尹文
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
- 供职机构：上海交通大学微电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 嵌入式相变存储器的技术特点和研究现状被引量：2
- 2008年
- 从2001年Intel在IEDM发表第一篇相变存储器的论文以来,相变存储器的发展十分迅猛。相变存储器由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐射、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH和DRAM而成为未来半导体存储器主流产品。文中系统地介绍了嵌入式相变存储器的存储机理及其主要工作特点,从相变材料,器件结构,存储阵列等方面分析国内外研究现状,并讨论了器件失效与可靠性问题。
- 尹文程秀兰
- 关键词：相变存储器相变材料存储阵列
- 基于Ga-SbTe的高性能相变存储单元的设计和仿真被引量：1
- 2008年
- 相变存储器(PCM)因依靠电阻率的变化来存储的模式,成为65nm以下非易失存储器应用的研究热点。然而,相变存储器的擦写功耗、复位电压、热稳定性和擦写寿命一直是相变存储器发展的几个瓶颈。对此,设计了一种基于相变合金Ga3Sb8Te1的新型嵌入式相变存储器,并建立有限元(FEA)热学,结晶动力学和SPICE宏模型。通过瞬态热学和结晶动力学仿真表明,基于Ga3Sb8Te1的相变存储器具有更高的热稳定性和可循环擦写次数、更低的复位功耗,更快的置位频率,是一种较为理想的高性能相变存储器。
- 尹文程秀兰
- 关键词：相变存储器结晶动力学SPICE宏模型
- 基于镓掺杂Ga<Sub>3</Sub>Sb<Sub>8</Sub>Te<Sub>1</Sub>相变存储单元及其制备方法
- 一种微电子技术领域的基于镓掺杂Ga<Sub>3</Sub>Sb<Sub>8</Sub>Te<Sub>1</Sub>相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括：硅衬底、上下电极、加热层、相变材料和绝缘介质层，所述相变材...
- 程秀兰尹文顾怀怀
- 文献传递
- 基于Ga-SbTe的高性能相变存储器的设计与仿真
- 相变存储器(Phase Change Memory, PCM)利用的是材料晶态时低阻与非晶态的高阻特性来实现逻辑存储的一种技术,是最有可能在45nm以下技术代取代SRAM、DRAM和Flash等当今主流产品而成为未来商用...
- 尹文
- 关键词：相变存储器结晶动力学电路模拟
- 文献传递
