何俊刚
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：广州大学更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 磁控溅射法制备Ag掺杂p型ZnO薄膜的研究被引量：2
- 2010年
- 采用磁控溅射法在石英玻璃基片上生长ZnO和ZnO:Ag薄膜。借助于SEM、XRD、霍尔测试、透射谱测试等方法,分析了O2气氛下退火温度对薄膜结构和电学性能的影响。霍尔测试结果表明,Ag掺杂ZnO薄膜经过600℃的O2气氛中热处理转变为p型电导。薄膜的XRD测试表明晶粒大小随退火温度升高而增大,所有薄膜样品只出现(002)衍射峰,呈现c轴取向生长。薄膜对可见光的透过率大于83%,其吸收限为378nm。
- 王莉何俊刚陈环刘志宇傅刚
- 关键词：氧化锌薄膜银掺杂P型半导体
- ZnO薄膜紫外光敏特性及晶界势垒的研究被引量：1
- 2009年
- 以二水合醋酸锌为原料,采用sol-gel法在石英衬底上制备了ZnO薄膜。用AFM观察表面形貌,通过测量真空条件下不同温度热处理后薄膜的I-V特性,拟合计算晶界势垒高度。研究了热处理温度对ZnO薄膜性能的影响。结果表明:经650℃热处理制备的ZnO薄膜样品具有较佳性能,结构均匀致密,粒径分布为20～32nm。在10V偏压和1.24×10–3W/cm2光强下,紫外光灵敏度为43.95;无光照条件下晶界势垒高度为0.079eV。紫外光照使晶界势垒高度下降为0.011eV,薄膜的紫外光灵敏度与势垒高度的相对变化密切相关。
- 何俊刚陈环王莉刘志宇傅刚
- 关键词：ZNO薄膜热处理温度
- Ag掺杂制备p型ZnO薄膜的研究
- 2009年
- 通过Ag掺杂和磁控溅射方法生长ZnO:Ag薄膜,分析了氧气氛退火温度后薄膜的微结构和电阻率等电学性能。退火前薄膜的晶粒大小为15nm,经过600℃氧气氛热处理后,晶粒增大到35nm左右;霍耳测试结果表明,氧气氛后ZnO:Ag薄膜转变为p型电导。薄膜对可见光的透过率大于83%,有陡峭的截止吸收限,对小于378nm的紫外光有强烈的吸收。
- 王莉何俊刚陈环刘志宇傅刚
- 关键词：磁控溅射ZNO薄膜
- ZnO光电导纳米材料及其半导体性质研究
- ZnO是II-VI宽禁带直接带隙半导体,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,其薄膜材料作为短波长光电导材料在紫外探测领域具有极为广阔的发展前景,紫外探测技术无论在生产生活还是国防科技中的应用愈来愈广泛。...
- 何俊刚
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法势垒高度
- 文献传递
