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冯毓材

作品数：11 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院空间科学与应用研究中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 3篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇离子
  • 7篇离子源
  • 5篇离子束
  • 5篇改性
  • 4篇蒸发
  • 4篇强流
  • 4篇表面改性
  • 3篇电子束蒸发
  • 3篇离子注入
  • 3篇金属
  • 3篇材料表面改性
  • 2篇电子束
  • 2篇气固
  • 2篇金属离子
  • 1篇阴极
  • 1篇陶瓷
  • 1篇屏蔽罩
  • 1篇热屏蔽
  • 1篇坩埚
  • 1篇离子束加工

机构

  • 11篇中国科学院

作者

  • 11篇冯毓材
  • 3篇尤大纬
  • 3篇李晓谦
  • 2篇王宇
  • 1篇李哓谦
  • 1篇杨松涛

传媒

  • 3篇’94秋季中...
  • 1篇电工电能新技...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇中国电工技术...
  • 1篇迈向21世纪...

年份

  • 2篇1997
  • 3篇1996
  • 4篇1994
  • 1篇1991
  • 1篇1986
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
光学薄膜制备用的多离子束电子束系统
1997年
本文介绍一种新型的光学薄膜制备用多离子束电子束系统。该系统既可采用聚焦离子束溅射沉积，也可采用传统的电子束蒸发沉积薄膜，并辅助以低能离子轰击，离子可以是惰性元素也可以是反应气体离子。系统的特征是：任何与真空相容的材料均可用作靶材，制备薄膜。系统采用一台１０ｃｍ直径宽束离子源作为辅助沉积；二台特殊设计的聚焦离子源用于溅射沉积。为了能对绝缘样品或在沉积绝缘薄膜时对离子束进行有效而无污染的中和，系统还配置了一台新型的宽束电子源。文中对装置的特点，各个离子源、电子源的性能及特性进行了较详细的描述。利用该系统已制备了如ＴｉＯｘ、ＺｒＯｘ和多层ＺｒＯ２／ＳｉＯ２等特殊的光学薄膜。
冯毓材李哓谦尢大纬况元珠王宇
关键词：光学薄膜
用于材料与薄膜表面改性的宽束离子源现状及发展
尤大纬冯毓材
关键词：离子束改性离子源
表面改性用高能宽束发散场考夫曼离子源
一种表面改性用高能宽束发散场考夫曼离子源，放电室外部有绝缘陶瓷和处于正高电位的后盖板，控制后极靴和阴极伸进放电室的长度得到发散场，并提高了离子源的引出电压。本离子源，结构紧凑、简单、效率高；可以直接加速离子到达离子注入所...
冯毓材
文献传递
利用ＥＢＥ电子束蒸发强流金属离子源制备高Ｃ及ＣＮ膜
冯毓材李晓谦
关键词：离子源电子束金属离子
用于材料改性的宽束离子源现状及其发展被引量：2
1996年
本文叙述了对材料表面改性的宽束离子源的要求，重点介绍了考夫曼型气体离子源及电子束蒸发强流金属离子源，也介绍了ＲＦ、ＥＣＲ离子源及ＭＥＶＶＡ源。
尤大纬冯毓材王宇
关键词：离子束材料改性离子源
材料表面改性用电子束蒸发强流金属离子源（ＥＢＥ）
冯毓材李晓谦
关键词：离子注入电子束金属离子蒸发
材料表面改性用电子束蒸发金属离子源
材料表面改性用电子束蒸发金属离子源具有放电室(1)，阳极(2)，阴极(3)，磁场线圈(4)及(5)，坩埚(6)，放电室底座(7)，绝缘子(8)，屏蔽罩(9)，坩埚底座(10)，屏栅(11)，加速栅(12)，热屏蔽(13)...
冯毓材
文献传递
薄膜制备用电子束蒸发强流气固两用离子源被引量：1
1996年
介绍了一种新型的电子束蒸发（EBE）强流气、固两用离子源，其基本原理是将电子束蒸发技术引人离子源放电室内，使材料的蒸发和游离在同一放电室内完成。该源不仅能引出包括各种难熔材料在内的强流金属和非金属离子束，而且能同时引出气态和固态元素的混合离子束。迄今为止，已引出包括C，W，Ta，Mo，Cr，Ti，B，Cu，Ni，Al，Ar，N以及C和N，Ti等的混合离子束。用于薄膜制备的引出束径为3．6cm，其最大引出束流可达到90mA。利用此源引出的离子束流可在膜基间形成具有良好共混的过渡层，其沉积速率Mo约为2．5nm／s，C可达到8nm／s。
冯毓材李晓谦
关键词：表面改性电子束蒸发
材料表面改性用电子束蒸发金属离子源
材料表面改性用电子束蒸发金属离子源属于离子束对材料表面改性装置技术领域。;本发明由放电室1、阳极2、阴极3、磁场线圈4及5、坩埚6、放电室底座7、绝缘子8、屏蔽罩9、坩埚座10、屏栅11、加速栅12、热屏蔽13、14及1...
冯毓材
文献传递
强流金属离子源的新进展-电子束蒸发强流气固两用离子源
介绍了一种新型的电子束蒸发强流气固两用离子源（ＥＢＥ）。该源的基本原理是将电子束蒸发技术引入离子源放电室内，使材料的蒸发和游离在同一放电室内完成。该源不仅能引出包括各种难熔材料在内的强流金属和非金属离子束，而且能同时引出...
冯毓材尤大纬
关键词：电子束蒸发表面改性
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