丁风华
- 作品数：11 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中南大学更多>>
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- 相关领域：冶金工程理学电气工程更多>>
- 一种Zn-P-As单晶的制备方法
- 本发明公开了一种Zn‑P‑As单晶的制备方法，单质As与单质P放置处定义为a端，与a端相对应的用于结晶的另一端定义为c端，a端和c端之间的ZnO放置处定义为b端；保护性气氛或真空的密闭环境下，将单质As、单质P和ZnO按...
- 梁彦杰刘振兴柴立元杨志辉彭聪周元周艺伟邓方杰丁风华廖艺
- Ni^(2+)-C_2H_8N_2-C_2O_4^(2-)-H_2O体系的热力学分析及Ni微米纤维的制备(英文)被引量：1
- 2013年
- 根据同时平衡和质量平衡原理,建立了Ni2+-C2H8N2-2?24C O-H2O体系的沉淀-配合平衡热力学模型,并对该模型进行计算来揭示该体系中各物种浓度随pH值、草酸及乙二胺浓度的变化规律。结果表明,当pH<1和pH=1-6时,溶液中的Ni分别主要以游离Ni2+及[Ni(C2O4)n]2-2n形式存在。当pH>6时,Ni2+与乙二胺的配合作用占优势。当用乙二胺作配位剂,采用草酸盐沉淀法制备了Ni微米纤维前驱体,并讨论了乙二胺在前驱体生长机制中的作用。将前驱体在N2和H2混合气氛中热分解还原,可得到直径0.2~1μm、长径比20~30的Ni微米纤维。
- 姚永林张传福湛菁丁风华邬建辉
- 关键词：热力学分析前驱体热分解
- 从含铋溶液中用溶剂萃取法提取铋及制备氧化铋的方法
- 本发明提出一种从含铋溶液中用溶剂萃取法提取铋及制备氧化铋的方法，包括步骤：(1)Fe<Sup>3+</Sup>还原；(2)铋水解；(3)铋水解渣盐酸重溶；(4)萃取；(5)洗涤；(6)反萃沉淀(7)热分解等步骤。本发明提...
- 张传福湛菁丁风华王志坚
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- 从含铋溶液中用溶剂萃取法提取铋及制备氧化铋的方法
- 本发明提出一种从含铋溶液中用溶剂萃取法提取铋及制备氧化铋的方法，包括步骤：(1)Fe<Sup>3+</Sup>还原；(2)铋水解；(3)铋水解渣盐酸重溶；(4)萃取；(5)洗涤；(6)反萃沉淀(7)热分解等步骤。本发明提...
- 张传福湛菁丁风华王志坚
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- 一种Zn-P-As晶体材料及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种Zn‑P‑As晶体材料及其制备方法和应用，所述Zn‑P‑As晶体材料中Zn、P、As的原子比为3：5：2.6，正交晶系，空间群为Cmcm，晶胞参数为<Image file="DDA000315179912...
- 梁彦杰刘振兴柴立元邓方杰彭聪杨志辉周元丁风华周艺伟
- 文献传递
- 一种锂离子电池负极材料Bi<Sub>2</Sub>Mn<Sub>4</Sub>O<Sub>10</Sub>的制备及其应用
- 本发明属于能源材料领域，提出一种锂离子电池负极材料Bi<Sub>2</Sub>Mn<Sub>4</Sub>O<Sub>10</Sub>的制备方法及所得产物。所述制备方法包括步骤：(1)按n(Mn)/n(Bi)＝2的摩尔配...
- 湛菁龙怡宇陈军王志坚夏楚平丁风华
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- 一种Zn-P-As晶体材料及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种Zn‑P‑As晶体材料及其制备方法和应用，所述Zn‑P‑As晶体材料中Zn、P、As的原子比为3：5：2.6，正交晶系，空间群为Cmcm，晶胞参数为<Image file="DDA000315179912...
- 梁彦杰刘振兴柴立元邓方杰彭聪杨志辉周元丁风华周艺伟
- 从氯化铋溶液中萃取铋并制备氧化铋被引量：1
- 2015年
- 以含有铜离子、铁离子和锰离子的氯化铋溶液为萃原液,磷酸三丁酯(TBP)为萃取剂,通过萃取—反萃取沉淀—热分解工艺直接制备超细氧化铋粉末,考察了萃取时间、萃取温度、有机相体积分数、溶液中氯离子质量浓度和相比对溶液中铋、铁萃取率的影响。试验结果表明:在铋离子初始质量浓度19g/L、氯离子质量浓度46.0g/L、铁离子质量浓度1.5g/L、TBP体积分数60%、萃取温度30℃、有机相与水相体积比(相比)1∶1条件下,经4级逆流萃取,铋萃取率达98.5%,铁萃取率为49.4%;经过稀盐酸洗涤后,有机相中铁洗脱率为99.7%;用草酸作反萃取剂反萃取铋,铋的一级反萃取率即达99.3%,反萃取产物为草酸铋;草酸铋热分解得到纯度为99.8%的α-Bi2O3。
- 张传福丁风华湛菁王志坚邬建辉曹文馨
- 关键词：溶剂萃取热分解
- 氯盐体系下含铋溶液净化及氧化铋制备的工艺研究
- 随着复杂难处理低品位铋矿增多，传统熔炼工艺环境污染问题日益突出，湿法处理含铋物料的研究愈来愈受到重视。铋矿或含铋烟尘等原料经过不同的湿法浸出过程，铋及其他伴生金属以金属离子的形式进入到浸出液中。盐酸氯盐体系作为铋湿法工艺...
- 丁风华
- 关键词：辉铋矿溶剂萃取
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- 一种Zn-P-As单晶的制备方法
- 本发明公开了一种Zn‑P‑As单晶的制备方法，单质As与单质P放置处定义为a端，与a端相对应的用于结晶的另一端定义为c端，a端和c端之间的ZnO放置处定义为b端；保护性气氛或真空的密闭环境下，将单质As、单质P和ZnO按...
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