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刘春影
作品数:
7
被引量:4
H指数:1
供职机构:
天津工业大学
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发文基金:
国家自然科学基金
天津市高等学校科技发展基金计划项目
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘宏伟
天津工业大学电子与信息工程学院
陈弘达
天津工业大学
杨广华
天津工业大学
阚强
天津工业大学
杨华
天津工业大学电子与信息工程学院
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金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED及其制作方法
本发明属于微电子与光电子技术领域,涉及一种金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED,采用标准CMOS工艺制成,包括集成在P型硅衬底上的P<Sup>+</Sup>N阱发光结及P电极和N电极,P<Sup>+</Sup>和N<S...
刘宏伟
刘春影
杨广华
王真真
阚强
陈弘达
文献传递
一种与等离子体激元耦合的高效GaN基LED
本实用新型属于微电子与光电子技术领域,涉及一种与等离子体激元耦合的高效GaN基LED,该LED由下向上依次包括蓝宝石衬底,GaN成核层一层,GaN无掺杂层一层,n型GaN一层,InGaN/GaN多量子阱,p型GaN欧姆接...
刘春影
刘宏伟
杨华
杨广华
阚强
陈弘达
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表面等离子体增强LED发光效率关键技术研究
LED作为光源已广泛应用于家电、电子显示、照明、汽车等领域。随着对LED芯片发光效率要求的不断提高,以及节约能源的需要,增强LED的发光效率已成为研究的热点问题。在众多的增强LED发光效率的方法中,利用表面等离子体激元(...
刘春影
关键词:
发光二极管
表面等离子体
发光效率
调制模式
一种与等离子体激元耦合的高效GaN基LED及其制作方法
本发明属于微电子与光电子技术领域,涉及一种与等离子体激元耦合的高效GaN基LED及其制作方法,该LED由下向上依次包括蓝宝石衬底,GaN成核层一层,GaN无掺杂层一层,n型GaN一层,InGaN/GaN多量子阱,p型Ga...
刘宏伟
刘春影
杨华
杨广华
阚强
陈弘达
文献传递
金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED
本实用新型属于微电子与光电子技术领域,涉及一种金属等离子体激元耦合发光增强硅基LED,采用标准CMOS工艺制成,包括集成在P型硅衬底上的P<Sup>+</Sup>N阱发光结及P电极和N电极,P<Sup>+</Sup>和N...
刘春影
刘宏伟
杨广华
王真真
阚强
陈弘达
文献传递
表面等离子体提高GaN-LED发光效率的研究进展
被引量:1
2014年
表面等离子体能够增强氮化镓发光二极管的发光效率,为高效发光二极管芯片的研究提供了可行的方案。近年来,国内外研究小组在利用表面等离子体增强氮化镓发光二极管发光效率的实验中,取得了很多有价值的结果。介绍了具有金属薄膜、金属颗粒和金属光子晶体等典型结构的氮化镓发光二极管。重点探讨了表面等离子体增强发光二极管发光的机理、结构和关键技术。对具有二维金属光子晶体的氮化镓发光二极管发光增强机理进行了分析和预测,认为利用二维光子晶体可以从内量子效率和外量子效率两方面增强器件发光,并且有很好的可控制性,是提高发光效率的可行方案。
刘春影
苗长云
刘宏伟
杨华
李晓云
牛萍娟
关键词:
氮化镓发光二极管
表面等离子体
内量子效率
发光效率
阵列波导光栅波长解调系统的温度补偿方法的研究
被引量:3
2013年
阵列波导光栅波长解调系统具有结构简单、响应速度快等优点,由于阵列波导光栅的中心波长会受环境温度影响而产生漂移,影响解调精度。在分析了阵列波导光栅波长解调原理的基础上,提出了一种阵列波导光栅波长解调系统的温度补偿方法。该方法利用补偿光栅确定温度补偿系数,实现对阵列波导光栅波长解调系统的温度补偿,消除了温度漂移对解调精度的影响。实验结果表明,在环境温度变化范围为14℃~44℃时,该方法解调误差仅为2pm,较未加入补偿有明显提高,在高精度阵列波导光栅波长解调领域具有很高的应用前景。
孙金露
苗长云
张诚
刘春影
穆殿伟
曾庆锴
关键词:
光纤光栅
阵列波导光栅
温度补偿
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