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中等口径KDP晶体的生长被引量：2: 1994年; 本文论述中等口径ＫＤ＊Ｐ晶体的生长方法。对如何减少晶体中的缺陷进行了深入的研究，生长出１１６×１１８ｍｍ￣２，重３３００ｇ的高质量的ＫＤ＊Ｐ大单晶。; 官月英张秀珠; 关键词：KDP 晶体生长

生长磷酸二氘钾单晶的恒温培养槽: 本实用新型用于磷酸二氘钾(化学式KD<Sub>2</Sub>PO<Sub>4</Sub>简称DKDP)单晶生长。它是由用塑料板焊接而成带有前后两个观察窗的圆形槽、内套一个玻璃培养缸组成的。外槽注入水作介质，配有一个带液封...; 官月英颜明山张秀珠曾金波林一德; 文献传递

用正电子湮没寿命谱学法研究DKDP单晶缺陷形成机理被引量：1: 1992年; 本文首次用正电子湮没寿命谱学法研究 DKDP 单晶生长缺陷形成的机理,说明了正电子湮没技术是检测离子型晶体缺陷的有力手段。; 史子康官月英; 关键词：DKDP晶体正电子湮没

提高LBO晶体薄膜质量的方法: 官月英; 关键词：LBO晶体光学薄膜

LBO晶体加工研究被引量：6: 1997年; ＬＢＯ晶体具有优异的光学质量，极高的激光损伤阈值和紫外透过能力，也具有良好的倍频效应。是具有应用价值的新紫外倍频晶体。但由于ＬＢＯ晶体的热膨胀系数在各面有严重的差异（αｘ＝１０．８×１０－５／Ｋ，αｙ＝－８．８×１０－５／Ｋ，αｚ＝３．４×１０－５／Ｋ），这给晶体的加工造成困难，其表面的切割、研磨、抛光等加工质量将直接影响器件的质量和使用寿命。加工的工序为定向切割、粗磨整形、研磨、抛光。由于晶体热膨胀各向差异悬殊，所以各道工序都应尽量减少因机械应力造成损伤。对切割工艺来说，应控制进刀速度，以及冷却油的温度问题，避免因速度太快而造成的“裂纹层”。粗磨除去表面由于切割遗留下的痕迹及损伤层，同时修正尺寸，使之表面平整光洁并达到预定的尺寸，注意器件的倒角。然后用较细磨料进行研磨，磨去以上工序留下的痕迹。在这个过程注意清洗的水温。抛光是晶体加工的关键工序，工艺性非常强，对于ＬＢＯ晶体研磨抛光过程出现的划痕是由于磨料不均匀或晶体本身的掉渣引起的，而在抛光过程出现的“细亮划痕”是由于抛光过程中机械作用太厉害造成的，也就是抛光时的压强和抛光盘的转速偏大、偏快，加上抛光液浓度太大造成的。另一方面，因为ＬＢＯ晶体各面的本身热膨?; 官月英; 关键词：非线性光学晶体晶体加工热膨胀系数

Gd_2O_3-MgF_2膜的正电子湮没研究: 2000年; 用 2 2 Na正电子湮没寿命谱学法检测石英片上 Gd2 O3Mg F2 膜 .阐明了正电子湮没参数和膜结构的关系 .; 官月英史子康; 关键词：正电子湮没膜结构

高质量与大口径KDP类型晶体的研制: 颜明山苏根博曾金波张秀珠官月英吴德祥贺友平黄炳荣林一德; 该项目属于激光高技术和非线性光学材料领域，是材料科学、晶体生长技术的一项成果。在激光核聚变系统中需要高质量(高激光能负载)，大口径的非线性光学晶体，KDP和DKDP晶体是目前激光核聚变唯一可用的非线性光学材料，而且KDP...; 关键词：; 关键词：非线性光学晶体大口径晶体生长

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官月英

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