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刘红艳

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：河北省科学技术研究与发展计划项目河北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信建筑科学理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇砷化镓
  • 2篇大直径
  • 2篇半绝缘
  • 2篇半绝缘砷化镓
  • 1篇电性能
  • 1篇衍射仪
  • 1篇体缺陷
  • 1篇小角度晶界
  • 1篇晶界
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体缺陷
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇光学
  • 1篇半导体
  • 1篇本征
  • 1篇本征缺陷
  • 1篇SI-GAA...
  • 1篇X射线衍射仪
  • 1篇LEC

机构

  • 4篇河北工业大学
  • 1篇天津职业大学

作者

  • 4篇刘红艳
  • 3篇刘彩池
  • 2篇郝秋艳
  • 1篇王海云
  • 1篇徐岳生
  • 1篇孙卫忠
  • 1篇解新建
  • 1篇王娜
  • 1篇王丽华

传媒

  • 2篇现代仪器
  • 1篇材料热处理学...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2008
  • 1篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
X射线衍射仪在研究砷化镓缺陷中的应用
2007年
本文采用X射线衍射仪(XRD),通过异常透射对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的形貌及缺陷进行研究。在没有特殊工艺措施的情况下,LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在有高密度位错的相互作用、割阶和缠绕的产物-胞状结构。X射线形貌技术可以显示SI-GaAs中的高密度位错的结构与分布,从而评估其质量。
王海云刘红艳徐岳生刘彩池
关键词：X射线衍射仪小角度晶界
半绝缘砷化镓中本征缺陷的光学显微研究被引量：2
2008年
本文利用光学显微技术系统分析热处理对液封直拉法生长的半绝缘砷化镓（LECSI-GaAs）中本征缺陷的影响。实验结果表明，晶体生长后的热处理可以影响砷沉淀的密度与分布。500℃热处理对As沉淀的密度无明显影响；真空条件下，在850-930℃范围内热处理AB腐蚀坑变浅，砷沉淀数量增加；真空条件下，高于1100℃热处理后，砷沉淀几乎消失。晶体中砷沉淀的密度会随热处理条件的不同而变化，本文对其机理进行探讨。
刘红艳孙卫忠王娜郝秋艳刘彩池
关键词：半绝缘砷化镓
热处理对大直径半绝缘砷化镓中EL2缺陷的影响
2012年
利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结果表明,原生大直径SI-GaAs样品中EL2缺陷浓度沿直径方向的分布呈现中心区域较高、近中心区域最低、边缘区域最高的特点。500℃退火EL2缺陷浓度稳定,真空闭管并快速冷却条件下850℃以上退火时,EL2缺陷浓度随温度升高而下降。并分析了热处理对EL2缺陷的影响机理。
王丽华郝秋艳解新建刘红艳刘彩池
关键词：半绝缘砷化镓
热处理对大直径LEC SI-GaAs中缺陷及电性能的影响
GaAs 是发展最快的第二代化合物半导体材料，具有高迁移率、直接跃迁型能带结构等优点，适合制造高频、高速器件和电路。作为基础半导体材料的半绝缘砷化镓(SI-GaAs)市场需求很大，其相关电子器件已应用到光通讯、卫星通讯、...
刘红艳
关键词：电性能化合物半导体晶体缺陷
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