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郑春蕾

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：西安理工大学更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电特性
  • 2篇退火
  • 2篇退火工艺
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射法
  • 2篇光电
  • 2篇光电二极管
  • 2篇光电特性
  • 2篇二极管
  • 2篇Β-FESI...
  • 2篇4H-SIC
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 2篇磁控溅射法
  • 1篇电路
  • 1篇信号
  • 1篇信号发生
  • 1篇信号发生器
  • 1篇异质结
  • 1篇振荡器

机构

  • 4篇西安理工大学

作者

  • 4篇郑春蕾
  • 2篇李虹
  • 2篇蒲红斌
  • 2篇陈曦

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
4H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜的工艺研究
采用磁控溅射Fe-Si合金靶和Si靶共镀加后续退火的方法在4H-SiC(0001)衬底上制备了β-FeSi2薄膜.主要研究了Si靶溅射时间对β-FeSi2薄膜形成的影响,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)...
李虹郑春蕾曹晓薇陈曦蒲红斌
关键词：半导体材料磁控溅射法退火工艺微观结构
一种LED数字电子钟
本实用新型提供一种LED数字电子钟，包括秒信号发生器电路和与之连接数字钟电路；数字钟电路包括数码管电路，译码驱动电路，时间计数器电路，晶体振荡器电路和分频器电路；数码管电路的输出端与译码驱动电路的输入端连接，译码驱动电路...
郑春蕾
文献传递
β-FeSi2/4H-SiC PIN近红外光电二极管的实验研究
采用磁控溅射FeSi2合金靶、Si靶和Al靶共镀加后续快速退火工艺在4H-SiC衬底上制备了β-FeSi2/4H-SiC PIN光电二极管.采用Keithley6517静电计和探针台组成的集成系统对β-FeSi2/4H-...
郑春蕾陈曦李虹蒲红斌
关键词：PIN光电二极管磁控溅射法退火工艺光电特性
β-FeSi2/4H-SiC异质结光电二极管的制备及其光电特性的改善
半导体的迅猛发展肯定是和新材料、新器件的出现密不可分。伴随着6H-、4H-SiC体材料相继商品化，对SiC基光电器件的研究越来越引起了研究者们的普遍关注。4H-SiC材料由于禁带宽度宽，使得SiC基光电器件只能受控于紫外...
郑春蕾
关键词：异质结光电二极管界面态密度
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