孙文红
- 作品数：10 被引量：17H指数：2
- 供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 固体C_(70)/GaAs接触的界面态及整流特性
- 2000年
- 在高真空系统中 ,将C70 膜淀积在 (1 0 0 )晶向n型和p型GaAs衬底上 ,形成固体C70 n GaAs和C70 p GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,它们的整流比分别大于 1 0 6和 1 0 4 ,以及在固定正向偏压下 ,它们的电流都是温度倒数的指数函数 ,从中确定了它们的有效势垒高度分别为 0 .784eV和0 .5 31eV。深能级瞬态谱 (DLTS)和C -t测量发现在C70 GaAs界面上存在一个电子陷阱E(0 .6 40eV)和一个空穴陷阱H3(0 .82 2eV) ,以及在近界面的固体C70 中存在两个空穴陷阱H4 (1 .1 5 5eV)和H5(0 .85 6eV)。
- 陈开茅孙文红武兰青张伯蕊吴恩孙允希乔永平
- 关键词：GAAS界面态
- 固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质被引量：4
- 1999年
- 本文通过在ＧａＮ衬底上生长固体Ｃ６０膜制成了Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ接触，并对其电学性质作了测量．我们发现该接触是理想因子接近于１的强整流接触异质结．在偏压为±１Ｖ时，其整流比高达１０６．在固定正向偏压条件下，异质结电流是温度倒数的指数函数，通过求激活能得出异质结的有效势垒高度为０．５３５ｅＶ．本文还发现，固体Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ样品中Ｃ６０的电导随着正向偏压的增加而迅速变大．这种现象被认为起因于ｎ－ＧａＮ对Ｃ６０的电子注入．
- 陈开茅孙文红秦国刚吴克李传义章其麟周锡煌顾镇南
- 关键词：氮化镓电学性质
- GaN材料生长研究被引量：9
- 1997年
- 用常压ＭＯＣＶＤ方法我们在蓝宝石（０００１）、Ｓｉ（１１１）衬底上，成功地制备出ＧａＮ单晶薄膜材料，取得了ＧａＮ材料的初步测试结果。纯度ＧａＮ为ｎ型，载流子浓度为１０１７～１０１８ｃｍ－３，迁移率为２００～３５０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，双晶衍射半峰宽为７′，室温ＰＬ光谱本征发光波长为３７０ｎｍ，并首次观察到掺ＺｎＧａＮ呈ｐ型电导。
- 章其麟孙文红刘燕飞毕书亮耿金花秦国刚
- 关键词：氮化镓发光二极管
- C_(70)/GaAs异质结的电学性质被引量：2
- 2001年
- 在高真空系统中 ,将 C70 膜淀积在 n-和 p- Ga As(10 0 )衬底上 ,制成 C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As两种接触 ,并对它们的电学性质作了研究 .结果发现两种接触均为强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As接触的整流比分别大于 10 6 和 10 4,并且它们的理想因子都接近于 1.当正向偏压固定时 ,它们的电流均是温度倒数的指数函数 ,从中确定两种异质结的有效势垒高度分别为 0 .784和 0 .5 31e V .用深能级瞬态谱 (DL TS)在 C70 / Ga As界面上观察到电子陷阱 E(0 .6 40 e V )和空穴陷阱 H3(0 .82 2 e V) ,以及用电容 -时间 (C- t)技术在固体 C70 中观测到两种空穴陷阱 H4(1.15 5 e V)和 H5 (0 .85 6 e V) .E(0 .6 40 e V)和 H3(0 .82 2 e V)的密度均小于 10 1 2 / cm2 ,可以得出结论 :固体 C70 对 Ga
- 陈开茅孙文红吴克武兰青周锡煌顾镇南刘鸿飞
- 关键词：光电性质砷化镓碳
- 注碳GaN的拉曼散射谱研究被引量：1
- 1999年
- 本文研究了离子注入碳的GaN材料的Raman光谱。观察到离子注入碳的GaN在800℃退火后其拉曼光谱在1350和1600cm-1处出现两个峰。分析指出它们很可能分别来自GaN的CN和C=C局域伸缩振动。
- 孙文红王孙涛段家忯陈开茅濮玉梅王敬秦国刚
- 关键词：GAN拉曼光谱碳发光器件
- 固体C_(70)/Si异质结的界面电子态被引量：1
- 2000年
- 用深能级瞬态谱和高频电容 -电压技术研究了固体 C70 /Si异质结的界面电子态 .研究结果表明在 C70 /Si的界面上明显存在三个电子陷阱 Eit1( 0 .1 94)、Eit2 ( 0 .2 62 ) ,Eit3( 0 .40 7)和一个空穴陷阱 Hit1( 0 .471 ) ,以及在 C70 /Si界面附近存在着固体 C70 的电子和空穴陷阱引起的慢界面态 .结果还表明 C70 膜的生长温度对 C70 /Si的电学性质有重大影响 ,2 0 0℃生长的 C70
- 陈开茅孙文红吴克武兰青周锡煌顾镇南卢殿通
- 关键词：异质结碳硅
- GaN中氢和碳等杂质及富勒烯/GaN异质结研究
- (1)首次采用了傅立叶变换红外掠角反射法研究 MOCVD生长的GaN材料中与氢和碳有关的各种局域振动模.(2)首次研究了伽玛射线辐照对GaN傅立叶变换红外掠角反射谱的影响.(3)利用Raman光谱和高分辨透射电子显微镜对...
- 孙文红
- 关键词：MOCVD复合物富勒烯异质结
- 用付利叶变换红外掠角入射反射方法研究GaN中的局域振动模
- 孙文红陈开茅秦国刚杨志坚李景童玉珍金泗轩张国义章其麟
- 关键词：GAN
- 固体C<,70>/GaAs接触的界面态及整流特性
- 在高真空系统中，将C<,70)膜淀积在(100)晶向n型和p型GaAs衬底上，形成固体C<,70>/n-GaAs和C<,70>/p-GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结，在偏压为±1V 时，它们的整流比分别...
- 陈开茅孙文红武兰青张伯蕊吴恩孙允希
- 关键词：砷化镓界面态
- 文献传递
- 碳在GaN中的形态
- 陈开茅孙文红武兰青张伯蕊乔永平吴恩
- 关键词：氮化镓汽相沉积
- 文献传递
