郭晓璐
- 作品数：7 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 长波及窄带双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器
- 我们已经生长出质量极高的两种不同界面类型的长波超晶格材料，其中InSb界面类型和混合界面类型的长波p-i-n型器件结构的X射线双晶衍射卫星峰半宽分别为24和17弧秒(图1)，应变在10-4量级，材料的XRD半宽是目前世界...
- 张艳华马文全卫炀黄建亮曹玉莲崔凯郭晓璐
- 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法
- 本发明公开了一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法，包括步骤S1：在半绝缘GaAs衬底上外延生长GaAs缓冲层；步骤S2：在所述GaAs缓冲层上外延生长GaSb缓冲层；步骤S3：在所述GaSb缓冲...
- 郭晓璐马文全张艳华
- 文献传递
- GaSb/GaAs二型自组装量子点材料生长及光学性质
- 零维结构的量子点,能够在三个生长方向限制电子或空穴,具有独特的光学和电学性质,因此被广泛应用于激光器、探测器以及存储器的研究中。相对于研究较为成熟的一型异质结构(type-Ⅰ)InAs/GaAs量子点体系,GaSb/Ga...
- 崔凯马文全卫炀黄建亮张艳华曹玉莲郭晓璐
- 关键词：量子点材料光电性质
- 长波,甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器
- 我们已经生长出质量极高的长波、甚长波超晶格材料,XRD 表明长波、甚长波p-i-n 型器件结构的X 射线双晶衍射卫星峰半高宽分别为17 和21 弧秒,应变都在10-4 量级,两个器件在77K温度下,50％截止波长分别为9...
- 张艳华马文全卫炀黄建亮曹玉莲崔凯郭晓璐
- 锑化物二类超晶格红外探测器被引量：3
- 2019年
- 本文主要展示了近几年来该课题小组在InAs/GaSb二类超晶格红外探测器领域取得的一些研究成果,如在短波波段(1～3μm)、中波波段(3～5μm)、长波波段(8～12μm)、甚长波波段(>14μm)等单色器件的成果,以及双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器方面的成果,如短/中波双色、短波/甚长波双色,长波/甚长波双色红外探测器等单管器件。除此之外,还展示了384×288中波波段InAs/GaSb二类超晶格红外焦平面探测器组件。
- 黄建亮张艳华张艳华黄文军曹玉莲卫炀黄文军郭晓璐李琼卫炀崔凯
- 关键词：INAS/GASB焦平面阵列红外探测器
- 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法
- 本发明公开了一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法，包括步骤S1：在半绝缘GaAs衬底上外延生长GaAs缓冲层；步骤S2：在所述GaAs缓冲层上外延生长GaSb缓冲层；步骤S3：在所述GaSb缓冲...
- 郭晓璐马文全张艳华
- 文献传递
- 长波和甚长波及其双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的研究进展被引量：6
- 2014年
- 本文报道了基于InAs/GaSb二类超晶格实现长波、甚长波及窄带长波/甚长波双色红外探测器的研究,生长的材料具有极高的材料质量.长波探测器单管器件在77 K条件下50%截止波长为9.6μm,峰值响应为3.2 A/W,峰值量子效率为51.6%;甚长波红外探测器单管器件在77 K条件下50%截止波长为14.5μm,量子效率为14%,热噪声限制的探测率为4.3×109 cm Hz1/2 W-1.通过改变偏压极性实现双色探测的窄带型长波/甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器两端器件,偏压小于0 V时在长波区工作,偏压大于40 mV时,在甚长波区工作.具体来说,偏压为-0.1 V时,器件光响应50%截止波长为10μm;而偏压为40 mV时,器件光响应50%截止波长为16μm.对于长波光响应,δλ/λ为44%,对于甚长波响应,δλ/λ为46%.甚长波对长波的串音为9.9%,长波对甚长波的串音为11.8%.
- 张艳华马文全卫炀黄建亮曹玉莲崔凯郭晓璐邵军
- 关键词：INAS红外探测器长波
