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邵碧琳

作品数：3 被引量：8H指数：1
供职机构：南昌大学更多>>
发文基金：电子信息产业发展基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇衬底
  • 2篇导体
  • 2篇硅衬底
  • 2篇半导体
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化锌
  • 1篇寿命研究
  • 1篇光学
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇薄膜光学
  • 1篇SI衬底
  • 1篇ZNO
  • 1篇氮
  • 1篇铝
  • 1篇铟
  • 1篇镓
  • 1篇AG
  • 1篇GAN半导体
  • 1篇LED器件
  • 1篇MOCVD

机构

  • 3篇南昌大学

作者

  • 3篇邵碧琳
  • 2篇方文卿
  • 2篇江风益
  • 2篇王立
  • 1篇蒲勇
  • 1篇戴江南

传媒

  • 1篇光学学报

年份

  • 3篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
常压化学气相沉积法在Ag/Si(111)模板上生长ZnO薄膜及其性能研究被引量：7
2006年
在Si衬底上利用磁控溅射的方法沉积1.5 nm厚度的Ag膜用以阻挡Si衬底被氧化。采用常压金属有机化学气相沉积法(MOVCD),在Ag/Si(111)衬底上成功地生长出马赛克结构的ZnO薄膜。用光学显微镜观察表面形貌,结果显示有带晶向特征的微裂纹,裂纹密度为100 cm-1。依据X射线晶体衍射的结果,薄膜结晶质量良好,呈C轴高度择优取向。用双晶X射线衍射得到(002)面的ω扫描半峰宽为1.37°。温度10 K时光致发光谱(PL)观察到自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线。结果表明,金属有机化学气相沉积法方法在Si(111)衬底上制备ZnO薄膜时,Ag是一种有效的缓冲层。
邵碧琳江风益戴江南王立方文卿蒲勇
关键词：薄膜光学氧化锌AGSI衬底
硅衬底ZnO//GaN半导体材料生长及LED器件寿命研究
GaN为直接半导体带隙材料，在信息显示和固态照明等领域具有广阔的应用前景。相对于蓝宝石衬底而言，Si作为GaN LED衬底有许多优点，如：良好的导电、导热性、晶体质量高、尺寸大、成本低、容易加工等。近几年来，在Si衬底上...
邵碧琳
关键词：硅衬底ZNOMOCVD
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在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法
本发明公开了一种在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法，它首先在硅衬底表面形成一层银过渡层，然后在银过渡层上形成半导体薄膜。所述的半导体薄膜的成分为铟镓铝氮(In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>y</Sub>Al...
江风益邵碧琳王立方文卿
文献传递
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