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刘瑶

作品数:23 被引量:45H指数:5
供职机构:广西大学物理科学与工程技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金广西大学科研基金更多>>
相关领域:金属学及工艺电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 5篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 9篇金属学及工艺
  • 8篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇建筑科学
  • 1篇政治法律
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇GGNMOS
  • 4篇ESD保护
  • 3篇晶界
  • 3篇光学
  • 3篇二次击穿
  • 3篇仿真
  • 3篇保护器件
  • 3篇ESD保护器...
  • 3篇场模拟
  • 2篇导体
  • 2篇电热效应
  • 2篇实验教学
  • 2篇微电子
  • 2篇模拟仿真
  • 2篇纳米
  • 2篇景观
  • 2篇教学
  • 2篇半导体
  • 2篇ESD
  • 2篇波导

机构

  • 15篇广西大学
  • 9篇华南理工大学
  • 2篇河池学院
  • 1篇中国科学院

作者

  • 23篇刘瑶
  • 12篇高英俊
  • 8篇卢强华
  • 3篇黄创高
  • 2篇姚若河
  • 2篇罗志荣
  • 2篇袁龙乐
  • 2篇陆翔
  • 2篇蒙成举
  • 1篇林广思
  • 1篇王江帆
  • 1篇黄礼琳
  • 1篇邓芊芊
  • 1篇邱鸿广
  • 1篇叶里
  • 1篇毛鸿
  • 1篇柳玉玲

传媒

  • 6篇广西科学
  • 4篇广西物理
  • 3篇微电子学
  • 1篇计算物理
  • 1篇集成电路应用
  • 1篇科技风

年份

  • 3篇2023
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
反馈式微环谐振光学传感器
2015年
微环谐振腔具有高品质因数、低成本的特点、易于同其它光电芯片和微流控芯片集成,进行化学表面处理。谐振效应的引入能够在提高传感器灵敏度的同时大大缩小器件的尺寸。本文通过定性分析相关参数的改变对输出光谱的影响机制,并计算传感器的灵敏度,找出最佳的参数,作为该结构的最终优化参数。运用模式耦合理论和传输矩阵方法,推导归一化输出光强的表达式,并用相关软件模拟归一化输出光强与各参数的关系。耦合系数,传输因子以及谐振腔的有效传输长度等对传感器的灵敏度有很大的影响。
欧梅莲叶里毛鸿刘瑶卢强华高英俊
关键词:微环传感
ESD保护电路中GGNMOS的建模及仿真
为了能在芯片设计阶段更好地进行ESD保护电路的设计改进,需要一个专门针对ESD保护电路/器件的完善且精确的模拟工具。本着这一目的,本文建立了专用于ESD保护电路中GGNMOS的模型结构。主要内容包括:二次击穿前及二次击穿...
刘瑶
关键词:模拟仿真建模仿真雪崩击穿
文献传递
ESD保护器件GGNMOS的理论建模
本文完整地提出了ESD应力下二次击穿前保护器件GGNMOS的理论模型;且进一步探讨了二次击穿附近的建模(包括几种击穿点温度的确定方法和电热耦合模拟),展望了关于二次击穿附近建模的研究方向.
刘瑶姚若河罗宏伟李永坤
关键词:ESD保护器件GGNMOS电热效应二次击穿
文献传递
不同温度晶界位错湮没过程的晶体相场模拟被引量:7
2014年
【目的】针对不同温度的晶界位错湮没过程进行研究。【方法】采用晶体相场模型模拟中等角度对称倾侧晶界结构在不同温度下的晶界位错演化湮没过程,从位错的运动形式和体系自由能的变化,分析晶界的消失过程和位错的相互作用。【结果】具有二维三角晶格原子点阵结构形成的对称倾侧晶界是由配对的位错对按直线规则排列构成,可以看成由2套位错Burgers矢量组成。晶界湮没主要有如下几方面的特征过程:首先晶界位错攀移,然后发生位错分解,晶界发射位错,位错由攀移运动转化为作滑移运动;接着滑移位错穿过晶粒内部,直到在对面晶界上湮没;剩余的晶界位错继续作攀移运动,然后又出现位错分解,晶界再次发射位错,使得位错转为作滑移运动,与其它作滑移运动的位错在晶内相遇湮没消失。【结论】在低温情况,位错是一对一对地按照一定的顺序发生湮没,而高温情况,位错湮没可以同时出现几对位错一起发生湮没。最后,所有晶界和位错全部消失。
高英俊袁龙乐刘瑶卢强华黄创高
关键词:晶界
集顶部种植与雨水收集灌溉为一体的景观亭
本实用新型公开了一种集顶部种植与雨水收集灌溉为一体的景观亭,所述景观亭包括景观亭本体、种植台、太阳能收集组件和雨水收集组件,所述种植台设置在景观亭本体的顶部,所述太阳能收集组件和雨水收集组件一起设置在景观亭本体上,且太阳...
刘瑶林广思
文献传递
扩散p-n结内建电场的数值分析被引量:3
2005年
对高斯分布的p-n结,通过建立相关的一维泊松分布方程,分析边界和初始条件,应用数值计算方法在耗尽层近似和考虑自由载流子两种情况下模拟电场、电势的分布。进一步讨论温度变化对电场、电势分布的影响。
刘瑶姚若河
关键词:P-N结内建电场数值模拟
南江区税务局编外人员管理优化研究
党的十八大以来,随着机构改革地不断深入,我国机关事业单位的编制管理也日益严格,《国务院行政机构设置和编制管理条例》及其他相关法规、法令对有关组织的机构设立、编制管理等方面进行规定和控制,而“三定”规定就是对一个部门的“职...
刘瑶
微电子实验教学平台和教学体系的构建与改革
2023年
近年来微电子产业高速发展,对高校创新型微电子专业人才的培养提出了更高的要求。本文在调研分析的基础上,介绍了我校近几年微电子实验教学平台的规划建设和实验体系的改革,包括覆盖完整集成电路设计—制造—测试流程的三大实验室的建立,实验课程群的融合创新和分层体系,综合研发性、设计性实验教学内容的加强以及引入开放式、团队协作的教学模式。这些措施为提高学生的综合实践能力、培养高素质人才打下基础。
刘瑶陆翔
关键词:微电子实验教学平台教学改革
ESD保护器件栅接地N型MOS管开启后区域模拟方法
2009年
基于ESD应力下栅接地N型MOS管(GGNMOS)的工作特性,提出2种开启后区域的器件级模型结构和相应的参数提取方法,并利用Matlab分别基于两种模型对不同工艺参数的样品进行模拟,获得相应的I-V特性曲线。虽然模型1比模型2简单,而且需要的参数少,但是模型2比模型1更为精确,与实际情况更吻合,更加能够反映出工艺参数对样品开启后特性的影响。
刘瑶高英俊
关键词:ESDGGNMOS模拟仿真
半导体物理与器件的实验教学分析
2023年
阐述半导体物理与器件实验教学的特点,实验的教学设计与优化,包括实验课程群的融合、验证性实验向设计性实验的过渡、教研结合实现资源共享、教学模式的改进。
刘瑶陆翔
关键词:微电子技术实验教学
共3页<123>
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