魏俊俊
- 作品数：196 被引量：86H指数：5
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>
- 金刚石探测器材料研制与中子探测性能研究被引量：4
- 2021年
- 核技术领域快中子监测需要探测器具有耐辐照、快响应和耐高温等特点。相比于其它探测器,金刚石探测器具有体积小、抗辐照能力强、时间响应快等优点,目前国内市场上成熟的探测器产品均采用国外的探测器级金刚石材料。本文基于市售的高温高压单晶晶种,采用氧原子等离子体净化实现杂质并入的控制,获得了低杂质含量的高质量单晶金刚石。金刚石经封装后应用于中国散裂中子源进行中子监测试验,实现了对中子脉冲的能量监测。探测器的中子飞行时间谱显示出明显的脉冲分辨,由于C-12原子核与高能中子高的散射截面,在飞行时间谱上产生了对应的共振峰结构,且中子飞行时间谱显示出较高的可靠性,受探测器波动的影响较小,表明当前的金刚石探测器能够满足快中子束流监测的需求。
- 刘金龙朱肖华郭彦召邵思武胡婷婷修青磊孙志嘉朱志甫陈良贤陈良贤魏俊俊
- 关键词：金刚石探测器位错中国散裂中子源
- 一种超高定向导热碳基复合材料的制备方法
- 一种超高定向导热碳基复合材料的制备方法，属于半导体材料制备领域。通过金刚石表面处理后自助转移石墨烯制备石墨烯/金刚石定向超高导热复合材料，工艺步骤为：a.制备态金刚石膜经精密机械抛光获得低于1nm粗糙度的表面，也可在激光...
- 刘金龙李成明苗建印李振宇魏俊俊陈良贤黑立富张建军闫雄伯
- 一种金刚石增强碳化硅复合晶圆的制备方法
- 一种金刚石增强碳化硅(SiC)复合晶圆的制备方法，属半导体材料制备领域。即在经800‑1000℃真空热处理后的SiC碳极性面镀制5‑20nm的SiNx薄层。经微波氢等离子体处理1‑5min后通入氢气流量比例5‑10％的甲...
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- 一种高功率远红外金刚石激光单晶复合材料制备方法
- 一种高功率远红外金刚石激光单晶复合材料制备方法，属于金刚石激光晶体材料领域。首先采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)制备(100)金刚石单晶膜；随后经过激光平整化、抛光、酸洗以及丙酮和酒精清洗后获得热导率≥2000w/...
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- 文献传递
- 一种带金刚石微柱阵列的金刚石基GaN材料制备方法
- 一种带金刚石微柱阵列的金刚石基GaN材料制备方法，属于半导体技术与电子器件散热领域。实施步骤为五步，包括：GaN原始硅衬底减薄，硅衬底构建微孔，微孔底部镀至介质层，沉积金刚石微柱阵列，金刚石生长面研抛。最终完成带金刚石微...
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- 文献传递
- 一种在单晶金刚石表面获得自由原子层的方法
- 本发明公开了一种在单晶金刚石表面获得自由原子层的方法，属于半导体加工技术领域。其特征在于，在研磨抛光、酸洗及超声清洗后的单晶金刚石表面镀覆一层溶碳薄膜，然后依次进行高温热处理、稀酸浸泡、超声清洗和氮气吹干，从而在单晶金刚...
- 李成明原晓芦刘金龙魏俊俊邵思武朱肖华安康陈良贤
- 文献传递
- 一种提高金刚石基薄膜电阻附着力的方法
- 本发明涉及电子元件技术领域，特别是指一种提高金刚石基薄膜电阻附着力的方法，包括以下步骤：S1、将CVD金刚石衬底进行研磨抛光处理；S2、然后再在感应耦合等离子体设备中进行氮等离子体轰击，以去除CVD金刚石表面吸附的氧原子...
- 魏俊俊王越乔冠中尹育航周浩钧陶洪亮郑宇亭李成明
- 金刚石自支撑膜的高温红外透过性能被引量：9
- 2017年
- 由于金刚石具有低吸收和优异的力学与导热性能使其成为长波(8~12μm)红外光学窗口材料的重要选择。对于许多极端条件的应用,化学气相沉积(CVD)金刚石自支撑膜的高温光学性质至关重要。应用直流电弧等离子喷射法制备光学级金刚石自支撑膜进行变化温度的红外光学透过性能研究,采用光学显微镜、X射线衍射、激光拉曼和傅里叶变换红外-拉曼光谱仪检测CVD金刚石膜的表面形貌、结构特征和红外光学性能。结果表明:在27℃时金刚石膜长波红外8~12μm之间的平均透过率达到65.95%,在500℃时8~12μm处的平均透过率为52.5%。透过率下降可分为3个阶段。对应于透过率随温度的下降,金刚石膜的吸收系数随温度的升高而增加。金刚石自支撑膜表面状态的变化,对金刚石膜光学性能的影响显著大于内部结构的影响。
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- 自支撑金刚石膜冲蚀磨损研究被引量：1
- 2007年
- 在研制的高压气动冲蚀磨损实验系统中对自支撑金刚石膜(抛光和未抛光)的冲蚀磨损进行了研究。比较了冲蚀磨料(SiO2,Al2O3,SiC和玻璃珠)、冲蚀角度、冲蚀速度,以及冲蚀时间对冲蚀磨损率的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)观察了冲蚀磨损后金刚石膜表面形貌,对其进行了Raman光谱分析,并测定了抛光金刚石薄膜红外透过率的变化。结果表明,随冲蚀磨料硬度、冲蚀角度以及冲蚀速度的增加,自支撑金刚石膜的冲蚀磨损率增加。由于抛光和未抛光的金刚石薄膜表面形貌的差异,使得它们的冲蚀磨损率随冲蚀时间的变化过程不同。Raman光谱检测结果显示,由于冲蚀作用,金刚石膜表面部分碳的键合类型发生改变。冲蚀磨损使得抛光金刚石薄膜红外透过率降低,采用180目SiC磨料,在134 m/s的速度下冲蚀4 h,红外透过率降低约20%。
- 贺琦张凤雷魏俊俊郭会斌吕反修
- 关键词：冲蚀磨损红外透过率
- 一种垂直拼接制备大尺寸CVD金刚石及切割方法
- 本发明公开了一种垂直拼接制备大尺寸CVD金刚石及切割方法，属于金刚石材料制备领域。通过在多个垂直紧密排列的单晶金刚石籽晶侧面外延生长大尺寸CVD金刚石，然后通过激光切割工艺依次将籽晶与外延金刚石分离后得到大尺寸CVD金刚...
- 李成明刘金龙朱肖华邵思武赵云屠鞠萍陈良贤魏俊俊张建军
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