应贤炜
- 作品数：5 被引量：9H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制被引量：4
- 2016年
- 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。
- 应贤炜王建浩王佃利刘洪军严德圣顾晓春
- 关键词：L波段微波功率晶体管
- 比导通电阻2.3 mΩ·cm^(2)的650 V,200 A碳化硅功率MOSFET器件被引量：1
- 2022年
- 针对电动汽车、光伏、储能等战略性新兴产业对高可靠高效率碳化硅功率MOSFET器件的需求,开展了650 V碳化硅外延结构、芯片JFET区尺寸和掺杂等关键技术研究,研制出比导通电阻2.3 mΩ·cm^(2)的650 V、200 A碳化硅MOSFET。器件在漏极电压900 V时,漏源漏电流小于1μA;在环境温度150℃、栅极偏置电压22 V的应力条件下,经过1000 h的高温栅偏可靠性试验,阈值电压正向漂移量小于0.3 V,显示出良好的稳定性。
- 李飞飞陈谷然应贤炜黄润华栗锐柏松杨勇
- 关键词：碳化硅功率MOSFET比导通电阻
- 千瓦级LDMOS大功率器件研制被引量：3
- 2014年
- 南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构，通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等，突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题，成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率器件。
- 王佃利李相光严德圣应贤炜丁晓明梅海刘洪军蒋幼泉
- 关键词：LDMOS千瓦级散热设计场板结构
- 千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究
- 2019年
- 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W硅LDMOS微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0.19℃/W。在50 V工作电压、230 MHz工作频率、脉宽为100μs、占空比为20%、输入功率为6 W的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23.5 dB,漏极效率74.4%,电压驻波比10∶1。该晶体管已实现工程应用。
- 黄乐旭应贤炜梅海丁晓明杨建王佃利
- 关键词：千瓦级微波功率晶体管
- 2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管被引量：3
- 2017年
- 针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率、100μs脉宽、20%占空比、18W输入功率的测试条件下,输出功率大于2 000 W,增益大于20.4dB,漏极效率大于66.2%,抗失配通过10∶1。
- 应贤炜王佃利李相光梅海吕勇刘洪军严德圣杨立杰
- 关键词：微波功率晶体管
