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詹颜

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：上海大学理学院物理系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇英文
  • 1篇射频
  • 1篇纳米硅
  • 1篇纳米硅薄膜
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇I-V特性

机构

  • 1篇上海交通大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 1篇孙铁囤
  • 1篇马忠权
  • 1篇栗敏
  • 1篇詹颜
  • 1篇赵占霞
  • 1篇王德明

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和I-V特性(英文)被引量：2
2009年
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的I-V特性进行了研究。
赵占霞栗敏詹颜王德明马忠权孙铁囤
关键词：纳米硅薄膜
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共1页<1>
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