陈长青
- 作品数：5 被引量：19H指数：3
- 供职机构：北京真空电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 单根碳纳米管栅控场发射阵列阴极的研制
- 利用集成栅控CNT场发射阵列阴极的制造技术,研制了一种生长在Mo尖上的单根 CNT场发射阵列阴极。高分辨率扫描电子显微镜照片表明,在一个11000发射单元的阵列中, 大约50-70％的发射体是单根CNT。5×5 CNT ...
- 丁明清邵文生陈长青李兴辉白国栋张甫权李含雁冯进军
- 关键词：碳纳米管
- 文献传递
- 微图形定向碳纳米管场发射阵列冷阴极的研究被引量：12
- 2007年
- 本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)生长直立的碳纳米管。并对17500个发射单元的阵列阴极进行了表面形貌表征及场发射特性测试。结果表明,碳纳米管阵列阴极的一致性较好;最低开启电场为1 V/μm;电场为17 V/μm时,测得的电流密度已达到90 mA/cm2;发射电流为550μA时,在2.5 h内的波动小于5.6%。
- 陈长青丁明清李兴辉白国栋张甫权冯进军邵文生
- 关键词：定向碳纳米管
- 单根定向碳纳米管阵列的结构设计与屏蔽效应的研究
- 本文介绍了单根定向碳纳米管阵列阴极的结构设计与屏蔽效应的模拟。模拟结果表明，对于固定高度h和直径的单根碳纳米管阵列阴极，当碳纳米管之间的间距d满足d≥2h时，电场屏蔽效应趋于最小。考虑到阵列阴极对封装密度的要求，设计CN...
- 陈长青丁明清冯进军白国栋张甫权李兴辉
- 关键词：电真空器件纳米材料碳纳米管
- 文献传递
- 利用UV曝光技术研制单根定向碳纳米管阵列冷阴极被引量：3
- 2010年
- 通过普通的紫外（UV）光刻工艺，结合“变倾角缩口”新技术，研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管（CNTs）阵列阴极。扫瞄电镜分析表明，随着缩口尺寸的依次减小（从0．6μm到0．4μm，最后到0．2μm），发射单元内CNTs的根数也不断减少。当孔径缩至0．2μm时，发射单元仅由1根～3根CNTs组成，并且大部分单元顶端均有单根CNT伸出，使得整个发射体近似于单根CNT。场发射特性测试结果表明，0．2μm发射单元尺寸的阵列阴极，开启电场约2V·μm-1；当场强为20V·μm-1时，该阵列的电流密度达到0．35A·cm-2，比1μm尺寸的阵列阴极提高了近4倍，比连续生长的薄膜CNTs阴极则高1～2个数量级。
- 陈长青丁明清李兴辉白国栋张甫权冯进军
- 无支撑、光学级MPCVD金刚石膜的研制被引量：4
- 2011年
- 利用引进的6 kW微波等离子体化学气相沉积设备,进行了无支撑金刚石膜工艺的初步研究。在800~1050℃的基片温度范围内,金刚石膜都呈（111）择优取向;基片相对位置对沉积较大面积、光学级金刚石膜至关重要。制出0.25 mm厚Φ50 mm的无支撑金刚石膜。拉曼光谱和X射线衍射分析表明,合成的金刚石膜晶体结构完整,sp2含量极低;透过率测试结果说明了优良的光学性能：截止波长225 nm,光学透过率（λ≥2.5μm）≥70%。
- 丁明清陈长青白国栋李含雁冯进军胡银富
- 关键词：微波等离子体化学气相沉积
