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文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 6篇碲化铋
  • 5篇
  • 4篇纳米
  • 3篇热电材料
  • 2篇等离子体
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学法
  • 2篇亚硒酸
  • 2篇氧化性
  • 2篇液相
  • 2篇液相法
  • 2篇片状结构
  • 2篇气相法
  • 2篇氢离子
  • 2篇热导率
  • 2篇热电
  • 2篇热电薄膜
  • 2篇碲酸
  • 2篇离子
  • 2篇硫族化合物

机构

  • 13篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 13篇孙正亮
  • 12篇陈立东
  • 4篇刘付胜聪
  • 4篇江莞
  • 4篇陈喜红
  • 4篇周燕飞
  • 4篇陈吉堃
  • 3篇黄向阳
  • 3篇赵德刚
  • 3篇李菲
  • 2篇刘新玲
  • 2篇高彦峰
  • 2篇熊震
  • 1篇史啸亚
  • 1篇王丽
  • 1篇侯小伟
  • 1篇陈立东

传媒

  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
锗相的存在对Sr8Ga16Ge30clathrates结构热电材料性能的影响
无机clathrate结构化合物是非常有前景的热电材料。在镓取代的锗基clathrate结构热电材料的合成中,普遍存在锗的第二相。本研究合成了多晶Sr8Ga16Ge30 clathrates结构热电材料。用X射线衍射结合...
王丽赵德刚侯小伟史啸亚孙正亮江莞陈立东
关键词:N型半导体热电性能性能指标
一种采用电化学法制备层片合金热电材料的方法及其材料
本发明提供一种采用电化学方法制备层片合金热电材料的方法,包括采用电化学方法制备层片合金热电材料纳米粉体、纳米/微米复合碲化铋基热电材料,以及锂插层碲化铋基热电材料化合物。
陈立东陈吉堃周燕飞孙正亮
文献传递
SPS烧结制备高性能纳米复合碲化铋基热电材料
<正>本文中我们用SPS烧结的方法得到了不同γ-Al2O3含量的致密碲化铋基热电材料。我们研究了γ-Al2O3的加入对材料微结构和热电性能的影响。通过研究,我们发现加入的γ-Al2O3纳米粒子主要分布在晶界位置,也有少量...
李菲黄向阳陈立东孙正亮江莞
文献传递
一种金红石相二氧化钒的制备方法
本发明涉及一种金红石相二氧化钒的制备方法,包括以下步骤:1)将碱金属元素Li插入具有层片状结构的V<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>的C轴层间,控制Li的插层量至2molLi/1molV<Sub>2</S...
陈立东高彦峰陈吉堃孙正亮刘新玲周燕飞
一种高性能热电复合材料及其制备方法
本发明涉及一种高性能热电复合材料及其制备方法,属于热电材料领域。所述复合材料由两相组成,第一相为n型的Bi<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>-Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>或p...
江莞李菲陈立东黄向阳孙正亮
文献传递
一种铋基硫族化合物热电薄膜的制备方法
本发明属于热电材料领域,尤其涉及一种利用液相气相辅助法制备铋基硫族化合物热电薄膜的方法。所述方法首先利用液相法制备单质铋薄膜,然后以该铋薄膜为模板,以硫族元素单质为原料之一,通过气相传输工艺制得相应的铋基硫族化合物薄膜。...
陈立东孙正亮陈喜红刘付胜聪
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一种铋基硫族化合物热电薄膜的制备方法
本发明属于热电材料领域,尤其涉及一种利用液相气相辅助法制备铋基硫族化合物热电薄膜的方法。所述方法首先利用液相法制备单质铋薄膜,然后以该铋薄膜为模板,以硫族元素单质为原料之一,通过气相传输工艺制得相应的铋基硫族化合物薄膜。...
陈立东孙正亮陈喜红刘付胜聪
一种铋基储氢材料及其制备方法
本发明涉及一种铋基(硒化铋、碲化铋)储氢材料及其制备方法,它是关于铋基材料的低温液相合成及其在储氢、储锂和电极材料上的运用。其特征是以水为溶剂,以铋盐如硝酸铋、氯化铋等为铋源,以水溶性的碲(硒)酸盐(如亚碲酸钠、硒代硫酸...
陈立东孙正亮刘付胜聪陈喜红赵德刚熊震
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一种高性能热电复合材料及其制备方法
本发明涉及一种高性能热电复合材料及其制备方法,属于热电材料领域。所述复合材料由两相组成,第一相为n型的Bi<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>-Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>或p...
江莞李菲陈立东黄向阳孙正亮
一种金红石相二氧化钒的制备方法
本发明涉及一种金红石相二氧化钒的制备方法,包括以下步骤:1)将碱金属元素Li插入具有层片状结构的V<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>的C轴层间,控制Li的插层量至2molLi/1molV<Sub>2</S...
陈立东高彦峰陈吉堃孙正亮刘新玲周燕飞
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共2页<12>
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