贾昌文
- 作品数：3 被引量：12H指数：1
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- TiO/_2基半导体材料的光学和磁学特性研究
- TiO/_2基半导体薄膜和纳米结构的研究与开发对半导体发光材料、自旋电子学、光催化剂以及染料敏化太阳电池等领域具有重要意义。稀土掺杂TiO/_2薄膜和纳米材料可以获得从可见到红外波段的有效发光；Co掺杂TiO/_2纳米材...
- 贾昌文
- 关键词：稀土光致发光电纺丝稀磁半导体
- 文献传递
- 溅射沉积HfON:Tb薄膜的光致发光
- 2006年
- 用直流溅射法沉积了HfON:Tb薄膜.对样品在空气中进行了不同温度的退火处理.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化,并有微弱的蓝移.分析了发光机理,得出可见光区的发光是由于Tb离子产生的.发光峰的强度和Tb离子的浓度有关系,在达到一定值以后会发生浓度淬灭效应.
- 蒋然谢二庆贾昌文林洪峰潘孝军李晖
- 关键词：光致发光能量转换溅射
- 稀土掺杂多孔硅的蓝光发射被引量：11
- 2004年
- 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土 (Pr,Dy ,Sc)离子的化学掺杂 .用扫描电镜研究了多孔硅薄膜的表面形貌 ,用卢瑟福背散射谱研究了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况 .利用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性 ,发现稀土掺杂增强了多孔硅的蓝光发射 ,尤其是Dy的掺杂可产生较强的蓝光发射 ,其强度可与多孔硅的红光强度相比较 ,适当的Pr和Sc的掺杂也可一定程度地增强多孔硅的蓝光发射 .稀土掺杂多孔硅后产生蓝光发射的可能机理为 :稀土掺杂引入新的表面态 ,形成硅、氧、稀土间新的键合方式O—Si—O—Re—O ,从而在多孔硅表面形成新的发光中心 ;稀土离子丰富的能态在多孔硅发光过程中起到了能量传递作用 ,从而增强了多孔硅的蓝光发射 .
- 彭爱华谢二庆贾昌文蒋然林洪峰贺德衍
- 关键词：稀土掺杂光致发光电化学蓝光发射
