许可
- 作品数:5 被引量:21H指数:3
- 供职机构:闽江学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金福建省教育厅科技项目福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学文化科学环境科学与工程经济管理更多>>
- 水合铀酰离子在三水铝石(001)表面的吸附
- 2021年
- 本文采用周期性密度泛函理论研究三水铝石(0 0 1)面吸附水合铀酰离子过程中的能量和结构的变化以及质子化对吸附的影响.对三水铝石(0 0 1)表面的吸附位置进行不同程度的去质子化,得到x=0、x=1和x=2吸附面(x表示三水铝石(0 0 1)表面吸附位置上去质子化的个数). x=0吸附面上各吸附位的吸附能最大差值在40 KJ·mol^(-1)左右,Edge-sharing吸附总体比Corner-sharing吸附的更稳定,并且以双齿配位吸附为主.在x=1吸附面的吸附位上,也显现出大部分的Edge-sharing吸附比Corner-sharing吸附得更稳定.该面以单齿配位吸附为主.在x=2吸附面上,各个吸附位均表现出良好的吸附能力.该面以双齿配位吸附为主,但形成铀氧化物吸附的可能性增大.三水铝石(0 0 1)表面与铀酰离子通过配位键的作用形成稳定吸附.发生吸附配位后吸附面的电荷分布发生变化.吸附底物Al(OH)_(6)八面体上氧原子离子化程度增大即带更多的负电荷.吸附通过减弱三水铝石表面H—O和Al—O共价键强度,增强其表面氧与水合铀酰的配位键强度,来形成稳定吸附结构.随着去质子化程度的增加,各个吸附位均表现出良好的吸附能力,吸附能变大.
- 辜家芳许可黄协锋陈婷张书泉陈文凯陈建中
- 关键词:三水铝石密度泛函理论
- 基于RF-GM(1,1)-BP模型预测福州市财政收入
- 2023年
- 掌握市场趋势和规划收支费用对于财政部门而言具有极为重要的意义。本文选取1994~2021年福州市年财政收入相关数据,采用随机森林(RF)模型识别出财政收入的关键影响特征,随后建立GM(1,1)-BP组合模型,对2022~2025年福州市的年财政收入进行预测。预测结果表明RF-GM(1,1)-BP组合模型十分适合用于预测福州市财政收入;同时,福州市财政收入将在2021年之后稳步增长,并在2025年到达7,999,256万元。该结论能为相关部门实施的决策提供一定的理论参考。
- 刘威张巧王文博许可张慧妍金秀玲
- 关键词:财政收入BP
- 基于BOPPPS教学模式与雨课堂智慧教学工具的《物理化学》课程混合式教学设计被引量:10
- 2020年
- 运用BOPPPS教学模式的基础上,充分应用“雨课堂”智慧教学工具,通过分组教学、实验教学、课堂互动等方式对传统的物理化学课学教学进行全面的改革。通过多元化的考核方式对课程教学进行评价。实践表明,采用新的教学设计后,学生课程关注度明显提高。
- 辜家芳许可
- 关键词:物理化学
- 水溶液中碳酸铀酰化合物的电子结构(英文)被引量:9
- 2012年
- 应用相对论密度泛函理论系统研究了水溶液中非水合化和水合化碳酸铀酰化合物Cn/m(其中n和m分别为结构中碳酸配体和水配体的个数)的结构.溶剂效应采用类导体屏蔽模型(COSMO),并采用零级规整近似(ZORA)方法考虑标量相对论效应和旋-轨耦合相对论效应.电子跃迁采用包含旋-轨耦合相对论效应的含时密度泛函理论并在相关交换势中采用轨道势能统计平均(SAOP)做近似计算.结果表明碳酸配体对配合物结构和电子跃迁有很大的影响.C3/0配合物的稳定性可归于5f轨道参与了高占据轨道的成键作用.增加碳酸盐配体导致最大波长的蓝移,并在近可见光区域出现高强度的吸收.
- 辜家芳陆春海陈文凯陈勇许可黄昕章永凡
- 关键词:铀酰UV-VIS溶剂效应含时密度泛函理论
- Cp_4An和COT_2An(Cp^-=C_5H_5^-,COT^(2-)=C_8H_8^(2-),An=U(Ⅳ),Pu(Ⅳ))的结构和光谱性质的密度泛函理论研究被引量:3
- 2017年
- 采用密度泛函理论研究气相和四氢呋喃(THF)溶剂中Cp4An和COT2An(Cp-=C5H5-,COT2-=C8H82-,An=U(Ⅳ),Pu(Ⅳ))配合物的性质。THF溶剂对配合物的溶剂化效应采用类导体极化连续模型(CPCM)近似计算。计算结果显示在THF溶液中各配合物结合能的大小顺序为COT2Pu>COT2U>Cp4Pu>Cp4U。溶剂化效应降低了该金属有机配合物的结合能。计算得到的化合物的结构参数和红外光谱数据与实验数据保持一致。通过对Cp4An和COT2An(An=U(Ⅳ),Pu(Ⅳ))的分子轨道能级图分析发现,采用最高的RSC ECP赝势计算COT2U和Cp4U的基态分别为三重fφ2和fσ2组态;而COT2Pu和Cp4Pu的基态分别为五重fσ1fπ1fφ2和fσ3fδ1组态。
- 辜家芳许可陈文凯
- 关键词:金属有机物钚溶剂化效应