黄小健
- 作品数：12 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
- 相关领域：核科学技术电子电信医药卫生更多>>
- 基于核四极共振技术的邮件爆炸物检测系统
- 本文介绍了基于核四极矩共振(Nuclear Quadrapole Resonance,简称NQR)的爆炸物探测技术的原理和方法,并详细介绍了基于NQR技术的邮件爆炸物检测系统。该系统采用了直接数字合成技术定制激发脉冲序列...
- 何高魁宛玉晴田华阳金余恒黄小健刘洋
- 关键词：爆炸物检测傅立叶变换邮件
- 文献传递
- 大面积平面工艺Si带电粒子探测器研制被引量：1
- 2009年
- 叙述了用平面工艺技术制备大面积Si带电粒子探测器的工艺方法。为了减小探测器的漏电流,采用了表面钝化技术。文章分别给出了厚度300μm、灵敏区直径20mm以及厚度500μm、灵敏区直径40mm探测器在室温下漏电流测量结果,以及探测器在室温条件下对241Am 5.486MeVα粒子的能谱响应测量结果。
- 张万昌孙亮黄小健刘洋陈国柱
- 关键词：能量分辨率
- X射线荧光分析中原级谱分布的计算被引量：3
- 2015年
- X射线荧光分析中,X射线管产生的原级谱的分布对荧光分析的影响很大。尤其是在元素间吸收增强效应的校正过程中,基本参数法要求准确获得X射线原级谱的强度分布。使用MCNP程序模拟不同加速电压、不同靶材料、不同铍窗厚度等条件下电子打靶后的X射线能谱分布,为X射线荧光分析仪研制过程优化X光管靶材、管压等提供依据,实现高精度的X射线荧光分析。
- 赵江滨何高魁黄小健
- 关键词：X射线荧光分析蒙特卡罗方法
- 测定红细胞变形性的方法和装置
- 本发明公开了一种测定红细胞变形性的方法和装置。该方法利用微孔膜测量红细胞通过微孔的时间来分析红细胞的平均变形能力，群体变形能力和单个红细胞的变形能力。该装置的结构为在一容器内放置探测器，探测器由绝缘材料制成，在探测器壁上...
- 何高魁黄小健陈宝流王玉兰朱天成
- 文献传递
- 基于平面工艺硅探测器的β伏打微核能电池
- 2011年
- 简要叙述了利用平面工艺硅探测器和放射性同位素构成的β伏打微核能电池的原理,比较了不同灵敏面积硅探测器对β伏打微核能电池开路电压的影响。实验证明,单个β伏打微核能电池的开路电压可达到0.15 V～0.3 V,采用串、并联方式可以获得较大的输出功率。
- 张凯何高魁黄小健刘洋孟欣郝晓勇
- 关键词：硅探测器
- 用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声电荷灵敏前置放大器的设计被引量：4
- 2014年
- 介绍了一种用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声晶体管反馈电荷灵敏前置放大器的设计。在场效应管制冷到-20℃,成形时间为6μs条件下,前放的零电容电子学噪声(对Si探测器)为150 eV。与平面工艺技术制备的厚度500μm,灵敏面积5 mm2的Si-PIN探测器配用,采用小型温差电制器制冷至-20℃,对5.9 keV X射线的能量分辨率(FWHM)最好可以达到195 eV。
- 刘洋田华阳何高魁黄小健郝晓勇继世梁
- 关键词：低噪声高分辨率SI-PIN探测器
- 平面工艺Si-PIN低能X射线探测器研制被引量：6
- 2009年
- 叙述了用平面工艺技术制备Si-PIN低能X射线探测器的工艺方法。为了减小探测器的漏电流,采用了表面钝化和保护环技术。文章给出了厚度500μm,灵敏面积分别为5 mm2、10mm2的不同探测器在室温下漏电流测量结果以及5mm2的探测器在室温及温差电致冷条件下对55Fe5.9keV X射线的能谱响应测量结果。
- 张万昌何高魁黄小健乌如恭桑孙亮
- 关键词：SI-PIN探测器能量分辨率
- 基于核四极共振技术的邮件爆炸物检测系统被引量：3
- 2012年
- 介绍了基于核四极矩共振(Nuclear Quadrapole Resonance,简称NQR)的爆炸物探测技术的原理和方法,并详细介绍了基于NQR技术的邮件爆炸物检测系统。该系统采用了直接数字合成技术定制激发脉冲序列,激发脉冲的相位、幅度和频率可实现程序精确控制。系统中采用了自动调谐技术保证探头只对感兴趣的频率点灵敏,集成了温度-频率关系曲线使得系统能够根据被测样品的温度自动修正激发频率。同时,在数据处理中引入加权算法抑制噪声干扰,提高了探测准确度。
- 何高魁宛玉晴田华阳金余恒黄小健刘洋
- 关键词：爆炸物检测傅立叶变换邮件
- 一种分析设备以及方法
- 本申请公开了一种分析设备以及分析方法，所述分析设备包括：一体化X射线装置、检测装置、以及分析装置，其中：所述一体化X射线装置，用于在接收到控制信号的情况下，基于所述控制信号发射X射线，并将所述X射线投射至待检测标本；其中...
- 赵江滨何高魁刘洋黄小健纪世梁
- 文献传递
- 快响应低能X射线平面工艺Si电流型探测器研制
- 叙述了采用传统的平面工艺技术制备的快响应电流型Si探测器的制备工艺。为了提高探测器的时间响应,对300μm厚的探测器进行了适当的减薄处理。给出了不同探测器样品减薄处理前后的漏电流测量结果及厚度100μm,灵敏面积为10、...
- 张万昌丁洪林何高魁黄小健王英
- 文献传递
