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谭威: 作品数：26 被引量：11H指数：2; 供职机构：上海大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海大学创新基金清华大学自主科研计划更多>>; 相关领域：化学工程自动化与计算机技术一般工业技术轻工技术与工程更多>>

合作作者

两步法合成La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ粉体: 采用固相两步法成功地合成了LSGM粉体.根据两步法与一步法制备的LSGM粉体中O-O键长以及晶胞体积的对比,证明两步法的掺杂率要高,两步法优于传统的一步法.通过计算晶格中离子价态的变化,证明了第一步Mg元素的成功掺入,进...; 钟海涛艾德生谭威林旭平; 关键词：合成工艺; 文献传递

BaCo_(0.7)Fe_(0.2)Nb_(0.1)O_(3-δ)离子-电子混合导体电导性能研究被引量：2: 2014年; 用四电极法研究了 BaCo0．7 Fe0．2 Nb0．1 O 3-δ（BCFN）离子-电子混合导体的总电导率随温度的变化规律；通过阻塞电极法测量了 BaCo0．7 Fe0．2 Nb0．1 O 3-δ氧离子电导率随温度的变化规律；通过计算得到了电子电导率随温度的变化规律.研究结果表明,在温度低于550℃以下时,电子电导起了决定作用,随着温度的升高总电导率和电子电导率均呈现出显著增加的趋势,表现为 P 型半导体特征；当温度在550~650℃时,由于晶格氧的脱附,消耗了自由电子,导致电子电导率略有下降,使得总电导率表现出类似的变化规律,通过计算得到在550℃以下 BCFN 混合导体的电子电导的表观活化能为0．30 eV；当温度高于650℃以上时,由于氧空位增加导致氧离子电导率随温度升高迅速增大,使得总电导率又呈现增加的趋势,计算得到氧离子迁移活化能为1．18 eV；O 2-TPD 研究结果证明了在550~650℃时存在明显的晶格氧的脱附峰,晶格氧的脱附显著影响了 BCFN 混合导体电子电导率和总电导率.当温度低于650℃以下时,电子的迁移数接近100％,当温度高于650℃以上时,氧离子的迁移数迅速增大,900℃氧离子迁移数可达到8．97％.; 袁强甄强李榕谭威; 关键词：离子电导率电子电导率

无压烧结Si2N20陶瓷的机械与介电性能: i3N4、SiO2为初始原料，以MgO、Al2O3为烧结助剂，在N2保护气氛下，通过无压烧结制备了致密的Si2N2O陶瓷。烧结后的产物主晶相为Si2N2O，并含有少量的β-Si3N4和玻璃相，β-Si3N4相随着初始原料...; 林旭平马景陶谭威张宝清; 关键词：介电性能氮化硅氧化硅无压烧结

一种中子吸收球的制备方法: 本发明涉及中子吸收球的制备方法，包括下述步骤：将炭素原料和中子吸收材料混合得到的粉料加入到PVA与PEG的混合水溶液中进行搅拌，混捏过程中加入硼酸，制成糊料；经过预压、挤出成型、炭化、切割、磨加工、高温处理和表面包覆处理...; 林旭平马景陶陈凤黄志勇邓长生谭威

测定氧交换系数与氧扩散系数的等压密封式装置: 本发明公开了一种测定氧交换系数与氧扩散系数的等压密封式装置，包括实验平台装置、材料电导率测试装置、输入输出装置、数据分析系统、混气装置、气氛预热装置和气体检测装置，实验平台装置由等压舱、传动装置、实验腔和样品台组成，在整...; 甄强谭威李榕

掺钙铬酸镧相变对导电性能影响机制研究: 研究了掺钙铬酸镧相变过程对于其导电性能的影响机制.掺钙铬酸镧的导电率数据表明,样品中载流子激活能在高温区(500℃以上)与低温区(300℃以下)有一定差别.结合样品热膨胀曲线与DSC分析,发现在300～500℃这一温度区...; 谭威林旭平甄强; 关键词：相变过程导电性能; 文献传递

Ce_(1-x)Y_xO_(2-δ)(x=0,0.15,0.25)纳米粉体的氧化-还原性能研究: 2014年; 为了研究氧化铈（YDC）材料的氧化还原性能,通过水溶液体系中沉淀反应平衡的计算,研究了Y3＋、Ce3＋在水溶液体系中共沉淀的pH值条件,并制备了Ce1-xYxO2-δ（x=0,15%,25%）纳米粉体,平均晶粒尺寸在12 nm左右。通过O2-TPD研究了Ce1-x YxO2-δ纳米粉体在室温-1 000℃的氧气的脱附行为,发现随着Y2O3掺杂量增加,氧脱附峰面积增大,但脱附氧的起始温度提高,说明Y2O3的掺杂使样品中的氧空位增加,增加了氧的脱附量。通过H2-TPR研究了Ce1-xYxO2-δ纳米粉体在200-1 000℃条件下的氢气还原能力,发现随着Y2O3掺杂量增加,在450-650℃,Ce1-xYxO2-δ纳米粉体消耗H2峰强度逐渐增大,说明Ce1-xYxO2-δ的抗还原性能提高;在750-950℃,CeO2纳米粉体的消耗H2峰强度逐渐减小,说明CeO2抗还原的能力逐渐降低。通过O-1s和Ce3d XPS能谱分析结果可知,随着Y2O3掺杂量增加,Ce1-xYxO2-δ纳米粉体的晶格氧峰和吸附氧峰的强度降低,证明了在加热过程中,Ce1-xYxO2-δ的氧气脱附量逐渐增大;相对在空气条件下加热处理的样品,在10%H2/Ar混合气体条件下加热处理后,Ce1-xYxO2-δ纳米粉体中有部分的Ce4＋被还原为Ce3＋。; 袁强甄强李榕谭威王太和; 关键词：CEO2 Y2O3 纳米粉体

Si3N4-MoSi2复合陶瓷导电性能研究: 本文研究不同MoSi含量对复合材料导电性能的影响,并分析复合材料相组成、相结构及其导电机理,得到复合材料的电阻与含量变化"S"型曲线。复合陶瓷电阻率随着MoSi含量增加而不断降低,当MoSi含量为30vol%以下时,电阻...; 谭威林旭平马景陶张宝清; 文献传递

硼系陶瓷材料在核电装备中的应用及其制备理论: 本文介绍了在核电装备中应用的几种含硼元素化合物的硼系陶瓷材料，主要包括碳化硼、硼化锆、氮化硼以及含硼硅酸盐等材料，并对其应用现状和前景进行了综述。同时，对上述材料制备的一些材料热力学新理论、新方法进行了介绍，这对核电装备...; 甄强谭威宋绍雷; 关键词：核电装备碳化硼硼化锆氮化硼

钙掺杂对铬酸镧热膨胀系数的影响: 2012年; 利用固相法合成的铬酸镧粉制备铬酸镧样品。研究了钙掺杂量对铬酸镧样品热膨胀系数的影响。结果表明:当钙掺杂铬酸镧时,Ca2+于A位取代La3+,引起A位离子半径减小,晶胞参数发生变化,同时Cr3+变价形成Cr4+,引起了O2–—O2–和Cr3+—O2–键长、键角和键能相应改变,从而对铬酸镧样品的热膨胀系数和相变温度造成影响;从室温到1000℃,铬酸镧的热膨胀系数随钙掺杂量增加而增大,由正交结构向菱形结构转变的相变温度随钙掺杂量增加呈线性提高。; 谭威林旭平艾德生马景陶邓长生徐景明; 关键词：铬酸镧钙掺杂热膨胀系数