您的位置: 专家智库 > >

刘俊福

作品数:9 被引量:16H指数:2
供职机构:山东大学化学与化工学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学轻工技术与工程更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇理学

主题

  • 5篇气敏
  • 4篇气敏元件
  • 3篇感器
  • 3篇薄膜型
  • 3篇SNO
  • 3篇MOCVD
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇氧化锡
  • 2篇气体传感
  • 2篇气体传感器
  • 2篇二氧化锡
  • 2篇FE
  • 2篇MOCVD法
  • 2篇掺杂
  • 1篇导体
  • 1篇电池
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学还原
  • 1篇电极

机构

  • 9篇山东大学
  • 1篇东南大学

作者

  • 9篇刘俊福
  • 7篇淳于宝珠
  • 6篇赵世勇
  • 3篇张为灿
  • 1篇杨孔章
  • 1篇丁德胜
  • 1篇陆祖宏
  • 1篇吴海明

传媒

  • 5篇化学传感器
  • 1篇感光科学与光...
  • 1篇电源技术
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇大学化学

年份

  • 1篇1997
  • 4篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1992
  • 1篇1991
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
二氧化碳在P^+/P-Si半导体电极上光电化学还原的研究
1992年
1870年,Royer使用Zn电极将CO2还原为HCOOH。近年来,人们对CO2在几十种金属电极上的电化学还原进行了深入的研究。但普遍存在的问题是CO2在金属电极上还原的过电位较大,导致耗电较多。而半导体电极能吸收光能降低CO2还原的过电位,所以人们对CO2在半导体电极上的光电还原进行了探讨,使用的光阴极材料有P-GaP,P-GaAs,P-InP,P-CdTe。半导体Si的禁带宽度Eg=1.12eV,
淳于宝珠刘俊福
关键词:二氧化碳光阴极
MOCVD法制备薄膜型SnO_2气敏元件被引量:1
1995年
本文报道了MOCV D技术制备的SnO_2薄膜型气敏元件。这种方法沉积的3nO_2薄膜耐酸碱性强,膜厚易控制,具有负温阻特性。测定了不同温度和不同气体条件下元件的特性,发现该元件对乙醇、丙酮气体具有较高的灵敏度,响应时间快;而对氢气、乙烯、煤气、液化石油气等不敏感,因而具有一定的选泽性。元件的稳定性较好。
赵世勇魏培海刘俊福淳于宝珠
关键词:MOCVD法气敏元件二氧化锡半导体薄膜
Tl_2O_3/聚-N-乙烯基咔唑复合纳米线的研究
1996年
Stable monolayers of electropolymerized poly-N-vinylcarbazole (EPVK)and arachidic acid(AA) are obtained on a subphase of alkaline Tl2O3 colloidal solutions.As revealed by the atomic force microscope,there is phase separation in the mixed LB monolayers.Transmission electron microscopic observations reveal that oredred arrays of composite Tl2O3/Epvk nanowires are formed in the mixed monolayers.Formation of the composite nanowire arrays is attributed to the ordered adsorption of Tl2O3 colloidal particles along the polycationic EPVK chains.The composite nanowire array is 3.2nm wide with a spacing of 2.7nm.The composite nanowire arrays can also,be formed when pure EPVK is used.composite LB multilayers of Tl2O3/EPVK nanowire arrays are prepared.The bilayer spacing is 5054nm.The present study is of importance to the fabrication of inorganic semiconductor/functional polymer composite nanowires.
刘俊福杨孔章陆祖宏丁德胜吴海明
关键词:纳米线LB膜氧化钛
MOCVD—SnO_2薄膜对Si太阳能电池性能的影响被引量:1
1994年
用MOCVD法在α-Si太阳能电池上沉积SnO_2薄膜作为减反射层,约80nm厚的SnO_2薄膜可相对提高电池转换效率34%.
赵世勇刘俊福淳于宝珠
关键词:太阳能电池
三甲胺气敏元件的研制被引量:5
1997年
本文用MOCVD技术在小瓷管表面沉积SnO_2薄膜,通过氢气退火处理,制备了可用于鱼品鲜度检测的三甲胺气敏元件。该元件对三甲胺有较高的灵敏度,响应时间快,工作温度低;对NH_5却不敏感,具有一定的选择性。另外,元件的长期稳定性也较好。
赵世勇刘俊福淳于宝珠
关键词:三甲胺气敏元件二氧化锡薄膜鱼品
掺杂对MOCVD—SnO_2薄膜气敏性能的影响被引量:2
1996年
本文在小瓷管上用MOCVD技术沉积SnO_2气敏薄膜,研究了Pd、Th掺杂对该SnO_2元件气敏性能的影响。掺杂Pd使元件对乙醇、汽油的灵敏度均增大,而掺杂Th则仅提高了对乙醇的灵敏度,对汽油的灵敏度反有所降低。因此有希望开发为不受汽油干扰的乙醇敏感元件。
赵世勇刘俊福张为灿淳于宝珠
关键词:掺杂气体传感器传感器二氧化锡
Sn掺杂对MOCVD—Fe_2O_3薄膜型气敏元件的影响
1996年
本文以四甲基锡为掺杂源,用MOCVD技术在小瓷管上沉积了Sn掺杂的Fe_2O_3薄膜。Sn的掺杂保持了Fe_2O_3薄膜原有的气敏规律和快速响应特性,却使元件的电阻碍以降低。同时抑制了薄膜中颗粒的生长,提高了元件的长期稳定性。
赵世勇张为灿魏培海刘俊福淳于宝珠
关键词:MOCVD掺杂气体传感器气敏元件
关于阿累尼乌斯公式的一些问题被引量:6
1991年
关于温度对反应速度的影响,随反应温度的增加活化能高的化学反应速度常数增加的倍数比活化能低的为大,但增量是否也大呢?为了对此有清楚的了解,讨论如下: 假设所讨论的化学反应符合阿累尼乌斯公式,活化能大于零,且不随温度而变。为简化讨论,忽略化学反应指前因子A的差异,即有A_1=A_2=A。
刘俊福
关键词:温度
MOCVD法制备薄膜型Fe_2O_3气敏元件被引量:2
1996年
本文采用MOCVD技术制备了薄膜型Fe_2O_3气敏元件。测定了元件的物理性能和气敏特性。该气敏元件对乙醇、丙酮和液化石油气有较高的灵敏度,响应时间快,对甲烷、管道煤气、硫化氢等气体不敏感,具有一定的选择性。还考查了元件的稳定性。
赵世勇刘俊福张为灿魏培海淳于宝珠
关键词:MOCVD法气敏传感器传感器薄膜型
共1页<1>
聚类工具0