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姜良宝

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇氮化
  • 5篇氮化铝
  • 4篇金属
  • 4篇金属掺杂
  • 4篇晶体
  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇固体激光
  • 4篇固体激光器
  • 4篇过渡金属
  • 4篇过渡金属掺杂
  • 4篇掺杂
  • 3篇空位
  • 3篇光学
  • 3篇氮
  • 3篇磁学
  • 3篇磁学性质
  • 2篇形貌
  • 2篇热导率
  • 2篇晶体形貌

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇王文军
  • 8篇陈小龙
  • 8篇姜良宝
  • 8篇左思斌
  • 7篇李辉
  • 5篇鲍慧强
  • 5篇王军
  • 3篇金士锋
  • 3篇王刚

传媒

  • 1篇第十届全国X...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2009
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
氮空位对AIN光学与磁学性质的影响
@@六方纤锌矿结构是AIN最稳定、最常见的结构，同时AIN也是带隙宽度最大的氮化物半导体(带隙宽度约为6.2 eV)。由于具有很高的热导率、较低的介电常数、较高的机械强度及优良的化学稳定性，AIN及其合金在机械、电子、半...
姜良宝左思斌李辉金士锋王文军王刚陈小龙
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一种激光晶体及其制备方法和用途
本发明提供一种激光晶体及其制备方法和用途。该激光晶体为过渡金属掺杂的氮化铝，其化学式是：M<Sup>3+</Sup>:AlN，其中，M表示Cr、Mn、Fe、Co和Ni中的一种或几种，它们的摩尔掺杂比例分别为：Cr：0.0...
陈小龙姜良宝王文军左思斌鲍慧强李辉王军
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一种激光晶体及其制备方法和用途
本发明提供一种激光晶体及其制备方法和用途。该激光晶体为过渡金属掺杂的氮化铝，其化学式是：M<Sup>3+</Sup>:AlN，其中，M表示Cr、Mn、Fe、Co和Ni中的一种或几种，它们的摩尔掺杂比例分别为：Cr：0.0...
陈小龙姜良宝王文军左思斌鲍慧强李辉王军
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氮空位对AlN光学与磁学性质的影响
六方纤锌矿结构是AlN最稳定、最常见的结构，同时AlN也是带隙宽度最大的氮化物半导体(带隙宽度约为6.2eV)。由于具有很高的热导率、较低的介电常数、较高的机械强度及优良的化学稳定性，AlN及其合金在机械、电子、半导体照...
姜良宝左思斌李辉金士锋王文军王刚陈小龙
关键词：磁学性质氮化物半导体
一种利用物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法
本发明提供一种利用物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法，包括：对原料区和氮化铝籽晶加热，将原料区加热至生长温度，且在将原料区被加热至所述生长温度之前，至少在原料区到达1650℃以上之后，保持籽晶的温度大于等于原料区的温度；...
王文军左思斌陈小龙王军姜良宝鲍慧强
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一种氮化铝固体激光器及其制备方法
本发明公开了一种氮化铝固体激光器及其制备方法。所述氮化铝固体激光器，包括泵浦源和位于衬底上的工作物质，其中工作物质为由过渡金属掺杂的氮化铝制成的具有一维纳米结构的阵列，所述过渡金属掺杂的氮化铝的化学式为TM<Sup>3+...
陈小龙姜良宝王文军左思斌鲍慧强李辉王军
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一种氮化铝固体激光器及其制备方法
本发明公开了一种氮化铝固体激光器及其制备方法。所述氮化铝固体激光器，包括泵浦源和位于衬底上的工作物质，其中工作物质为由过渡金属掺杂的氮化铝制成的具有一维纳米结构的阵列，所述过渡金属掺杂的氮化铝的化学式为TM<Sup>3+...
陈小龙姜良宝王文军左思斌鲍慧强李辉王军
氮空位对AlN光学与磁学性质的影响
＜正＞六方纤锌矿结构是AlN最稳定、最常见的结构,同时AlN也是带隙宽度最大的氮化物半导体（带隙宽度约为6.2 eV）。由于具有很高的热导率、较低的介电常数、较高的机械强度及优良的化学稳定性,AlN及其合金在机械、电子、...
姜良宝左思斌李辉金士锋王文军王刚陈小龙
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