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邓光敏

作品数：11 被引量：3H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 7篇半导体
  • 6篇VDMOS器...
  • 3篇导电类型
  • 3篇雪崩
  • 3篇功率半导体
  • 3篇功率半导体器...
  • 3篇半导体器件
  • 2篇电离
  • 2篇电离率
  • 2篇施主
  • 2篇施主杂质
  • 2篇漂移
  • 2篇晶体管
  • 2篇击穿电压
  • 2篇功率器件
  • 2篇安全工作区
  • 2篇半导体功率器...
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇电荷

机构

  • 11篇电子科技大学

作者

  • 11篇邓光敏
  • 10篇张波
  • 10篇李泽宏
  • 10篇任敏
  • 9篇张金平
  • 6篇张灵霞
  • 6篇张蒙
  • 5篇赵起越
  • 3篇宋询奕
  • 3篇张鹏
  • 2篇李果
  • 2篇王娜
  • 2篇李巍
  • 1篇宋洵奕
  • 1篇夏小军
  • 1篇谢加雄
  • 1篇李婷
  • 1篇刘小龙

年份

  • 3篇2013
  • 8篇2012
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有优化雪崩击穿电流路径的超结MOSFET器件
一种具有优化雪崩击穿电流路径的超结MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通超结MOSFET器件的第二导电类型半导体掺杂柱区(8)中嵌入一个掺杂浓度更高的第二导电类型半导体掺杂岛区(7)，同时将金属化源极...
任敏李泽宏邓光敏张灵霞张金平张波
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一种抗单粒子辐照的超结VDMOS器件
一种抗单粒子辐照的超结VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统超结VDMOS器件的超结结构中第二导电类型掺杂半导体柱区（4）的下方，引入一层二氧化硅介质层（12）。与传统超结VDMOS结构相比，通过二氧化...
任敏赵起越邓光敏张鹏宋询奕李泽宏张金平张波
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一种动态电荷平衡的超结VDMOS器件
一种动态电荷平衡的超结VDMOS器件，属于功率半导体器件领域。本发明在常规超结VDMOS器件超结结构的外延区（3）中掺入深能级杂质（对N沟道器件而言，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件而言，掺入受主杂质In、Ti...
任敏赵起越邓光敏李巍张蒙张灵霞李泽宏张金平张波
一种超结功率器件终端结构
一种超结功率器件的终端结构，属于半导体功率器件技术领域。包括器件元胞和器件终端；器件元胞漂移区由交替相间的P柱区和N柱区构成超结结构；器件终端包括过渡终端区和耐压终端区；所述过渡终端区处于器件元胞和耐压终端区之间；过渡终...
任敏李果宋询奕张鹏王娜邓光敏夏小军张蒙李泽宏张金平张波
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一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件
一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件，属功率半导体器件领域。本发明在常规超结VDMOS的超结结构中与外延区（3）导电类型相反的柱区（4）中掺入深能级杂质（对N沟道器件，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件，...
任敏赵起越邓光敏李巍张蒙张灵霞李泽宏张金平张波
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采用挖槽填充工艺的DMOS的雪崩耐量研究
非箝位电感开关过程（UIS）引起的器件失效是 DMOS器件应用过程中最主要的失效形式，雪崩耐量是衡量DMOS器件UIS特性的一个重要参数，提高DMOS的雪崩耐量可以很好解决UIS失效问题，因此，雪崩耐量的研究具有重要的意...
邓光敏
关键词：仿真模型
一种功率双极型晶体管及其制备方法
一种功率双极型晶体管及其制备方法，属于半导体器件与工艺制造领域。所述功率双极型晶体管由下到上依次包括：集电区金属电极，由第一导电类型半导体材料构成的集电区，由第二导电类型半导体材料构成的基区；基区的上方分别具有与基区表面...
任敏李果宋洵奕张鹏王娜邓光敏张蒙李泽宏张金平张波
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具有超薄源区的槽栅VDMOS器件的制备方法
具有超薄源区的槽栅型VDMOS的制备方法，属于半导体器件与工艺制造领域。借助斜角度离子注入技术，仅利用2张光刻版即可实现具有超薄源区的VDMOS器件，节约了制造成本，且超薄源区的形成不受光刻精度的制约，可以做得极窄，从而...
任敏张灵霞邓光敏张蒙赵起越李泽宏张金平张波
一种具有非均匀浮岛结构的VDMOS器件
一种具有非均匀浮岛结构的VDMOS器件，属于半导体功率技术领域。本发明在普通VDMOS的第一导电类型半导体漂移区中引入非均匀浮岛结构，所述非均匀浮岛结构包括至少两层第二导电类型半导体浮岛：上层第二导电类型半导体浮岛和下层...
任敏李泽宏邓光敏张灵霞张金平张波
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一种具有温度采样和过温保护功能的复合VDMOS器件
一种具有温度采样和过温保护功能的复合VDMOS器件，属于功率半导体器件领域。本发明集成了VDMOS器件、多晶硅热敏二极管和过温保护电路，利用多晶硅热敏二极管正向压降的负温度特性，将其制作于VDMOS器件表面的绝缘层上以实...
李泽宏任敏张灵霞邓光敏刘小龙谢加雄李婷张波
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