刘中华
- 作品数：8 被引量：31H指数：3
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学政治法律化学工程更多>>
- VO_2(A)型薄膜表面形貌与相变性能的相关性被引量：2
- 2011年
- 以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%)为原料,采用真空蒸发——还原工艺制备出VO2(A)型薄膜(A表示发生热致相变的薄膜)。讨论退火温度对VO2(A)型薄膜表面形貌的影响,并进一步研究表面形貌与薄膜光电性质的相关性。结果显示:当退火温度从500℃升高到540℃,VO2(A)型薄膜中层状特征减弱并消失,山峰状颗粒出现并增大,当退火温度继续升高,VO2(A)型薄膜中山峰状颗粒是先减小再增大,但是其尺寸趋于一致,约为50nm;随着VO2(A)型薄膜形貌的改变,相变温度点、数量级、热滞回线宽度等相变性能参数也会改变;VO2(A)型薄膜相变温度点降低,其在所测波段的透过率会降低,但只有在中红外波段,薄膜在相变前后透过率的改变量与电阻变化的数量级有关。
- 郭英杰刘中华苏瑞陈家胜何捷
- 关键词：退火温度表面形貌
- 十九世纪社会变革中的英国贵族
- 刘中华
- 退火条件对氧化钒薄膜光电特性影响的研究
- 过渡金属钒可以和氧结合成多种价态的氧化物，各种钒的氧化物以其优良的性能成为国内外功能材料研究的热点，具有广阔的应用前景。本论文以高纯V<,2>O<,5>粉末(纯度≥99.99％)为原料，采用真空蒸发法制备出V<,2>O<...
- 刘中华
- 关键词：退火温度真空度氧化钒薄膜光学性能电学性能
- 文献传递
- 电子束辐照致VO_2(A)薄膜光电特性改变被引量：1
- 2008年
- 以能量为1.0 MeV,剂量为1.2×1013～1.2×1015/cm2电子束辐照VO2(A)薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、电阻温度测试仪和Fourier中红外光谱仪对电子辐照前后的薄膜进行测试,研究了辐照剂量对薄膜结构、光电特性的影响。结果表明:剂量为1.2×1013/cm2时,辐照主要是在薄膜中引入点缺陷;剂量为1.2×1015/cm2时,辐照在薄膜中产生明显的退火效应。辐照剂量增加会引起薄膜相变过程中电阻温度系数增加,使相变温度点发生变化,热滞回线宽度最大可增加89.1%,相变前后薄膜电阻值变化的数量级增大,晶粒尺寸经历了31.8 nm→21.3 nm→20.3 nm→33.5 nm的变化。半导体相薄膜的透过率受缺陷影响较大,金属相时主要受晶粒尺寸的影响。
- 孟庆凯何捷刘中华张雷宋婷婷孙鹏
- 关键词：二氧化钒薄膜电子辐照电阻温度系数
- 电子辐照致VO_2(B)薄膜结构与红外光谱改变被引量：1
- 2008年
- 本文以能量为1．0MeV的电子束辐照VOAB）薄膜，对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算，使用X射线衍射仪、傅立叶中红外光谱仪对薄膜进行测试，分析了电子辐照对薄膜结构与红外光谱（3400-400cm^-1）的影响。结果显示：电子辐照可以在薄膜中引入点缺陷并产生退火效应，电子辐照在薄膜中引入的点缺陷，可以使V-O=V受到破坏，退火可以使V—O=V振动得到恢复，而电子辐照对薄膜八面体角度弯曲振动影响不大。
- 孟庆凯何捷刘中华张雷宋婷婷孙鹏
- 关键词：电子辐照红外光谱退火效应
- 退火真空度与氧化钒薄膜物相的相关性被引量：7
- 2007年
- 以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%,质量分数)为原料,用真空蒸发工艺制备出氧化钒薄膜,并测试其在真空退火前、后的X射线光电子能谱、X射线衍射谱及电阻-温度关系曲线。结果显示:低真空退火对氧化钒薄膜的还原性比高真空退火的强。但是,在高真空退火下得到的氧化钒薄膜的晶粒尺寸要比在低真空下退火的大。随退火温度升高,高真空下退火制备的薄膜经历了从VO2(B)到VO2(B)与V6O13混合,再到V6O13的转变过程,B表示薄膜无热致相变特性。低真空下退火制备的薄膜经历了从VO2(B)到VO2(A)的转变,A表示薄膜有热致相变特性。这些薄膜的电学性质也有很大不同。
- 刘中华何捷孟庆凯王静
- 关键词：氧化钒物相真空度
- 真空度对VO_2(B)型薄膜制备及光电特性的影响被引量：5
- 2008年
- 对不同真空度下得到的VO2（B）型薄膜的结晶状况、组分、电学性质和光学性质进行测试和分析，以探讨退火真空度对VO2（B）型薄膜的影响。以高纯五氧化二钒（V2O5）粉末（纯度高于99．99％，质量分数）为原料，采用真空蒸发——还原工艺，分别在高、低真空度下还原出VO2（B）型（空间群为C2/m）薄膜。利用X射线衍射（XRD）仪，X射线光电子能谱仪（XPS），电阻温度关系（TCR）测试仪和紫外可见分光光度计对薄膜进行测试，讨论了退火真空度对VO2（B）型薄膜的结晶状况、组分、电学性质和光学性质的影响。结果显示，在高、低真空度下退火，VO2（B）型薄膜出现的温度范围是不同的，在低真空度下退火出现的范围在400～480℃，而在高真空度下退火出现的范围只有400～440℃；高真空度退火得到薄膜的晶粒较大，透过率较低真空度得到的薄膜高7％～8％；但在低真空度下退火，薄膜中的V更易被还原，电阻温度系数绝对值更大，最大可达-2．4％／K。
- 刘中华何捷孟庆凯张雷宋婷婷孙鹏
- 关键词：真空度光电特性
- 关于退火温度对VO_2薄膜制备及其电学性质影响的研究被引量：17
- 2006年
- 采用真空蒸发-真空退火工艺由V2O5粉末制备VO2薄膜,研究了退火温度对薄膜的影响.经XRD,XPS及电阻-温度测试发现,随退火温度的升高,VO2薄膜先后经历了单斜晶系VO2(B)型→单斜晶系VO2(A)型→四方晶系VO2的变化,在3种类型的薄膜中V均以V4+为主,且在VO2(A)型薄膜中V4+含量最高.薄膜电阻以退火温度460℃时为分界线,低于460℃时,VO2(B)型薄膜电阻和电阻温度系数随退火温度的升高而增大;高于460℃时,四方晶系VO2薄膜的电阻及其电阻温度系数随退火温度的升高呈现相反的趋势.
- 王静何捷刘中华
- 关键词：退火温度
