赵涧泽
- 作品数：14 被引量：26H指数：3
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- ZnO基p-n结的电注入发光研究
- 笔者用自行设计加工的ZnO生长专用MOCVD系统，在Si、GaAs、Al2O3衬底上生长ZnO材料异质结，并实现了电注入发光。这些电注入发光均包含ZnO材料侧的可见和紫外发光和Si、GaAs材料侧的近红外发光。由于ZnO...
- 杜国同孙景昌赵涧泽梁红伟边继明付艳萍夏小川赵旺李香萍张源涛董鑫杨天鹏朱慧超张宝林
- 关键词：发光强度衬底材料
- 文献传递
- 脉冲激光沉积法在p型GaAs衬底上制备ZnO同质结发光二极管
- 通过脉冲激光沉积技术在p型GaAs衬底上制备了ZnO同质结发光二极管。非掺杂的ZnO作为器件的n型层,p型ZnO层通过衬底中的As向ZnO中扩散与退火形成。Ⅰ-Ⅴ曲线显示出较好的整流特性。室温正偏压下实现了可见光中心位置...
- 赵涧泽孙景昌梁红伟冯秋菊边继明胡礼中张贺秋赵子文杜同国
- 关键词：同质结发光二极管脉冲激光沉积整流特性
- 文献传递
- 一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法
- 一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法，属于半导体掺杂技术领域，本发明涉及p型ZnO的掺杂技术，特别涉及一种采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术利用有机源作为ZnO的p型掺杂剂的掺杂技术。其特征是采用锑的金属有机物做...
- 梁红伟杜国同赵涧泽孙景昌边继明胡礼中
- 文献传递
- 一种氮掺杂ZnO的受主激活方法
- 一种氮掺杂的ZnO的受主激活方法，属于半导体材料领域，特别涉及一种采用射频等离子体金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术作为氮掺杂ZnO后期退火技术。本发明的目的克服氮掺杂p型ZnO难以获得的缺点，提供一种利用射频等离...
- 梁红伟孙景昌杜国同赵涧泽边继明胡礼中
- 文献传递
- MOCVD生长ZnO基p-n结的电注入发光研究
- O基p-n结的电注入发光研究是目前国际研究的热点。本文用MOCVD技术制备了高质量ZnO和ZnMgO薄膜，并在此基础上，采用几种掺杂方法制备出p型ZnO和ZnMgO薄膜，进而制备出了ZnO和ZnMgO的异质、同质p-n结...
- 杜国同赵涧泽孙景昌李硕石李长鸣陈睿姝夏小川赵旺李香萍朱慧超马艳董鑫张宝林梁红伟
- 关键词：金属有机化学气相淀积
- 一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法
- 一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法，属于半导体掺杂技术领域，本发明涉及p型ZnO的掺杂技术，特别涉及一种采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术利用有机源作为ZnO的p型掺杂剂的掺杂技术。其特征是采用锑的金属有机物做...
- 梁红伟杜国同赵涧泽孙景昌边继明胡礼中
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- 高取向As掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征被引量：3
- 2011年
- 在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂ZnO纳米线阵列具有均一的直径和长度,其顶部和根部直径分别为70 nm和100 nm,长度约为1.5μm。此外,在能量色散谱(EDS)中观测到了As元素的存在。在低温(11 K)光致发光谱中还观测到了与As掺杂相关的中性受主束缚激子发光(A0X),证实As元素作为受主掺杂进入ZnO晶格。As掺杂ZnO纳米线的成功制备为ZnO基纳米光电器件的实现提供了一种可行的p型掺杂方法。
- 冯秋菊冯宇梁红伟王珏陶鹏程蒋俊岩赵涧泽李梦轲宋哲孙景昌
- 关键词：ZNO纳米线阵列化学气相沉积光致发光
- Sb掺杂对MOCVD生长的ZnO薄膜性质的影响
- 利用MOCVD技术制备了Sb掺杂ZnO薄膜,在小掺杂量时研究了Sb的掺杂量对ZnO薄膜的结晶质量的影响,发现小掺杂量时随着Sb含量的增加ZnO薄膜的晶粒尺寸有所增加,结晶质量有所提高.
- 赵涧泽梁红伟李硕石边继明胡礼中杜国同
- 关键词：ZNO薄膜MOCVD方法掺杂改性
- 文献传递
- Ag掺杂p型ZnO薄膜及其光电性能研究被引量：8
- 2008年
- 采用超声喷雾热分解法在石英衬底上以醋酸锌水溶液为前驱体,以硝酸银水溶液为Ag掺杂源生长了Ag掺杂ZnO(ZnO:Ag)薄膜.研究了衬底温度对所得ZnO:Ag薄膜的晶体结构、电学和光学性质的影响规律.所得ZnO:Ag薄膜结构良好,在室温光致发光谱中检测到很强的近带边紫外发光峰,透射光谱中观测到非常陡峭的紫外吸收截止边和较高的可见光区透过率,表明薄膜具有较高的晶体质量与较好的光学特性.霍尔效应测试表明,在500℃下获得了p型导电的ZnO:Ag薄膜,载流子浓度为5.30×1015cm-3,迁移率为6.61cm2·V-1s-1.
- 王经纬边继明孙景昌梁红伟赵涧泽杜国同
- 关键词：P型掺杂
- ZnO材料的p型掺杂及p-n结电注入发光研究
- 我们自行设计加工了ZnO生长专用MOCVD系统，该系统直接采用O2气为氧源，不引入其他元素，有利于n型、p型掺杂和载流子浓度的控制。为了克服DEZn预反应问题，该系统反应室安装了两个特殊设计的源喷枪。同时为了解决ZnO材...
- 杜国同赵涧泽刘远达程轶边继明赵旺孙景昌马艳张源涛董鑫张宝林夏小川梁红伟
- 关键词：P型掺杂载流子浓度
