您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇电路
  • 3篇射频集成
  • 3篇射频集成电路
  • 3篇集成电路
  • 2篇单片
  • 2篇单片电路
  • 2篇电路芯片
  • 2篇在片测试
  • 2篇射频
  • 2篇砷化镓
  • 2篇芯片
  • 2篇集成电路芯片
  • 2篇测试技术
  • 1篇单刀双掷
  • 1篇单刀双掷开关
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇阳极
  • 1篇移动通信
  • 1篇射频功率
  • 1篇数据统计

机构

  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 5篇陈新宇
  • 3篇吴振海
  • 3篇钱峰
  • 3篇徐光
  • 2篇许正荣
  • 2篇陈金远
  • 1篇杨乃彬
  • 1篇蒋幼泉
  • 1篇刘军霞
  • 1篇邵凯
  • 1篇蒋东铭
  • 1篇李拂晓
  • 1篇陈辰

传媒

  • 1篇2010年全...

年份

  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
移动通信砷化镓射频集成电路开发及产业化
李拂晓蒋幼泉杨乃彬陈新宇陈辰邵凯钱峰钮利荣许正荣吴振海徐中仓冯欧杨立杰
以中国电子科技集团公司第五十五研究所所现有砷化镓3英寸、0.5微米集成电路工艺线为依托,自主开发移动通信基站和手机用砷化镓射频集成电路,主要研究内容包括砷化镓标准工艺技术、工艺控制技术、批生产技术、射频产品的塑封技术、电...
关键词:
关键词:砷化镓射频集成电路移动通信
集成电路芯片的射频测试技术
射频测试是射频集成电路生产的关键技术。针对全面性能测试的要求,提出了用于射频IC的直流在片测试系统和小信号S参数测试系统,并完成了测试数据统计及成品率统计程序的编写。测试结果表明,该系统解决了射频芯片100%在片测试的技...
徐光吴振海陈金远钱峰陈新宇
关键词:射频集成电路在片测试
文献传递
微波大功率,低限幅电平的砷化镓PIN管限幅器单片电路
本发明是微波大功率,低限幅电平的砷化镓(GaAs)PIN管限幅器单片电路,采用3级结构设计,第1级采用6个相同的GaAs PIN二极管的对管结构,其中3个砷化镓PIN二极管阴阳极相串联,阳极连接微波信号传输线,阴极连接地...
陈新宇蒋东铭刘军霞
文献传递
射频功率单刀双掷开关电路
本发明是一种基于砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的射频功率单刀双掷开关(SPDT)电路。开关单片电路采用三栅PHEMT,串并拓扑,对称结构设计。信号经过2个三栅PHEMT串联到输出端,输出端同时经过...
许正荣陈新宇徐光
文献传递
集成电路芯片的射频测试技术
射频测试是射频集成电路生产的关键技术。针对全面性能测试的要求,提出了用于射频IC的直流在片测试系统和小信号S参数测试系统,并完成了测试数据统计及成品率统计程序的编写。测试结果表明,该系统解决了射频芯片100%在片测试的技...
徐光吴振海陈金远钱峰陈新宇
关键词:射频集成电路在片测试数据统计
文献传递
共1页<1>
聚类工具0