唐政
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- (Ga,Mn)As稀磁半导体的杂质动力学模拟研究
- 2015年
- 结合第一性原理计算和动力学蒙特卡罗模拟研究了稀磁半导体(Ga,Mn)As中Mn杂质的沉积动力学规律。利用第一性原理计算和爬坡弹性带方法计算了Mn杂质的跃迁势垒和结合能,并把这些能量作为动力学蒙特卡罗模拟(Ga,Mn)As微观结构演化的输入数据。结果表明在外延生长退火下长时间的微观结构演化的背后机制是Ga空位调节Mn原子在Ga子晶格上进行扩散。这种扩散会导致Mn原子的聚集,进而降低了居里温度。此外,随着退火温度的升高Mn团簇聚集的速率也更快。在高温退火下容易导致相分离。
- 张玉光唐政
- 关键词：稀磁半导体掺杂
- 可用作量子比特的一种负价态V_(Si)O_N缺陷中心（英文）
- 2017年
- γ相Si_3N_4是一种超硬氮基化合陶瓷材料,在其尖晶石结构中硅原子分别占据四面体于八面体配位格点.基于第一性原理计算,研究了这种材料之中一种氧空位复合体V_(Si)O_N缺陷中心的不同价态下自旋极化的电子结构以及能量稳定性,其中该缺陷中心由四面体配位的硅空位复合紧邻替位氧原子而成.发现负一价态的该缺陷中心V_(Si)O_N^(-1)在p型主体材料中是较为稳定的存在,并满足净自旋S=1的基态三重态,以及低激发能量的自旋守恒跃迁.通过平均场近似,将其在绝对零度下的自旋相干寿命估计为0.4 s,室温下可达毫秒量级.因此理论上表明了V_(Si)O_N^(-1)缺陷中心是可用作量子比特的相干操控的潜在候选者.
- 沈宇皓唐政彭伟
- 关键词：第一性原理计算
- 直接带隙半导体系统中的磁相互作用
- 2012年
- 运用精确的量子蒙特卡洛技术,研究了直接带隙半导体系统(Haldane-Anderson模型)中的磁相互作用.精确的数值解揭示了两种截然不同的自旋关联函数,均没有显示出明显的RKKY振荡行为;并且随着不同参数的变化,自旋关联函数呈现相当复杂的多因素控制的显著特征.这些行为对于理解一些磁性的半导体系统会有很大帮助,例如,稀磁半导体等.
- 孙放唐政
- 关键词：RKKY
- Co掺杂CuAlO_2粉体磁性的讨论被引量：1
- 2012年
- 利用固态反应法合成了纯相的CuAlO2和过渡金属元素Co掺杂的CuAlO2样品。通过X射线衍射仪分析可知:未掺杂样品和1%(摩尔分数)Co掺杂的样品都是单相,其中没有CuO等杂相存在,而掺杂浓度分别为5%、10%和20%的样品中都出现了CuAlO2以外的杂相,这表明Co在CuAlO2粉体样品中的杂质固溶度一般低于5%。综合物性测试系统测得的与磁性有关数据表明:未掺杂及Co掺杂(1%)的纯相CuAlO2样品只具有顺磁性,而多相的Co掺杂样品从5～300K都没有表现出如第一性原理理论所预言的铁磁性,这说明样品中所掺入的Co离子只是具有局域磁矩的顺磁杂质中心,并不能形成长程的铁磁序,进一步表明基于第一性原理的理论计算可能高估了过渡金属磁性杂质在氧化物半导体这种关联体系中的铁磁耦合作用。
- 赵旭光唐政
- 关键词：掺杂磁性
- 一种Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法
- 本发明提供了一种Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法，具体步骤为在可溶性镉盐、可溶性锌盐、或可溶性汞盐的溶液中加入稳定剂后调节pH值至碱性，然后，在惰性气氛下，通入硒化氢气体，反应至所述溶液呈浅黄色透明，制得前躯体...
- 杨琴唐政孙放
- 文献传递
- 正电子湮没谱的理论计算及其在亚纳米尺度微结构研究中的应用
- 经过超过半个世纪的努力,正电子湮灭技术己发展成了固体材料中空位型缺陷(如空位、空位一杂质复合体、空位聚团等)的有力分析手段。然而,通常认为这一技术对材料中无缺陷的(defect-free)杂质、杂质团、杂质分离相并不敏感...
- 唐政
- 文献传递
- 一种高纯P型CuAlO<Sub>2</Sub>粉体的制备方法
- 本发明公开了一种高纯P型CuAlO<Sub>2</Sub>粉体的制备方法，将氧化铜和氧化铝充分混合研磨后，在1200摄氏度烧结，冷却到室温后置入稀酸溶液，充分搅拌；经充分的稀酸处理和去离子水的冲洗、干燥，得到蓝灰色的高纯...
- 赵旭光唐政孙放
- 文献传递
