吕雪芹
- 作品数：6 被引量：11H指数：2
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 纳米SiC薄膜制备及发光特性研究
- 于威路万兵王春生崔双魁张立吕雪芹
- 该项目对纳米SiC薄膜的制备和发光特性进行了较深入的研究，目的在于为新型SiC基光电子器件的制备探索提供了实验技术和理论基础。选择合适的制备技术，探索控制纳米SiC薄膜微结构的工艺条件，分析材料结构和物性的关系，探索纳米...
- 关键词：
- 关键词：碳化硅薄膜发光特性光电子器件
- ZnO纳米网状结构的制备被引量：1
- 2006年
- 采用热蒸发技术在镀金Si衬底上实现了ZnO纳米网状结构制备.利用扫描电子显微镜、X射线衍射及光致发光技术对ZnO纳米结构的形貌、晶态结构及发光特性进行了分析.结果表明,源材料ZnO和C的质量比为6∶1时有利于ZnO纳米网状结构的形成,该结构由一维纳米线和二维纳米片状结构组成.纳米网状结构主要由晶态ZnO组成.室温的光致发光谱分析结果显示,所制备的纳米ZnO网状结构呈现出了较强的紫外光发射的特征.
- 孙伟于威路万兵蔡淑珍张立吕雪芹许贺菊
- 碳化硅薄膜的光学特性研究被引量：5
- 2007年
- 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HW-PECVD)技术制备了纳米晶碳化硅(nc-SiC)薄膜,利用傅立叶红外吸收谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)、紫外-可见透射光谱(UV-Vis)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构、光学带隙、发光特性等进行了测量和分析.结果表明,所沉积薄膜主要以Si-C键合结构存在,薄膜中包含有立方结构的3C-SiC晶粒,光学带隙2.59 eV,室温下薄膜表现出强的可见蓝色光致发光,发光峰位随氙灯激发波长的增加呈现红移现象,并将此发光归因于量子限制效应作用的结果.
- 于威吕雪芹宋维才路万兵傅广生
- 关键词：SIC薄膜光学带隙光致发光
- 自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜的发光特性被引量：4
- 2006年
- 采用螺旋波等离子体辅助溅射技术制备了自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜,对两种不同类型掺杂薄膜的低温光致发光(PL)特性进行了研究。实验结果表明,二者均呈现出了较强的与受主能级相关的发光特征,自然掺杂薄膜的光致发光谱在404.0 nm处出现了由于锌空位产生的近带边发光,N-Al共掺杂薄膜的光致发光谱在383.0 nm处出现了N作为受主的施主-受主对(DAP)跃迁发光。两种薄膜的发光特性比较分析表明,N-Al共掺杂技术能够有效提高N的固溶度,N受主能级密度增加使薄膜表现出较强的施主-受主对跃迁发光,表明该技术为实现p型ZnO薄膜制备的有效方法。
- 傅广生孙伟吕雪芹王春生尹志会于威
- 关键词：光致发光
- 纳米碳化硅薄膜发光机制研究
- 本工作利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术,在单晶Si及Corning7059玻璃衬底上制备了纳米晶态3C-SiC薄膜,在微结构表征的基础上,深入探讨了薄膜的发光机制。通过傅立叶变换红外吸收光谱、Raman散射光谱、透...
- 吕雪芹
- 关键词：微结构发光机制动力学过程
- 文献传递
- 纳米非晶硅薄膜的界面发光特性被引量：1
- 2007年
- 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术沉积了不同氢稀释比的富硅氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并利用光致发光(PL)和光致发光激发(PLE)谱技术对其发光特性进行了研究.结果显示,所有样品发光均表现为两个带的叠加:一个发光带随氢稀释比增大而发生蓝移,另一个发光带则固定在2.9eV左右.前者关联于镶嵌在a-SiNx:H基质内非晶纳米硅颗粒的界面发光,后者来源于a-SiNx:H基质相关的局域态中电子和空穴对的辐射复合.并结合所沉积薄膜的吸收特性,分析了缺陷态和界面态对薄膜中非晶纳米硅界面发光特性的影响.
- 傅广生张江勇丁文革吕雪芹于威
- 关键词：PLPLE吸收谱
