钟雨乐
- 作品数：15 被引量：20H指数：2
- 供职机构：暨南大学理工学院电子工程系更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金国务院侨办重点学科基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生自动化与计算机技术更多>>
- 一种新型氮化硅氢离子敏器件及其特性被引量：1
- 1996年
- 新型氮化硅氢离子敏器件采用ＰＥＣＶＤ法淀积ＳｉＮｘＨｙ膜同时作敏感膜与二次钝化保护膜。改善了器件的密封性能；敏感灵敏度β＝５６～６０ｍＶ／ｐＨ，比用ＬＰＣＶＤ法淀积的Ｓｉ３Ｎ４膜提高１４％，β的线性度有明显改善；响应时间也缩短一倍。
- 钟雨乐赵守安刘涛
- 关键词：PECVD氮化硅氢离子
- MNOS晶体管的存储特性及其测量方法
- 1989年
- 本文介绍了MNOS晶体管的存储特性,包括开关滞后特性、写擦特性、存储电荷保留特性和耐久性.提出了测量这些特性的一种有效方法,并给出了研制中的MNOS晶体管的测量结果.
- 钟雨乐赵守安
- 全文增补中
- SIO<,2>/SINXHY结构敏感功能及MNOS结构存储功能研究
- 钟雨乐刘涛黄君凯赵守
- ＳｉＯ＜，２＞／ＳｉＮｘＨｙ敏感功能研究获输出特性时漂理论模型和近似表达式，成功地解释了实验结果。ＭＮＯＳ存储功能研究提出了热激电流存储峰分析理论，获得改善存储特性的非均匀氮化硅膜的实验结果，有重要实用价值。
- 关键词：
- 关键词：半导体存储器结构化学
- SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析被引量：1
- 2003年
- 采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 。
- 黄君凯易清明刘伟平钟雨乐张坤
- 关键词：非挥发性存储器
- 晶体管直流埃-莫模型参数的讨论
- 1990年
- 本文给出了晶体管直流埃-莫模型参数物理意义的一种简明讨论方法,回避了繁琐的数学推导,而突出了参数的物理本质。
- 钟雨乐
- 关键词：双极性晶体管直流
- 电子束辐照a-Si的模拟计算被引量：1
- 1999年
- 在分析了非晶硅（ａ－Ｓｉ）材料的模型后，提出了一种能够反映ａ－Ｓｉ材料结构特点的无规网络模型。以此模型为基础，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟计算了能量为０．５～２．５ＭｅＶ的电子束与ａ－Ｓｉ的相互作用，得到了一些对电子辐照实验有参考价值的结果。
- 胡翠英钟雨乐张春粼
- 关键词：非晶硅电子辐照模拟计算
- 电子辐照改善氢化非晶硅的结构弛豫
- 2001年
- 氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）的结构弛豫是导致α－Ｓｉ：Ｈ性能光诱导衰变的重要原因之一。用０．５ＭｅＶ、注量１．３ × １０２０ｅ／ｃｍ２的电子束辐照，α－Ｓｉ转化为微晶硅，不稳定的弱Ｓｉ－Ｓｉ键因断裂而减少。 α－Ｓｉ光电池的相应试验初步证实，合适的电子辐照可以缓解α－Ｓｉ的结构弛豫现象。
- 钟雨乐刘伟平黄君凯
- 关键词：电子辐照非晶硅结构弛豫微晶化光电池
- PECVD法淀积SiN_xH_y工艺在H^+-ISFET上应用的探讨被引量：2
- 1992年
- 本文研究和讨论了使用H99-7S型多用离子反应仪PECVD法淀积氮化硅(SiN_xH_y)膜的工艺,并探讨了SiN_XH_Y膜同时作为氢离子敏场效应晶体管(H^+-ISFET)敏感膜及二次钝化保护膜的可行性,以改善H^+-ISFET器件的密封防渗漏性能。
- 钟雨乐刘涛李京娜
- 关键词：PECVD淀积
- 水化层对氮化硅膜pH－ISFET输出特性的影响被引量：1
- 1994年
- 对氮化硅膜ｐＨ－ＩＳＦＥＴ的输出特性与水化层的关系进行了一系列实验研究。若水化层的增长速率较大，器件的敏感灵敏度及其线性范围、响应速度都有明显的改善。水化层增长速率较高的敏感膜具有较大的时漂速率；时漂速率为一常数，与浸泡溶液无关。
- 钟雨乐刘涛
- 关键词：敏感膜氮化硅膜
- 园筒型等离子体刻铝及去胶系统
- 1987年
- 本文介绍一套结构比较简单、适合实验室使用的筒园型等离子体刻铝及去胶系统,研究了用CCl_4作为铝刻蚀气体时,刻蚀速率与气体流量、放电电压、样品在反应室内几何位置的关系,并找到了最佳刻蚀条件.
- 钟雨乐骆伙有
- 关键词：刻蚀CCI蚀刻水蚀刻蚀速率等离子体
