何捷
- 作品数：22 被引量：174H指数：7
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：“上海－应用材料研究与发展”基金国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 电感电容压控振荡器调谐曲线的时域分析被引量：3
- 2005年
- 本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐波分量不可以忽略的话,谐波平衡近似分析方法将会变得很复杂.本文提出的周期计算方法所得到的振荡调谐曲线比传统谐波平衡近似分析方法更加精确.在0.35μm2P4MCMOS工艺上实现的电感电容压控振荡器的实验测试证明了该理论分析的正确性.
- 唐长文何捷菅洪彦张海青闵昊
- 关键词：MOS管可变电容压控振荡器
- 放射状双pn结抑制片上电感衬底损耗(英文)
- 2005年
- 使用标准CMOS工艺,在放射状的n阱上面扩散p+,使垂直和水平方向形成双pn结,将此结放在电感的底部用来抑制衬底损耗.提出并实验证明了该结构形成的高阻区厚度不是垂直pn结耗尽层的厚度,而是最低层的pn结的深度.首次通过接地的p+扩散层屏蔽电感到衬底电场,水平和垂直pn结耗尽层厚度随着pn结反向偏压升高改变衬底有效的高阻区厚度,电感品质因数跟随高阻区厚度升降,有效地证明了pn结衬底隔离可以降低电感的衬底电流造成的损耗.
- 菅洪彦唐珏唐长文何捷闵昊
- 关键词：片上电感涡流
- PN结衬底隔离片上电感的优化设计方法
- 本发明属于微电子技术领域，具体为一种采用标准CMOS工艺设计多PN结衬底隔离片上电感的方法。包括：单阱工艺中在阱上注入与阱离子极性相反的杂质，对于深阱工艺，在深阱上形成与该深阱离子相反类型的阱，形成与硅片垂直方向的双PN...
- 菅洪彦唐长文何捷闵昊
- 文献传递
- 一种用于高速A/D转换器的全差分、低功耗CMOS运算跨导放大器(OTA)被引量：29
- 2001年
- 介绍一种全差分、低功耗CMOS运算跨导放大器 (OTA) .这种放大器用于 10位分辨率、30MHz采样频率的流水线式A/D转换器的采样 保持和级间减法 增益电路中 .该放大器由一个折叠 级联OTA和一个共源输出增益级构成 ,并采用了改进的密勒补偿 ,以期达到最大的带宽和足够的相位裕度 .经过精心设计 ,该放大器在0 .35 μmCMOS工艺中带宽为 5 90MHz ,开环增益为 90dB ,功耗为 15mW ,满足高速A/D转换器要求的所有性能指标 .
- 朱臻王涛易婷何捷洪志良
- 关键词：运算跨导放大器压摆率
- 一种具有温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源被引量：47
- 2001年
- 介绍了一种用于集成电路内部的带隙基准源 ,采用了 3.3V ,0 .35 μm ,N阱 ,CMOS工艺 .通过Spectres和HSpice的仿真 ,它具有 6× 10 -6K-1的温度系数和 2 .2mV/V的电源抑制比 .
- 何捷朱臻王涛李梦雄洪志良
- 关键词：带隙基准源温度补偿温度系数电源抑制比集成电路
- DVB-T接收机中频率综合器的研究
- 本文从应用于数字地面电视广播DVB-T接收机中的频率综合器研究为出发点，研究了频率综合器的环路参数设计和噪声估计方法，并采用TSMC0.25μmCMOS工艺设计了一个窄带的频率综合器加以验证。提出了基于稳定性优化的环路参...
- 何捷
- 关键词：频率综合器相位噪声分频器
- 一种采用开关阶跃电容的压控振荡器(下):电路设计和实现被引量：3
- 2005年
- 为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性,提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路,该压控振荡器电路采用0·25μm1P5MCMOS工艺实现.一种新型开关阶跃电容实现了频率调谐功能,该电容的调谐电容是传统反型MOS管可变电容的146%.在1/f3区域,差分调谐振荡器的相位噪声比单端调谐振荡器低7dB.在载波频率偏差10kHz,100kHz和1MHz处测得差分调谐时的相位噪声分别是-83,-107和-130dBc/Hz,功耗为8·6mW.
- 唐长文何捷闵昊
- 关键词：阶跃可变电容MOS管可变电容电感电容压控振荡器
- 用集成电路工艺设计低寄生电容差分驱动对称电感的方法
- 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种用集成电路工艺片优化设计片上差分对称电感的方法。具体是采用多金属互连线将大电压差的相邻线圈分开，使得相邻线圈的电压差降低，使电感相仿线圈之间的随着电压差的降低而减小；采用外圈大电压差线...
- 菅洪彦王俊宇唐长文何捷闵昊
- 文献传递
- 用标准集成电路工艺设计低寄生电容差分驱动对称电感的方法
- 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种用标准集成电路工艺片优化设计片上差分对称电感的方法。具体是采用多金属互连线将大电压差的相邻线圈分开，使得相邻线圈的电压差降低，使电感相邻线圈之间的随着电压差的降低而减小；采用外圈大电压...
- 菅洪彦王俊宇唐长文何捷闵昊
- 文献传递
- 低功耗自适应跨导-电容带通滤波器电路实现被引量：11
- 2004年
- 采用单层多晶硅 3.3V,0 .35μm CMOS数字工艺 ,实现了用于蓝牙系统的自适应带通滤波器 ,其中心频率为2 MHz,带宽为 1.2 MHz,功耗为 12 m W.并对滤波器 PL L自适应电路中压控振荡器 (VCO)的谐振条件进行了研究 ,分析了 VCO中运放寄生参数对谐振频率的影响 .同时 ,用一种简单的跨导运放结构作为 VCO中的负阻抗 ,解决了VCO振荡幅度限幅问题 .
- 马德群崔福良何捷黄林洪志良
- 关键词：锁相环
