高海霞
- 作品数：33 被引量：38H指数：4
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术自然科学总论更多>>
- 基于SRAM技术的现场可编程门阵列器件设计技术研究
- 现场可编程门阵列(FPGA)诞生二十年以来,已经成为数字电路最常用的实现载体.本文旨在研究开发基于SRAM技术的FPGA结构,并根据研究获取的结构参数设计FPGA器件样品.主要研究工作和结果如下:1、通过研究商用FPGA...
- 高海霞
- 关键词：现场可编程门阵列查找表布线结构蒙特卡罗芯片
- 漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响
- 2014年
- 研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间距(DCGS)值的保护器件单位宽度失效电流水平的变化趋势.结合器件仿真,分析了保护器件的电、热分布情况.研究结果表明,DCGS值的增大,使电流密度峰值向远离沟道的方向移动,从而降低了尖端放电的风险.同时,当DCGS值增大到一定阈值时,由于漏区与衬底温度达到平衡,因此失效电流水平出现饱和趋势.
- 吴晓鹏杨银堂董刚高海霞
- 关键词：静电放电
- 直接数字频率合成器的Simulink建模与仿真
- 直接数字频率合成器(DDS)具有频率转换时间短，分辨率高，输出相位连续等优点，是现代频率合成的重要技术之一。本文建立了系统级DDS模型及Simulink动态仿真模型(主要运用了Simulink节点下Sources、Sub...
- 张萍高海霞柴常春杨银堂
- 关键词：直接数字频率合成器相位累加器SIMULINK仿真
- 文献传递
- 一种氮化物基的模拟型阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种氮化物基模拟型阻变存储器，包括：衬底层、粘附层、底电极层、阻变介质层、插层、顶电极层和保护层；其中，衬底层、粘附层、底电极层和阻变介质层由下到上依次设置；阻变介质层的宽度小于底电极层的宽度；插层设置于阻变...
- 高海霞白奕凡朱世龙钱梦依段毅伟
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
- 本发明公开了一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，它涉及到微电子技术领域，主要解决器件工作频率低和抗辐照性能差的问题。该器件按生长顺序依次包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al<Sub>0.3</Sub>G...
- 马晓华曹艳荣郝跃高海霞王冲杨凌
- 文献传递
- FPGA布线开关的电路设计被引量：3
- 2003年
- 在分析隔离岛式FPGA布线结构的基础上,设计了导通晶体管布线开关和三态缓冲布线开关。设计了级恢复电路,解决了导通晶体管开关引起的静态功耗问题。提出了基于扇入的三态缓冲开关bufm,避免了一般缓冲开关的扇出问题。最后,我们对各种布线开关的延时特性作了比较,提出了一些合理的建议。
- 郑泉智杨银堂高海霞
- 关键词：现场可编程门阵列布线开关优化设计
- 一种初始周期高低阻态稳定的阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种初始周期高低阻态稳定的阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器从下至上依次包括：衬底层、底电极层、阻变介质层、量子点层、顶电极层和保护层。本发明通过在阻变介质层和顶电极层之间旋涂量子点层，能够提高顶电极层对...
- 高海霞钱梦依段毅伟孙宇昕武书良
- 准确的FPGA互连长度和通道宽度估计(英文)
- 2006年
- 提出了一种新的FPGA互连预测算法,包括互连长度估计算法和通道宽度估计算法.实验结果表明,与现有算法相比,该估计算法能获得更准确的估计结果.
- 高海霞马晓华杨银堂
- 关键词：FPGA
- 浮点加法器的低功耗结构设计被引量：3
- 2002年
- 浮点加法器是集成电路数据通道中重要的单元 ,它的性能和功耗极大地影响着处理器和数字信号处理器的性能。文章分析了浮点加法器的几种结构 ,重点介绍了实现低功耗的三数据通道结构。最后 。
- 高海霞杨银堂
- 关键词：浮点加法器低功耗数字信号处理器数据通道数字集成电路
- 基于LUT的SRAM-FPGA结构研究被引量：7
- 2003年
- 作为微电子工业中发展最迅速的一个领域 ,现场可编程门阵列 (FPGA)的内部结构设计越来越受到业内人士的关注。为此针对目前普遍采用的基于查找表 (LUT)的SRAM FPGA ,着重研究了其逻辑模块设计、布线结构设计和输入输出模块设计 。
- 马群刚杨银堂李跃进高海霞
- 关键词：现场可编程门阵列查找表SRAM单元内部结构优化设计
