刘锡田
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 化合物半导体发光在工业上的应用被引量：1
- 1990年
- 本文论述了近年来化合物半导体发光材料与器件工业生产和研究开发的现状及展望。Ⅲ-Ⅴ族材料中的红、绿、橙、黄可见光及近红外0.85～1.7μm波段从材料到器件已进行工业规模生产,日本仅可见光发光二极管管芯年产量为50亿支以上,近年来我国每年要花约300万美元进口,可见光LED管芯。文中讨论了可见光发光二极管国产化的关键问题。据推算1988年世界化合物半导体产量约40吨左右。Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族及其多元系列材料正在研究和开发中,文中予测了未来可能形成实际应用的某些发光材料以及当前各波段的发展趋势。
- 刘锡田
- 关键词：化合物半导体发光
- GaAs等化合物半导体的现状与发展趋势
- 1989年
- 本文评述了GaAs等有关化合物半导体材料的新进展,如9kg重HB-GaAs的生长工艺及HPLECGaAs单晶及其工艺设备的进展状况。并对GaAs IC和场效应晶体管、光电集成、量子阱和超晶格及可见光激发器等领域的研究进行了展望。
- 刘锡田
- 关键词：GAAS化合物半导体半导体材料
- GaAs和GaP单晶的生产与应用被引量：2
- 1997年
- 简述了ＧａＡｓ、ＧａＰ单晶材料近年来的生产与发展，国外生产厂家、品种和规模，以及目前单晶材料在发光领域内应用的现状和发展预测。
- 刘锡田
- 关键词：单晶材料砷化镓磷化镓化合物半导体
- n型<100>掺硫GaP单晶研制
- 1992年
- 近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用情况。 (一)单晶制备 单晶生长在MSR6R高压单晶炉内进行,石墨电阻加热。99.9999％的高纯镓及高纯磷先期在高压合成炉内制成GaP多晶。
- 俞斌才邓志杰马三胜刘锡田
- 关键词：磷化镓单晶硫掺杂剂N型半导体
- 化合物半导体材料的现状与展望
- 1992年
- 综述了化合物半导体研究与生产的现状,最新进展及今后的展望。日本1990年化合物半导体材料销售额为235亿日元。3T-LEC法在增大单晶的长度和提高单晶质量方面已取得显著进展,直径为76mm、长30cm、重10kg的SI-GaAs单晶国外已投入批量生产。近年来,除HP-LEC法外,人们正在探索其它生长方法,如VGF(垂直梯度凝固)法、VCZ(气氛控制直拉)法和VHB(垂直布里支曼)法等等,并已取得重要进展。本文还介绍了近年来在应用方面,如HEMT、HBT、GaAs IC、可见光LD、蓝色LED等领域的最新进展。在上述内容基础上展望了化合物半导体材料今后的发展方向。
- 刘锡田
- 关键词：化合物半导体
- 高电子迁移率低位错半绝缘砷化镓单晶的生长和特性
- 王泳鸿马碧春刘锡田
- 关键词：砷化镓单晶位错半绝缘体电子迁移率
