其制备方法,该无机光致发光材料呈白色或灰色粉末状,元素组成为:硼25-45wt%、碳1-20wt%、氮8-22wt%、氧30-50wt%,其中碳以单原子层石墨烯的形式存在。本发明还包括所述无机光致发...
楚增勇康越李公义蒋振华胡天娇李义和程海峰李效东
文献传递
一种石墨烯/氮化硼层状复合材料及其制备方法
一种石墨烯/氮化硼层状复合材料及其制备方法,该复合材料呈膜状,石墨烯与氮化硼层层交替,比表面积为200~800m<Sup>2</Sup>/g,半导体带隙为0.5~5.0eV。本发明还包括石墨烯/氮化硼层状复合材料的制备方...
楚增勇康越蒋振华李公义胡天娇李义和王璟
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基于氧化石墨烯的B-C-N-O杂化材料研究
石墨烯奇特的量子效应引起了科学界巨大的兴趣。作为二维单原子层,石墨烯属于零带隙半导体,导电性极好,对电磁波呈反射特性,因此吸收电磁波的能力受到限制。然而,硼、氮掺杂石墨烯,即石墨烯与氮化硼有机结合,能够生成带隙可调的B-...
康越
关键词:氧化石墨烯带隙结构电磁波吸收
一种无机光致发光材料及其制备方法
一种无机光致发光材料及其制备方法,该无机光致发光材料呈白色或灰色粉末状,元素组成为:硼25-45wt%、碳1-20wt%、氮8-22wt%、氧30-50wt%,其中碳以单原子层石墨烯的形式存在。本发明还包括所述无机光致发...
楚增勇康越李公义蒋振华胡天娇李义和程海峰李效东
文献传递
石墨烯衍生材料在忆阻器中的应用被引量:2
2013年
基于目前石墨烯在忆阻器中应用的最新研究进展,从石墨烯类忆阻器的基本结构出发,评述了石墨、氧化石墨烯、石墨烯在忆阻器中的应用方式,分析了石墨烯类阻变材料的阻变特性、阻变机理及界面势垒调节和电荷陷阱充放电两种模型,最后介绍了目前石墨烯衍生忆阻装置亟待解决的问题和发展方向。
康越楚增勇张东玖张朝阳
关键词:石墨烯氧化石墨烯
六方硼碳氮制备方法的研究进展
2015年
B-C-N材料的提出是由于氮化硼和碳材料具有特殊的优异性能,通过对不同结构B-C-N材料的研究发现,组成结构的差异导致其物理化学性能发生很大变化。其中,h-BCN由于其禁带宽度和半导体特性可调而尤为引人关注。h-BCN有平面和层状两种结构,基于目前两种结构的h-BCN制备方法的最新研究进展,简述了材料的结构、生长机理、性质和应用前景,分析了反应原料、温度和时间对h-BCN形成的影响,最后介绍了h-BCN亟待解决的问题和发展方向。
康越原博马天楚增勇黄献聪
关键词:石墨烯层状结构
共2页<12>
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