公共文化服务平台

赵庆兰: 作品数：36 被引量：170H指数：6; 供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划福建省自然科学基金更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

热液条件下SiO_2和SnO_2生长形态的形成机制被引量：7: 1994年; 本文研究了热液条件下，水晶和锡石的结晶形态和生长机制的关系，提出了水晶和锡石的生长基元为配位负离子多面体结构。在生长条件和溶液过饱和度不同时，生长基元的维度也不同，而不同维度的生长基元往晶体各族晶面上叠合的速率也有差异。由于各族晶面生长速率的变化，导致晶体结晶形态上的多变性。本文结合实验讨论了水晶和锡石的结晶习性和形成机理。; 仲维卓刘光照华素坤唐鼎元赵庆兰; 关键词：二氧化硅二氧化锡

邻苯二甲酸氢铷晶体结构对单晶生长习性和缺陷的影响: 1991年; 本文介绍溶液降温法生长的大块邻苯二甲酸氢铷(RAP)单晶中关键有机基团的取向和性质对晶体生长习性的影响,并阐述结构中分子松散堆积与缺陷形成之间的关系。; 黄依森赵庆兰; 关键词：RAP 晶体结构

邻苯二甲酸氢钾(KAP)晶体结构对单晶生长习性和缺陷的影响被引量：2: 1990年; 本文着重叙述溶液降温法生长的大块邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶中关键有机基团的取向和性质对晶体生长习性的影响,并且阐述结构中分子松散堆积和缺陷形成之间的关系。; 赵庆兰黄依森; 关键词：有机晶体生长习性晶体结构

三硼酸锂（LBO）晶体生长基元与形貌被引量：9: 1996年; 本文采用称重法研究了ＬＢＯ（ＬｉＢ３Ｏ５）晶体中（１００）、（０１０）、（００１）和（０１１）方向的生长速率与溶液过饱和度之间的关系，发现在相同过饱和度的条件下，同一晶体的不同界面上出现了粗糙化相变和二维成核的不同生长机制，这种现象用负离子配位体生长基元的观点得到了圆满的解释。通过对溶液结构的测定，证实了溶液中存在着Ｂ－Ｏ３三角形和Ｂ－Ｏ４四面体结构。它与晶体中的配位结构相同，这两种配位体结合而形成的（Ｂ３Ｏ７）５－与晶体中的络阴离子环相当。环状络阴离子有两个非对称分布的悬键，具有偶极子的特征，正、负相连构成链状结构，与环链垂直的晶面显粗糙化相变的特征，与环链平行的晶面显二维成核的特征。; 仲维卓洪慧聪路治平赵天德华素坤唐鼎元赵庆兰; 关键词：晶体形貌非线性光学晶体晶体生长

三硼酸锂晶体中负晶的观察: 1993年; 采用光学显微镜、X射线形貌术以及激光散射层析等方法,对新型非线性光学材料三硼酸锂晶体中的一种特殊的包裹体——负晶进行观测和研究,揭示了它的本质和组成,探讨了它的形成机理。; 唐鼎元林翔赵庆兰曾文荣谭奇光毛宏伟仲维卓华素坤; 关键词：三硼酸锂包裹体

邻苯二甲酸氢钾单晶位错的 X 射线形貌衬度: 1993年; 本文叙述具有较高 X 射线吸收能力的邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶位错的 X 射线形貌衬度。根据(010)晶片中(001)、(201)、(200)和(111)晶面的 X 射线形貌实验结果,提供了位错直接象、衍衬条纹(或中间象)、动力学象和位错双象等衬度、形态以及变化规律。这些实验事实与从结构因子虚数部分所引起的吸收效应等有关理论的计标结果比较,相当满意地符合。; 赵庆兰黄依森; 关键词：衍射

BBO单晶远近核心区完整性的比较观测: 2000年; X射线形貌观测用于比较的两个 ( 0 0 0 1 )样品S(z) (靠近中心部位 )和S(b) (靠近边沿部位 ) ,各经过粗磨、细磨、机械粗抛光和化学抛光 ,获得厚度适宜无表面机械损伤的形貌样品。根据BBO晶体的过去研究积累 (J.Appl.,1 995 ,2 8:2 6 7) ,拟同时选用 ( 30 30 ) [( 30 30 ) ]、( 2 2 43)[( 2 2 43) ]和 ( 2 42 3)反射 ,分别观察是否存在呈三角锥衬度的包裹物、位错 (位错环 )和电畴 (界 )等。利用银靶共收集 1 0个形貌图 (其中 4个为两个立体对 )。在S(z)和S(b)样品中均没有观察到电畴 (界 )和大体平行于C面的位错。但都存在以下分布形态的“黑点状”应力场 ;不少黑点中心呈“白色” ;多数点状应力场分布较均匀 :少数沿a轴呈层状分布 ,这些层状分布的应力场形态在S(b)中更清晰 ,呈典型的包裹物衬度。其他的推测为大体上沿c轴分布的缀饰小丝状物。比较观测结果认定 ,它们的主要光散射源是那些应力场。化学腐蚀法观测的初步结果表明 ,S(z)在 ( 1 0 1 0 )晶面露头的位错密度为 380 0 /cm2 ;S(b)在( 1 0 1 0 )晶面上露头的位错密度为 2 5 0 /cm2 。比较观测结果表明 ,靠近较远离长晶中心的位错密度高出一个数量级左右。; 黄依森梁桂金赵庆兰; 关键词：位错 BBO晶体

X射线形貌样品厚度的无损测量方法: 1990年; 本文介绍了几种Ｘ射线形貌样品厚度的无损测量方法的原理、技术和应用，可供Ｘ射线衍射形貌工作者根据样品的特殊情况选择使用，或进行多途径的综合测量和核对．; 黄依森赵庆兰; 关键词：X射线形貌厚度

邻苯二甲酸氢钾(KAP )单晶中包裹物的X射线衍射形貌衬度被引量：2: 1989年; 本文描述邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶中包裹物的X射线衍射形貌衬度及其本质的测定结果。提出应用“包裹物点缀”形貌技术测定单晶中大面积应变区本质的实验方法和结果,为深入了解晶体结构内部薄弱环节提供另一可行的途径。; 赵庆兰黄依森; 关键词：单晶 X射线包裹物

熔盐提拉法生长β-BaB_2O_4晶体被引量：5: 1990年; 采用熔盐提拉法从 Na_2O 等助熔剂中生长出高光学质量的非线性光学材料β-BaB_2O_2晶体。最大的透明晶体尺寸达φ46×18mm。晶体生长适宜的拉速和转速分别为0.5—1.0mm/day 和4—8r/min。研究了籽晶的方向对生长速度和质量的影响,讨论了 BBO 晶体生长过程中的固液界面形状问题。最后报导了晶体中一些缺陷。; 唐鼎元林斯太戴桂琴林绮曾文荣赵庆兰黄依森; 关键词：偏硼酸钡晶体