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姜健

作品数:5 被引量:9H指数:1
供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇金属
  • 3篇合金
  • 2篇正电子
  • 2篇正电子湮没
  • 1篇堆垛
  • 1篇堆垛层错
  • 1篇蠕变恢复
  • 1篇湮灭
  • 1篇钴合金
  • 1篇相变
  • 1篇力学性能
  • 1篇马氏体
  • 1篇马氏体相
  • 1篇马氏体相变
  • 1篇纳米晶合金
  • 1篇金属材料
  • 1篇金属合金
  • 1篇晶界
  • 1篇扩散
  • 1篇黑色金属合金

机构

  • 4篇中国科学院
  • 4篇中国科学院金...
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 5篇姜健
  • 3篇龙期威
  • 2篇朱洁
  • 1篇刘学东
  • 1篇邓文
  • 1篇邓洁
  • 1篇龙起易
  • 1篇蒋惠林
  • 1篇周先意
  • 1篇周新章
  • 1篇张修睦
  • 1篇胡壮麒
  • 1篇丁炳哲
  • 1篇熊良钺
  • 1篇王淑英

传媒

  • 2篇科学通报
  • 2篇核技术
  • 1篇第四届全国正...

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1990
  • 1篇1989
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
大角度晶界的正电子湮没研究被引量:1
1989年
从两态捕获模型出发,导出了正电子平均寿命与晶粒大小之间的关系,并且预言了晶界正电子饱和捕获效应的存在。在实验上,通过对Zn-22wt%Al合金大角度晶界正电子捕获效应的观察,验证了上述关系,并对大角度晶界正电子捕获效应的一般情况予以讨论。
周先意蒋惠林王淑英姜健龙期威
关键词:晶界正电子湮没金属
半导体中正电子向表面的扩散
1995年
考虑到半导体中内电场的存在对半无限介质和有限厚度薄膜中的正电子扩散过程,在各种边界条件下,利用δ函数法计算了正电子向表面扩散分数。这些结果为半导体多层复合结构中的慢正电子束实验结果的分析提供了理论基础。
姜健周新章朱洁龙期威
关键词:半导体
铁基纳米晶合金的界面缺陷结构及力学性能被引量:8
1994年
正电子寿命谱结果表明,在由非晶晶化法制备的大块纳米晶(晶粒尺寸为1—100nm)合金的界面处存在两类缺陷:自由体积型缺陷和纳米空洞.前者尺寸小于一个单空位,后者约为几个单空位大小,且通常位于几个晶界的交叉点处.两者相比,自由体积型缺陷是一种浅的捕获势,但其数量可占90%以上.值得注意的是随着晶粒的粗化,纳米空洞的尺寸和浓度将发生显著的变化.因此可以想象这种类型的缺陷将对纳米晶材料的界面结构及性能产生极大的影响.目前有关这方面工作的报道很少.
刘学东胡壮麒丁炳哲朱洁姜健
关键词:纳米晶合金黑色金属合金
Ni-Cr-Co高温合金回复行为的正电子湮没研究
邓文熊良钺姜健
关键词:蠕变恢复湮灭钴合金堆垛层错
马氏体相变的分形模型
1996年
近年来,马氏体相变(martensitic transformation,简称MT)的分形描述受到人们关注。Hornbogen用Sierpinski地毯描述一些合金的MT,但Sierpinski地毯在形态上与实际的微观结构相差较大。龙起易等提出一MT分形模型,可根据马氏体和奥氏(austenic)体晶粒尺寸的变化,算出其分维,但其形态仍未被实验证实。Wunderlich根据ZrO_2中MT经常看到的形态变化,提出一MT模型,但它不是分形。本文对Fe-29%Ni-0.16%C合金冷却过程中MT进行跟踪观察,在马氏体组态形貌变化的基础上,提出一MT分形模型。
邓洁龙起易龙起易姜健张修睦
关键词:马氏体相变分维金属材料合金
共1页<1>
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