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刘雪峰

作品数:27 被引量:62H指数:6
供职机构:华中理工大学光电子工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 27篇中文期刊文章

领域

  • 24篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程

主题

  • 18篇激光
  • 14篇放大器
  • 11篇光放大
  • 11篇光放大器
  • 10篇光纤
  • 10篇半导体
  • 9篇激光器
  • 8篇激光放大器
  • 7篇激光放大
  • 5篇单模
  • 5篇单模光纤
  • 5篇INGAAS...
  • 4篇行波半导体
  • 4篇量子阱混合
  • 4篇半导体光放大...
  • 4篇半导体激光
  • 4篇半导体激光器
  • 3篇增益
  • 3篇晶格
  • 3篇光纤放大

机构

  • 25篇华中理工大学
  • 2篇华中科技大学

作者

  • 27篇黄德修
  • 27篇刘雪峰
  • 9篇孙军强
  • 6篇黄晓东
  • 5篇李再光
  • 3篇任雪斌
  • 2篇刘德明
  • 2篇李宝红
  • 1篇黄志坚
  • 1篇虞国华
  • 1篇刘永红
  • 1篇李义飞
  • 1篇聂刚
  • 1篇何健
  • 1篇张新亮

传媒

  • 5篇光学学报
  • 5篇光通信技术
  • 3篇中国激光
  • 3篇华中理工大学...
  • 2篇Journa...
  • 2篇高技术通讯
  • 2篇光电子技术
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇光学技术
  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 3篇1999
  • 3篇1997
  • 3篇1996
  • 3篇1995
  • 7篇1994
  • 2篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1991
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
半导体光放大器型波长转换器及其小信号分析
1997年
本文重点讨论了一种新型的全光器件——波长转换器。从物理概念上分析了它的原理,并且在理论上进行小信号分析,得出有益的结论:当两束光同时入射半导体光放大器,若一束光有变化,会对另一束光进行不同程度的调制,这仅仅表征在幅度与相位上的变化。
任雪斌刘雪峰虞国华黄德修
关键词:半导体光放大器波长转换小信号分析放大器
SiO_2膜增强InGaAsP超晶格外延片的量子阱混合被引量:6
2000年
对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂质空位扩散 ( IFVD)技术的实验研究 ,测量光致发光谱后得到了最大 50 nm的峰值位置蓝移 ;表明在没有掺杂和没有应变的情况下 ,IFVD仍有较好的处理量子阱材料的能力 .对影响 IFVD工艺的重复性因素进行了探讨 .
黄晓东黄德修刘雪峰
关键词:超晶格材料INGAASP量子阱混合
光子吸收诱导无序技术的光荧光谱研究
2001年
运用 1 0 6 4μm连续输出的Nd∶YAG激光器 ,对与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料进行了光子吸收诱导无序 (PAID)技术的研究。通过光荧光谱 (PL)的测量 ,证明有量子阱混合现象产生。衬底预加热和聚焦激光束结果表明 ,PAID中辐照时间与衬底温度、辐照的平均功率密度密切相关。聚焦激光照射后的荧光双峰表明PAID有一定的定域处理能力。
黄晓东黄德修刘雪峰
关键词:ND:YAG激光器光荧光谱量子阱混合
InGaAsP四元系量子阱材料的热稳定性被引量:2
1999年
对与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料进行了一系列热稳定性能的研究,通过光荧光谱(PL)的测量发现:InGaAsP四元系量子阱材料在650 ℃以上的常规退火条件下有量子阱混合现象产生,而单量子阱结构较多量子阱或超晶格结构更容易产生量子阱混合.对单量子阱片进行快速退火处理后,荧光峰位置、峰宽无明显变化,表明量子阱混合的产生除了依赖于退火温度的高低,也与退火时间的长短密切相关.
黄晓东黄德修刘雪峰
关键词:INGAASP半导体热稳定性
前置光放大器实验研究
1995年
报道了在140Mb/S光通信端机上采用国产1.3μm低噪声半导体光放大器作为前置光放大器的研究结果。理论分析和实验表明,必须采用窄带光学滤波器滤除光放大器自发辐射引起的各种噪声。当光学滤波器为最佳带宽4nm,光放大器为最佳电流65mA时(此时增益为14dB),系统接收灵敏度改善5dB。前置光放大器噪声指数大约为3dB。
闵双全刘德明黄德修刘雪峰
关键词:光放大器光学滤波器激光放大器
全光纤激光器自启动锁模特性的理论研究被引量:1
1994年
分析了带非线性放大光纤环的全光纤激光器的自启动锁模特性,得到了计算该激光器中光脉冲的有效能量增益的理论模型.结果表明,激光器的自启动锁模同掺Er3+光纤的增益及纤芯的有效截面积有关,并计算了自启动锁模的阈值峰值功率大小.应用本文的理论模型能成功地解释观察到的实验现象.
孙军强刘雪峰黄德修李再光
关键词:自启动锁模全光纤激光器锁模技术
一种半导体激光放大器输出耦合方式的研究被引量:7
1993年
本文从理论上对一种半导体激光放大器的输出耦合结构进行了分析。我们引入了厚透镜表面的Fresnel反射,厚透镜球差和有限孔径的影响以使计算结果更接近于实际情况,在此基础上得出的结论与实验数据基本吻合。理论和实验结果表明,在合理选择相关结构参数的前提下,这种输出耦合结构的耦合效率可达50%左右。
刘雪峰黄德修李再光
关键词:半导体激光放大器
具有稳定封装结构的1.3μm InGaAsP行波半导体光放大器
1993年
报道一种具有稳定封装结构的1.3μm InGaAsP行波半导体光放大器。由于采用了末端带高折射率类球面微透镜的锥形光纤耦合头,单模光纤与光放大器芯片之间的耦合效率达3~4dB,光放大器的光纤-光纤净增益达12~15dB。由于耦合光纤的固定采用了脉冲YAG激光定位焊接和真空退火技术,这种行波半导体光放大器的稳定性大为提高。
刘雪峰黄德修李再光
关键词:激光焊接真空退火激光放大器
半导体光放大器增益饱和及其开关特性的研究
1997年
从理论上研究了行波半导体光放大器的增益饱和特性。由半导体的单模速率方程出发,应用半导体光放大器的传输波动方程,推导了放大器的增益特性表达式。根据半导体光放大器增益饱和特性,研究了开关特性。
任雪斌刘雪峰黄德修
关键词:半导体光放大器增益饱和光子开关放大器
一种测量变折射率透镜阵列(SLA)的传递函数的新方法
1995年
本文提出了一种与计算机技术相结合、利用CCD像感器件测定变折射率透镜阵列传递函数的方法,该方法比较接近于变折射率透镜阵列有实际使用环境,精确度高,测量速度快,而且简便易行,测量结果也较为全面。该方法已用于光电图文扫描仪中变折射率透镜阵列的设计及测量,并获得了满意的结果。
刘雪峰裴敏孙军强黄德修
关键词:传递函数透镜
共3页<123>
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